Tag-Übersicht für Aktive Bauelemente

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104 getagte Artikel
active matrix OLED : AMOLED
Aktivmatrix-OLEDs (AMOLED) sind Dünnschicht-Displays. Sie haben bessere technische Eigenschaften als Passivmatrix-OLEDs, sind aber komplizierter herzustellen, weil jede einzelne OLED eine eigene Str ... weiterlesen
Abstimmbarer Laser
tunable laser
Abstimmbare Laser, Tunable Laser, werden im Wellenlängenmultiplex (WDM) und in Dense Wavelength Division Multiplexing (DWDM) als Ersatzlaser eingesetzt. In der DWDM-Technik wird mit hundert und mehr ... weiterlesen
breakthrough in small signal : BISS
Bisher waren in Schaltanwendungen Bipolartransistoren in mehreren Belangen MOSFETs unterlegen. Dank neuerer Entwicklungen und erheblicher Verbesserungen des Sättigungswiderstands und des Leistungssp ... weiterlesen
Barritt diode
Barritt-Diode
Eine Barritt-Diode (Barrier Injection Transit TimeDiode) ist eine Hochfrequenzdiode für Super High Frequencies (SHF), vergleichbar der IMPATT-Diode. Sie besteht aus einer Halbleiterplatte, auf den ... weiterlesen
breakover diode : BoD
Breakover-Diode
Eine Breakover-Diode (BoD) entspricht funktional einer Suppressordiode. Es ist ein Überspannungsableiter. Eine BoD-Diode hat eine feste Durchbruchspannung von einigen hundert Volt bis zu einigen K ... weiterlesen
charge coupled device : CCD
CCD-Sensor
Charge Coupled Devices (CCD) sind Halbleiter-Arrays, die Lichtsignale in elektrische Signale wandeln. CCD-Komponenten werden als Bildsensoren in Digitalkameras, digitalenVideokameras, Camcordern und ... weiterlesen
correlated color temperature : CCT
Die korrelierte Farbtemperatur, Correlated Color Temperature (CCT), beschreibt die relative Farbtemperatur einer weißen Lichtquelle. Die Abstufungen von Weiß reichen von Kaltweiß über Neutralweiß bi ... weiterlesen
CMOS-Sensor
CMOS sensor
Der CMOS-Sensor ist ein Bildsensor, der in Digitalkameras und Camcordern eingesetzt wird. Ebenso wie CCD-Sensoren sind CMOS-Sensoren lichtempfindliche Bauteile, die das auf sie fallende Licht in Spa ... weiterlesen
carrier stored trench-gate bipolar transistor : CSTBT
Seit der Einführung der Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) wurden diese ständig weiterentwickelt, sie wurden kompakter und leistungsfähiger. Der Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor ( ... weiterlesen
direct copper bonding : DCB
Direct CopperBonding (DCB) steht für direkte Kupferbeschichtung. Es ist ein Verfahren mit dem Keramik mit Kupfer beschichtet wird und bei dem das Kupfer fest mit der Keramik verbunden ist. Bei der ... weiterlesen
DFB-Laser
distributed feedback laser : DFB
Ein Distributed FeedbackLaser (DFB) ist ein kantenemittierender Laser, ein Edge Emitting Laser (EEL). Er zeichnet sich durch seine extrem hohe spektrale Reinheit aus, was sich in einer sehr geringen ... weiterlesen
diode alternating current switch : DIAC
Der DIAC (DiodeAlternating CurrentSwitch) ist ein bidirektionaler Halbleiterschalter zum Schalten von niedrigen Strömen. Es handelt sich um eine dreischichtige Diode, üblicherweise PNP, mit einem ... weiterlesen
diode outline : DO
Das DO-Package, DO steht für Diode Outline, ist ein standardisiertes Gehäuseformat für Dioden. Es ist zylindrisch aufgebaut, besteht aus Glas, Plastik oder Metall und wird für Kleinsignal- und für L ... weiterlesen
Darlington-Transistor
darlington pair
Beide Bezeichnungen, die des Darlington-Transistors als auch die der Darlington-Schaltung sind korrekt, weil es sich um ein elektronisches Bauelement oder um eine elektronische Schaltung handelt, di ... weiterlesen
Dreifarbige LED
tri-color LED
Dreifarbige Leuchtdioden bestehen aus drei unifarbenen LEDs, die in einem Gehäuse untergebracht sind. Normalerweise sind es die FarbenRot (R), Grün (G) und Blau (B). Das hat den Sinn, dass man dur ... weiterlesen
Elektrolumineszenz-Folie : EL-Folie
electroluminescence
Elektrolumineszenz ist ein Phänomen bei dem bestimmte Materialien bei Anlegen eines elektrischen FeldesLicht emittieren. Das Material wird durch die elektrischen Feldlinien angeregt was dazu führt, da ... weiterlesen
emission layer : EML
