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98 getagte Artikel
three-dimensional integrated circuit : 3D-IC Ziel vieler Chip-Entwicklungen ist die Herstellung von immer kompakteren, platzsparenden Packages mit kleinstem Footprint. Diese Entwicklung setzt sich in den dreidimensionalen integrierten Schaltunge ... weiterlesen
advanced CMOS logic : ACL Advanced-CMOS-Logik Die Advanced CMOSLogic (ACL) kennzeichnet eine Entwicklungsstufe der CMOS-Logiken. Sie stammt aus den neunziger Jahren und zeichnet sich durch die enorm kurze Schaltzeit von nur 3 ns aus. Die ACL-Te ... weiterlesen
atmospheric pressure chemical vapour deposition : APCVD Atmospheric PressureCVD (APCVD) ist ein Beschichtungsverfahren, Chemical Vapour Deposition (CVD), das zur Herstellung von dotierten und undotierten Oxiden eingesetzt wird und mit atmosphärischem Dru ... weiterlesen
application specific integrated circuit : ASIC Ein ASIC (Application Specific Integrated Circuit) ist eine anwenderspezifische oder kundenspezifische integrierte Schaltung. Im Unterschied zu Standard-ICs wird ein ASIC gemäß den Kundenanforderung ... weiterlesen
application specific standard product : ASSP Anwendungsspezifische Signalprozessoren (ASSP) sind Standard-Chipbausteine mit elementaren Programmiermöglichkeiten. Application Specific Standard Products (ASSP), die wie Application Specific Integ ... weiterlesen
bipolar CMOS : BiCMOS BiCMOS-Technologie Die BiCMOS-Technologie (Bipolar CMOS) ist eine Kombination der beiden wichtigsten Halbleitertechnologien, der bipolaren Technologie und der CMOS-Technologie. Logiken, deren Schaltungen aus beiden Te ... weiterlesen
Bond-Pad bond pad Bond-Pads beim klassischen 8008 Bei der Konfektion von Chips wird der Chip-Kern, genannt Dice, mit Bondierungspunkten versehen, an die beim Bonden die mikrofeinen Dünndrähte von 12,5 µm bis 50 µm Du ... weiterlesen
Bondierung bonding In der klassischen Chipherstellung wird der Chip-Kern, genannt Dice, auf einem Keramik- oder Plastiksubstrat befestigt. Der Die selbst ist nur einige Millimeter klein und besitzt viele Kontakte an d ... weiterlesen
Bump bump Im Kontext mit der Chip-Technologie sind Bumps kleine Bond-Pads, die für die Kontaktierung der Chips mit dem Substrat und auch für die Kontaktierung der Packages mit der Leiterplatte benutzt werde ... weiterlesen
chip carrier : CC Übersicht über Chip-Carrier-PackagesChipCarrier (CC) sind rechteckige Chip-Gehäuse mit Anschlusskontakten an allen vier Package-Seiten. Die Anschlusskontakte können als metallische Kontaktflächen in ... weiterlesen
complementary metal oxide semiconductor : CMOS CMOS-Technologie Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) ist eine Halbleitertechnologie für Chips, Mikroprozessoren und auch diskrete Bauelemente, die sich durch eine geringe Leistungsaufnahme und kurze Schal ... weiterlesen
carbon nano tube : CNT Kohlenstoff-Nanoröhre Kohlenstoff-Nanoröhren, Carbon Nanotubes (CNT), sind kleinste Röhrchen mit einem Durchmesser von etwas über einem Nanometer (nm). Die Kohlenstoff-Nanoröhren bestehen aus Kohlenstoffatomen, deren hex ... weiterlesen
chip on tape : COT Chip-on-Tape (COT) ist eine Package-Technologie bei der die einzelnen Chipmodule paarweise nebeneinander auf einem flexiblen dünnen Band platziert sind. Das Band hat üblicherweise eine Breit von 35 ... weiterlesen
complex programmable logic device : CPLD Ein Complex Programmable Logic Device (CPLD) ist ein vorkonfektionierter, frei konfigurierbarer Logikbaustein. Diese Bausteine, die eine Weiterentwicklung der Programmable Array Logic (PAL) und der ... weiterlesen
