Charge-Trap-Flash (CTF) ist eine Technologie für Speicherzellen, vergleichbar dem Floating-Gate. Der Vorteil dieser Technologie ist darin zu sehen, dass sich die einzelnen Speicherzellen der CTF- Speicher nicht gegenseitig beeinflussen, wie beim Floating-Gate-Speicher, und dass mit der CTF-Technologie eine höhere Speicherdichte erzielt werden kann.
Vom Aufbau her ähnelt die CTF-Technik der Floating-Gate-Technologie. Wobei lediglich das Floating-Gate durch den Charge Trap Layer ersetzt wird. Die Elektronen und Elektronenlöcher werden auf dem Charge Trap Layer aus Siliziumnitrid gehalten. Diese Schicht ist durch eine dünne Oxidschicht, dem Tunnel-Oxid, vom Siliziumsubstrat getrennt. Da das Control-Gate ein höheres positives Potential hat, gelangen die Elektronen über den Kanal zwischen Drain und Source und über die Tunnel-Oxid-Schicht auf den Charge Trap Layer, von wo sie nicht abfließen können.
Eingesetzt wird die CTF-Technologie vorwiegend bei NAND-Flashs.