CTF (charge trap flash)

Charge-Trap-Flash (CTF) ist eine Technologie für Speicherzellen, vergleichbar dem Floating-Gate. Der Vorteil dieser Technologie ist darin zu sehen, dass sich die einzelnen Speicherzellen der CTF-Speicher nicht gegenseitig beeinflussen, wie beim Floating-Gate-Speicher, und dass mit der CTF-Technologie eine höhere Speicherdichte erzielt werden kann.

Aufbau eines Charge-Trap-Flash (CTF)

Aufbau eines Charge-Trap-Flash (CTF)

Vom Aufbau her ähnelt die CTF-Technik der Floating-Gate-Technologie. Wobei lediglich das Floating-Gate durch den Charge Trap Layer ersetzt wird. Die Elektronen und Elektronenlöcher werden auf dem Charge Trap Layer aus Siliziumnitrid gehalten. Diese Schicht ist durch eine dünne Oxidschicht, dem Tunnel-Oxid, vom Siliziumsubstrat getrennt. Da das Control-Gate ein höheres positives Potential hat, gelangen die Elektronen über den Kanal zwischen Drain und Source und über die Tunnel-Oxid-Schicht auf den Charge Trap Layer, von wo sie nicht abfließen können.

Eingesetzt wird die CTF-Technologie vorwiegend bei NAND-Flashs.

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Deutsch:
Englisch: charge trap flash - CTF
Veröffentlicht: 07.09.2017
Wörter: 138
Tags: Chip-Technologien
Links: Floating-Gate-Transistor, Kanal, NAND-Flash, Schicht, Siliziumnitrid