chip-sized SAW package : CSSP CSSP-Package Chip-Sized SAW Package (CSSP) ist eine von Epcos entwickelte Package-Technologie, mit der sich kleinste HF-Filter und HF-Duplexer mit Oberflächenwellenfiltern (SAW) aufbauen lassen. Die Baugrößen (201 ... weiterlesen
charge trap flash : CTF Charge-Trap-Flash (CTF) ist eine Technologie für Speicherzellen, vergleichbar dem Floating-Gate. Der Vorteil dieser Technologie ist darin zu sehen, dass sich die einzelnen Speicherzellen der CTF-Spe ... weiterlesen
chemical vapour deposition : CVD Chemische Gasphasenabscheidung Die Chemical Vapour Deposition (CVD) ist ein chemisches Beschichtungsverfahren, das u.a. für die Beschichtung von optischen Komponenten und in der Dünnschichttechnik eingesetzt wird. Es ist eine che ... weiterlesen
Chip chip Chips oder Dice sind Halbleiterbausteine, die aus dem Basismaterial für die sich darauf befindende integrierte Schaltung (IC) bestehen. Beim Basismaterial handelt es sich in der Regel um höchstreine ... weiterlesen
chip on board : CoB Chip on Board (CoB) ist eine gehäuselose Chip-Bauweise, die zur Technologie des Direct Chip Attach (DCA) zählt. Bei der CoB-Technologie wird das Chip direkt auf eine Leiterplatte oder auf ein Kerami ... weiterlesen
chip on flex : CoF Chip on Flex (CoB) ist eine spezielle Form der Chip on Board-Technologie (CoB) und gehört zur Technologie des Direct Chip Attach (DCA). Die wesentlichen Vorteile der CoF-Technologie liegen in ihrer ... weiterlesen
direct chip attach : DCA Die DCA-Technik, Direct Chip Attach (DCA), ist eine Bestückungstechnik, bei der gehäuselose Chip direkt auf dem Substrat oder der Leiterplatte platziert werden. Chip on Board (CoB) und Chip on Fle ... weiterlesen
Die-Sized SAW Package : DSSP DSSP-Package DSSP-Package mit einem Fine-Pitch von 220 µm, Foto: Epcos Das Die-Sized SAW Package (DSSP) ist eine Weiterentwicklung der HF-Filter und Duplexer als Chip-Sized SAW Package (CSSP). Die DSSP-Package ... weiterlesen
Dice dice In einer bestimmten Fertigungsstufe werden einzelne Chips als "Die" bezeichnet, und zwar nachdem sie mit einer Diamantsäge aus dem Wafer ausgesägt wurden. Dice, das ist der Plural von "Die", sind fe ... weiterlesen
Dotierung doping Dotieren nennt man den Vorgang bei dem hochreines Halbleitermaterial mit Fremdatomen kontaminiert wird, deren chemische Wertigkeit anders ist, als die des Halbleitermaterials. Die Fremdatome werden ... weiterlesen
extra large scale integration : ELSI ELSI-Technologie Die ELSI-Technologie (Extra Large Scale Integration) kennzeichnet eine Integrationsdichte bei Chip. Mit ELSI werden integrierte Schaltungen (IC) bezeichnet, die zwischen zehn Millionen (10exp7) un ... weiterlesen
equivalent oxide thickness : EOT Halbleiter haben zwischen dem Transistorkanal und dem Gate ein Dielektrikum aus einem Oxid. Um hohe Schaltgeschwindigkeiten erreichen zu können, sollte ein solches Dielektrikum sollte äußerst dünn s ... weiterlesen
extreme ultraviolet lithography : EUVL Integrierte Schaltungen (IC) werden in konventioneller Technik mit optischer Lithografie erzeugt. Um möglichst schmale Strompfade auf den Chips zu erzeugen, wird blaues oder violettes Licht eingeset ... weiterlesen
flip chip ball grid array : FCBGA FCBGA-Package FCBGA-Package (von unten), Foto: IntelFlip ChipBall Grid Array (FCBGA) ist eine Verbindungstechnik mit der der Die-Chip mit den Kontaktpunkten verbunden wird. Die Flip-Chip-Technik hat gegenüber dem ... weiterlesen
