Integrationsdichte

Die Integrationsdichte, Integration Density, ist eine Bezeichnung aus der Chip-Technologie. Dank einer rasanten technologischen Entwicklung der integrierten Schaltung konnte die Schaltkreisdichte auf einem Chip seit der Vorstellung der ersten Chips um viele Zehnerpotenzen gesteigert werden. Konkret hat sich die Anzahl der Transistoren von unter 100 pro Chip in den 70er Jahren auf über eine Milliarde (10exp9) im Jahr 2011 gesteigert.


Diese Entwicklung konnte nur durch die Verringerung der Strukturbreiten in den integrierten Schaltungen erzielt werden. Betrug diese Ende der 60er-Jahre noch 10 µm, so lag sie bereits Ende der 70er-Jahre bei 3 µm, in den Achtzigern bei 1 µm und Ende der neunziger bei nur 0,18 µm. Neuere Techniken arbeiten mit 300-mm-Siliziumwafer und einer Strukturbreite von 65 nm, 45 nm, 32 nm, 22 nm und seit 2014 auch mit 14 nm.

Die Integrationsdichte von Chips

Die Integrationsdichte von Chips

Zur Klassifizierung der Integrationstechnologie hat man das Akronym von Scale Integration (SI) um Begriffe wie Large (L) und Ultra Large (UL) erweitert, daraus resultieren die Abkürzungen SSI für Small Scale Integration, MSI ( Medium), LSI (Large), VLSI (Very Large), ULSI (Ultra Large), SLSI (Super Large), ELSI (Extra Large), GSI ( Giga), GLSI (Giant Large), und darüber hinaus hat man jeder Technologie eine Anzahl von Transistorschaltungen zugewiesen. Die Grenzen sind dabei fließend, bieten aber hinreichend Anhaltspunkte für die Anzahl der Transistoren, die sich auf einem Chip befinden.

Informationen zum Artikel
Deutsch: Integrationsdichte
Englisch: integration density
Veröffentlicht: 26.02.2014
Wörter: 212
Tags: #Chip-Technologien
Links: Akronym, Aufzeichnungsdichte, Chip, ELSI (extra large scale integration), G (giga)