Halbleiter haben zwischen dem Transistorkanal und dem Gate ein Dielektrikum aus einem Oxid. Um hohe Schaltgeschwindigkeiten erreichen zu können, sollte ein solches Dielektrikum sollte äußerst dünn sein.
#0 Die Materialien für das Oxid sind High-k-Dielektrika, sobald deren Permittivität den Wert von 4 übersteigt. In der Halbleitertechnik hat sich als Vergleichsmaß die äquivalente Oxiddicke, Equivalent Oxide Thickness (EOT), bewährt. Der EOT-Wert ist ein Vergleichswert, der angibt wie dick eine Siliziumdioxidschicht sein müsste, um dieselben Dielektrizitätskonstanten aufzuweisen, wie das High-k-Dielektrikum.