fan out panel level packaging : FOPLP Fan-out Panel LevelPackaging (FOPLP) ist eine Packaging-Technologie mit hohem Miniaturisierungspotential. Die technologischen Voraussetzungen dafür bildet ein geformtes Panel, in das die Chips und ... weiterlesen
field programmable function array : FPFA Field Programmable Function Array (FPFA) sind rekonfigurierbare Prozessoren. Es ist ein Array aus Rechenwerken (ALU) bei dem sowohl die Funktion der Rechenwerke als auch die Verbindung der Rechenw ... weiterlesen
field programmable RF : FPRF Die Bezeichnung Field Programmable RF Transceiver (FPRF) steht für HF-Chips, die mehrere Frequenzbereiche und mehrere Standards abdecken. Es handelt sich um eine Schlüsseltechnologie mit der Mehrb ... weiterlesen
Fabless fabless Fabless-Unternehmen sind solche, die keine eigene Fertigungsstätten haben, sondern ihre Produktionen von anderen Fabriken ausführen lassen. Fab-less steht für fabriklos. Das Fabless-Geschäftsmodell ... weiterlesen
Foundry-Modell foundry model Das englische Wort Foundry bedeutet Gießerei und ist beim Foundry-Modell so zu interpretieren, dass Unternehmen bestimmte Aktivitäten miteinander verschmelzen. Es handelt dabei um ein Vermarktungsko ... weiterlesen
giant large scale integration : GLSI GLSI-Technologie Giant Large Scale Integration (GLSI) ist die Nachfolgetechnologie von Extra Large Scale Integration (ELSI). Chips in GLSI-Technologie haben 100 Millionen (10exp8) und mehr Transistoren auf einem C ... weiterlesen
giga scale integration : GSI GSI-Technologie Giga Scale Integration (GSI) ist die IC-Technologie mit der derzeit höchsten Konzentration an Transistoren, bas bedeutet der höchsten Integrationsdichte. GSI-Chips weisen mehr als einhundert Million ... weiterlesen
Graphen graphene Silizium-Halbleiter stoßen bei über zehn Gigahertz an ihre Grenzen, selbst Verbindungshalbleiter wie Silizium-Germanium (SiGe) haben ihre Grenzfrequenzen bei etwa 60 GHz. Doch wie geht man mit höh ... weiterlesen
high speed CMOS : H-CMOS Die High-Speed-CMOS-Technologie (H-CMOS) hat die Vorteile der CMOS-Technologie, kombiniert allerdings die geringe Leistungsaufnahme mit einer kurzen Signallaufzeit von 9 ns. Sie ist damit vergleichb ... weiterlesen
high-density lead-frame array : HDA High-Density Lead-Frame Array (HDA) ist eine Packageform, die sich durch ihre hohe thermische Leitfähigkeit auszeichnet. HDA-Packages sind dreidimensional aufgebaut und bestehen aus einem einlagigen ... weiterlesen
hardware description language : HDL Hardware-Beschreibungssprache Hardware-Beschreibungssprachen (HDL) dienen der Beschreibung, Synthese, Simulation und dem Test von digitalen Schaltungen; von Logiken, Gattern, Registern, Rechenwerken usw. Es gibt verschiedene H ... weiterlesen
high density packaging : HDP High DensityPackaging (HDP) ist wie ASIC (Application Specific Integrated Circuit) eine Integrationstechnologie für Klein- oder Spezialserien. Bei der HDP-Technologie sind die Stückkosten geringer ... weiterlesen
integrated circuit : IC Integrierte Schaltung : IS Mit der Entwicklung der Halbleitertechnologie wurden zu Beginn der 60er-Jahre die ersten integrierten Schaltungen (IC) vorgestellt. Wie aus der Bezeichnung hervorgeht, handelt es sich dabei um die I ... weiterlesen
III-V-Verbindungshalbleiter III-V compound semiconductor Die Bezeichnung III-V-Verbindungshalbleiter geht auf die Gruppe des Periodensystems zurück aus dem die Verbindungshalbleiter stammen. Zu der Hauptgruppe III des Periodensystems gehören Bor (B), Alum ... weiterlesen
IV-IV-Verbindungshalbleiter IV-IV compound semiconductor Neben den konventionellen Halbleitern aus Germanium oder Silizium gibt es Verbindungshalbleiter, die aus zwei Halbleitermaterialien bestehen. Diese Verbindungshalbleiter werden nach den Hauptgruppen ... weiterlesen
Ingot ingot Ingots sind Siliziumvorprodukte für die Herstellung von Wafern. Es sind die aus der Siliziumschmelze kommenden Siliziumblöcke oder -zylinder, aus denen die Wafer geschnitten werden. Sie können aus m ... weiterlesen
Integrationsdichte integration density Die Integrationsdichte ist eine Bezeichnung aus der Chip-Technologie. Dank einer rasanten technologischen Entwicklung der integrierten Schaltung konnte die Schaltkreisdichte auf einem Chip seit der ... weiterlesen
leadless ceramic chip carrier : LCCC LCCC-Package Das LCCC-Package (Leadless Ceramic Chip Carrier) gehört zu den keramischen Chip-Carrier-Packages, die keine Anschlussdrähte haben. LCCC-Packages sind rechteckige oder quadratische Packages bei denen ... weiterlesen
leadless leadframe package : LLP LLP-Package Um moderne Kommunikationsgeräte wie Handys, Smartphones und PDAs, MP3-Player und Flachbildschirme noch flacher bauen zu können, gibt es mit den von National Semiconductor entwickelten superflachen L ... weiterlesen
low pressure CVD : LPCVD Low PressureChemical Vapour Deposition (LPCVD) ist ein Beschichtungsverfahren, das im Gegensatz zu den anderen CVD-Verfahren, Chemical Vapour Deposition, mit Unterdruck arbeitet. Das LPCVD-Verfahren ... weiterlesen
large scale integration : LSI LSI-Technologie Die Entwicklung der integrierten Schaltung (IC) war im Wesentlichen durch die Dichte der Transistoren auf einem Chip bestimmt. Da sich die Dichte im Laufe der Entwicklung um viele Zehnerpotenzen erhöh ... weiterlesen
low temperature cofired ceramics : LTCC LTCC-Package Low Temperature Cofired Ceramics (LTCC) sind glaskeramische Folien, die als Trägermaterial in der Dickschichttechnik und für Dickschichtbauelemente der Mikrosystemtechnik benutzt werden. Sie werden ... weiterlesen
multi chip package : MCP Durch die zunehmende Miniaturisierung werden häufig mehrere Chips in einem Gehäuse kombiniert. Eine solche kombinierte Anordnung nennt man Multi-Chip-Package (MCP). In einem MCP-Bausteine können Lo ... weiterlesen
molded core embedded package : MCeP MCeP-Package Das MCeP-Package, Molded Core Embedded Package, ist ein hybrides Gehäuse, das aus zwei übereinander liegenden Substraten besteht. Das obere Substrat enthält einen Kupferkern und ist über Lötkugeln m ... weiterlesen
micro lead frame : MLF MLF-Package Das von Amkor entwickelte MicroLeadFramePackage (MLF) ist ein flaches, kleines und sehr leichtes Plastikpackage mit kupferbasiertem Substrat. Das MLF-Package hat keine Anschlussdrähte sondern nur kl ... weiterlesen
metal oxide semiconductor : MOS MOS-Technologie Die MOS-Technologie (Metal OxideSemiconductor) ist eine monolithische Halbleiter-Technologie für diskrete Bauelemente und integrierte Schaltungen (IC), die in den verschiedenen Varianten als NMOS (n ... weiterlesen
MOS-Kondensator MOS capacitor In der Halbleiterelektronik werden Kondensatoren in MOS-Technologie aufgebaut. Sie werden in Halbleiterspeichern, Schieberegistern und CCD-Sensoren eingesetzt und bestehen aus verschiedenen Schich ... weiterlesen
medium scale integration : MSI MSI-Technologie Medium Scale Integration (MSI) ist eine Angabe für die Integrationsdichte von Integrierten Schaltungen (IC). Chips in MSI-Technologie sind monolithisch, sie haben zwischen einhundert (10exp2) und ... weiterlesen
Micro-SMD-Package micro SMD Der kontinuierliche Trend zur Verkleinerung von mobilen Geräten zeigt sich auch in der Miniaturisierung der Bauteile, Logiken und Prozessoren. Mittels Micro-SMD hat sich der Footprint von Packages ... weiterlesen
nano electro mechanical system : NEMS Nano Electro Mechanical System (NEMS) sind eine Kombination aus mechanischen und optischen Elementen sowie Sensoren, Aktoren und elektronischen Schaltungen auf einem Substrat, bzw. Chip. Sie sind ei ... weiterlesen
Network-on-Chip network on chip : NoC Die Verkleinerung der Geräte und der ständig steigende Integrationsgrad von Chips haben dazu geführt, dass ganze Systeme mit Prozessoren, Controllern, Speicherbausteinen und anderen Komponenten auf ... weiterlesen
opto-electronic integrated circuit : OEIC Opto-elektronische integrierte Schaltung Bei Chips für die optische Übertragungstechnik unterscheidet man zwischen solchen, die nur aus optischen Komponenten aufgebaut sind und keine elektronischen Komponenten enthalten, und solchen, die o ... weiterlesen
optical proximity correction : OPC Optical Proximity Correction (OPC) ist ein Korrekturverfahren von fotolithografischen Belichtungen. Mit dem OPC-Verfahren werden die Randschärfe von lithografischen Strukturen und deren Auflösung ve ... weiterlesen
photonic integrated circuit : PIC Photonisches IC Photonic Integrated Circuit (PIC) sind integrierte optische Schaltkreise in denen verschiedene photonische Funktionen integriert sind. Ein PIC-Chip ist vergleichbar einem elektronischen Integrated C ... weiterlesen
plastic leaded chip carrier : PLCC PLCC-Package Der PLCC-Baustein (Plastic Leaded Chip Carrier) ist ein Kunststoff-Chipträger und entspricht dem Quad Flat J-Lead (QFJ). Er ist quadratisch wie das Quad Flat Package (QFP) und hat nach unten gebogen ... weiterlesen
programmable system on chip : PSoC Das progammierbare System-on-Chip (PSoC) unterscheidet sich gegenüber dem System-on-Chip (SoC) durch eine höhere Funktionalität und die Programmierbarkeit. Ein PSoC-Baustein vereint analoge mit digi ... weiterlesen
physical vapour deposition : PVD Die Dünnschichttechnik kennt das Additivverfahren bei dem die einzelnen Schichten aufgedampft werden. Um Oxidationen und Verunreinigungen zu vermeiden erfolgt die Beschichtung unter Hochvakuum. Bei ... weiterlesen
Package-Abkürzungen package abbreviations Übersicht über gebräuchliche Abkürzungen die die Bauart und Bauform von analogen und digitalenChips betrifft: Antifuse Actel FPGAs BCA, Bare Chip Attach BCP, Bare Chip Processing BCC, BumpChip Ca ... weiterlesen
Packaging packaging Bei der Herstellung von konfektionierten integrierten Schaltungen wird der Die-Chip, das ist der Chipkern, mit einem schützenden Gehäuse umgeben und mit den Anschlusskontakten verbunden. Diesen Vorg ... weiterlesen
Planar planar In der Halbleitertechnik und bei der Herstellung von Chips, Halbleiterspeichern, von analogen und digitalen Bauelementen und Schaltungen wird oft von planarer Herstellung oder planarer Technik ges ... weiterlesen
package on package : PoP PoP-Package Bei Package-on-Package (PoP) handelt es sich um Chips in einem flachen Gehäuse, die aufeinander montiert sind, wie Lego-Bausteine. So können beispielsweise mehrere BGA-Packages miteinander kombinier ... weiterlesen
reliability, avaibility, maintainability, safety : RAMS Reliability, Avaibility, Maintainability und die Safety (RAMS) stehen für Zuverlässigkeit, Verfügbarkeit, Wartbarkeit und Sicherheit. Diese Kennwerte bilden gemeinsam die Verlässlichkeit, Dependab ... weiterlesen
redistributed chip packaging : RCP RCP-Package Redistributed ChipPackage (RCP) ist eine Package-Technologie, die die klassische Halbleiterverdrahtungstechnik für Chips über Metallisierungsebenen benutzt. Sie hat eine höhere Integrationsdichte al ... weiterlesen
redistribution layer : RDL Redistribution bedeutet Umverteilung oder Neuverteilung. Ein Redistribution-Layer ist ein spezieller Layer innerhalb eines Packages, der die I/O-Pads einer integrierten Schaltung für andere Chips au ... weiterlesen
single edge contact : SEC Die SEC-Technik (Single Edge Contact) ist eine Package-Technologie von Intel aus den 90er Jahren, die erstmals beim Pentium Pro 200 eingesetzt wurde. Die Single Edge Contact-Technik vereint die Zent ... weiterlesen
single edge contact cartridge : SECC Single Edge Contact Cartridge (SECC) ist eine spezielle Bauform für Mikroprozessoren, die so genannten Slot-Prozessoren. Die Pozessoren befinden sich auf einer kleinen Steckkarte, die in einem Plastik ... weiterlesen
semiconductor embedded in substrate : SESUB Semiconductor Embedded in Substrate (SESUB) ist eine von TDK entwickelte Substrattechnologie, bei der viele Funktionseinheiten auf einer 3D-Integrationsplattform untergebracht werden. Neben mehreren ... weiterlesen
surface horizontal package : SHP Das SHP-Package (Surface Horizontal Package) ist ein aufgebaut wie ein Single Inline (SIL); es wird aber direkt stehend in SMT-Technik auf das Motherboard gelötet. Die Anschlüsse befinden in einer ... weiterlesen
super large scale integration : SLSI SLSI-Technologie Das Super Large Scale Integration (SLSI) ist eine Angabe über die Integrationsdichte von Chips. Integrierte Schaltungen (IC) in SLSI-Technologie haben zwischen einer Million (10exp6) und zehn Mill ... weiterlesen
small scale integration : SSI SSI-Technologie Die Integrationsdichte von Schaltkreisen in einer integrierten Schaltung wird als Scale Integration bezeichnet. Je nach der Höhe der Dichte setzt man vor dieses Akronym einen oder zwei weitere Kennz ... weiterlesen
Strukturbreite structure width Der Begriff Strukturbreite wird bei integrierten Schaltungen (IC) benutzt und kennzeichnet die technische Realisierbarkeit von der Breite der Strompfade und den dielektrischen Bereichen. Die Struktu ... weiterlesen
Superskalar super scalar Der Begriff superskalar kommt in Prozessor-Architekturen vor und wird für Prozessoren benutzt, die Instruktionen parallel abarbeiten. Dabei handelt es sich in der Regel um die Prozessoren, die die h ... weiterlesen
System-Basis-Chip system basis chip : SBC Unter System-Basis-Chips (SBC) sind monolithische integrierte Chips zu verstehen, die analoge Standardfunktionen wie beispielsweise das Power Management (PM), den Schutz des Systems vor elektromag ... weiterlesen
System-in-Package system in package : SiP Mit System in Package (SiP) werden Halbleiterschaltungen bezeichnet, die in einem Package verschiedene Chips zu einem kompletten elektronischen System vereinen. Bei einem solchen SiP-Package werden ... weiterlesen
System-on-Chip system on chip : SoC Ein System-on-Chip (SoC) ist ein komplettes System auf einem Chip, das verschiedenste Schaltungsteile integriert hat. Ein System-on-Chip ist die Integration von Zentraleinheiten, weiteren Prozessore ... weiterlesen
thin fine-pitch ball grid array : TFBGA TFBGA-Package Das TFBGA-Package (Thin Fine-Pitch Ball Grid Array) ist vergleichbar dem BGA-Package mit dem Unterschied, dass die kugelförmig geformten Lötpunkte an der Package-Unterseite einen geringeren Abstand ... weiterlesen
TO-Leadless-Package TO-leadless Ein TO-Leadless-Package ist ein TO-Package ohne Anschlussbeine für SMT-Technik. Es ist konzipiert für Leistungshalbleiter mit hohen Stromdichten wie Transistoren, MOSFETs, IGBTs und GTO-Thyristore ... weiterlesen
thin small leadless package : TSLP Thin Small Leadless Packages (TSLP) sind kleine und kleinste SMD-Packages für Analogschaltungen. Wie aus der Bezeichnung hervorgeht sind sie äußerst dünn und haben eine Bauhöhe von weit unter einem ... weiterlesen
thin super small leadless package : TSSLP Thin Super Small Leadless Packages (TSSLP) unterscheiden sich von den Thin Small Leadless Packages (TSLP) dadurch, dass sie noch schmaler sind als diese. Wie aus der Bezeichnung hervorgeht sind sie ... weiterlesen
through-silicon via : TSV Silizium-Durchkontaktierung Die Through-Silicon-Via-Technik (TSV) ist eine Durchkontaktierungstechnik auf Silizium-Basis. Die TSV-Technik wird in der Halbleitertechnik bei vertikal angeordneten NANDs, den 3D-NANDs, in Komponen ... weiterlesen
ultra large scale integration : ULSI ULSI-Technologie Ultra Large Scale Integration (ULSI) ist eine Angabe über die Integrationsdichte von Chips. Integrierte Schaltungen (IC) in ULSI-Technologie haben zwischen einhunderttausend (10exp5) und einer Mil ... weiterlesen
UltraCMOS UltraCMOS ist eine patentierte CMOS-Technologie, die vorwiegend in Geräten der Mobilfunktechnik eingesetzt wird. Es handelt sich um eine patentierte Technologie, bei dem ultra-dünnes Silizium (Ultra ... weiterlesen
vertical NAND : V-NAND V-NAND-Flash V-NAND-Flashs sind Speicherchips bei denen die Speicherzellen in vielen vertikalen Lagen angeordnet sind. Durch die Stapeltechnik der Chips übereinander werden die Speicherbausteine äußerst kompakt ... weiterlesen
very-thin fine-pitch ball grid array : VFBGA VFBGA-Package Das VFBGA-Package (Very-Thin Fine-Pitch Ball Grid Array) ist vergleichbar mit dem Thin Fine-Pitch Ball Grid Array (TFBGA) mit dem Unterschied, dass die kugelförmig geformten Lötpunkte an der Package ... weiterlesen
very large scale integration : VLSI VLSI-Technologie Very Large Scale Integration (VLSI) ist eine Technik für integrierte Schaltungen (IC), die sich durche eine hohe Integrationsdichte auszeichnet. VLSI-Bausteine haben zehntausend (10exp4) bis einhund ... weiterlesen
vision system on a chip : VSoC Vision System on Chip (VSoC) sind komplette Systeme, die sich auf einem Chip befinden, die allerdings im Gegensatz zu System-on-Chip (SoC) auch die Nachbearbeitung der erfassten Informationen umfass ... weiterlesen
wafer level packaging : WLP Das WaferLevelPackaging (WLP) unterscheidet sich vom konventionellen Packaging von integrierten Schaltungen dadurch, dass alle Prozesse direkt auf dem Wafer erfolgen und erst nach dem Packaging di ... weiterlesen
Wafer wafer Ein Wafer ist eine flache ca. 1 mm dünne runde Scheibe aus einem Halbleitermaterial, die die Basis für integrierte Schaltungen (IC) bildet. Der Wafer wird mit Diamantsägen aus mono- oder multikristall ... weiterlesen
zigzag inline package : ZIP Die ZIP-Bauweise (Zigzag Inline Package) entspricht im Wesentlichen dem Single Inline Package (SIP). Im Gegensatz zu diesem sind die in Reihe liegenden Anschlussstifte in einer Zick-Zack-Linie nach ... weiterlesen
pitch Rastermaß : RM Als Pitch wird bei Chips, Packages und elektronischen Bauteilen das Rastermaß (RM) zwischen den Bauelementeanschlüssen bezeichnet, ebenso der Lochabstand von Leiterplatten, der Kontaktabstand von Ve ... weiterlesen