Die Lichtemission von OLEDs basiert auf Elektrolumineszenz. Wird an eine OLED eine Durchlassspannung gelegt, werden als Ladungsträger Fehlelektronen (Löcher) und Elektronen eingespeist. Diese injizi ... weiterlesen
electron multiplier tube : EMT
Sekundärelektronenvervielfacher : SEV
Sekundärelektronenvervielfacher (SEV) nutzten den Effekt, dass bestimmte Materialen beim Auftreffen von Elektronen Sekundärelektronen emittieren. Je nach Material, Beschleunigungsspannung und Eintri ... weiterlesen
electron transport layer : ETL
Elektronenleitungsschicht
Der Electron Transport Layer (ETL) ist eine von mehreren Schichten, aus denen OLEDs aufgebaut sind. Die Elektronenleitungsschicht liegt vor der Kathode und leitet die von der Kathode injizierten Ele ... weiterlesen
field effect transistor : FET
Feldeffekttransistor
Der Feldeffekttransistor (FET) wurde bereits 1947 von den amerikanischen Physikern Bardeen und Shockley entwickelt. Feldeffekttransistoren unterscheiden sich wesentlich von den bipolaren Transistore ... weiterlesen
flexible OLED : FOLED
Ein flexible Organic Light Emitting Diode (FOLED) ist ein OLED-Display, das auf flexibles Basismaterial aufgebracht ist. Das kann ein transparenter Film, biegsames Plastik oder eine metallisierte Fo ... weiterlesen
FPL-Laser
fabry perot laser : FPL
Aufbau des Fabry-Perot-Lasers Fabry-Perot-Laser (FPL) sind Laserdioden, die ihre maximale Leistung bei Wellenlängen von 1.300 nm haben. Die spektrale Breite ihrer Strahlung liegt bei 7 nm. Fabry-P ... weiterlesen
fixed pattern noise : FPN
Fixed Pattern Noise (FPN) ist ein spezielles Rauschmuster von Bildsensoren, das bei längeren Belichtungszeiten sichtbar wird. Dieses räumlich bedingte Grundrauschen wird durch das unterschiedliche A ... weiterlesen
fast recovery diode : FRD
Eine Fast RecoveryDiode (FRD) ist eine Diode mit PN-Übergang, die extrem kurzzeitig zwischen Durchlass- und Sperrbetrieb umschalten kann. Bei diesen Dioden, zu denen auch Ultra Fast Recovery Diodes ... weiterlesen
ferroelectric field effect transistor : FeFET
Ein Ferro FET (FeFET) kann als MOSFET betrachtet werden, bei dem die Metalloxidschicht zwischen Gate und Drain und Source durch eine ferroelektrische Schicht ersetzt wird. FeFETs werden für ferroele ... weiterlesen
FinFET
FinFET
FinFETs gehören zu der Gruppe der Multiple Gate Field Effect Transistors (MuGFET), einer Gruppe von Feldeffekttransistoren mit mehreren Gates, einer Technik, die federführend von IBM und Motorola en ... weiterlesen
Fotodetektor
photodetector : PD
Unter einem Fotodetektor (PD) versteht man in der Lichtwellenleitertechnik das Empfangselement, mit dem das übertragene Licht in elektrische Signale gewandelt wird. Man unterscheidet dabei zwischen ... weiterlesen
Fotomultiplier
photo multiplier : PMT
Fotomultiplier, Photo Multiplier (PMT), sind hochempfindliche Lichtsensoren, die mit Sekundärelektronenvervielfacher (SEV) arbeiten und kleinste Lichtsignale in elektrische Spannungen umwandeln. De ... weiterlesen
Fototransistor
photo transistor
Der Fototransistor basiert ebenso wie die Fotodiode auf dem Photoeffekt. Dieser Effekt bewirkt, dass sich die Eigenschaften einer Halbleiterstrecke bei Lichteinfall durch das Aufprallen von Photonen ... weiterlesen
gate turn-off thyristor : GTO
GTO-Thyristor
GTO-Thyristoren (Gate Turn-Off Thyristor) sind Leistungs-Schaltthyristoren. Sie sind wie normale Thyristoren als Vierschicht-Halbleiter aufgebaut, allerdings haben die einzelnen positiv und negativ ... weiterlesen
heterojunction bipolar transistor : HBT
HBT-Transistor
Der Heterojunction BipolarTransistor (HBT) ist ein verbesserter Bipolar Junction Transistor (BJT), der höchste Frequenzen bis zu mehreren hundert Gigahertz (GHz) verarbeiten kann. Es handelt sich ... weiterlesen
high electron mobility transistor : HEMT
HEMT-Transistor
Für die Verstärkung von Mikrowellen werden besonders rauscharme Transistoren benötigt. Der High Electron Mobility Transistor (HEMT) ist ein solcher Feldeffekttransistor (FET), der auch als Heterojun ... weiterlesen
hole injection layer : HIL
Der Hole Injection Layer (HIL) ist eine von mehreren Schichten von selbstleuchtenden Organic Light Emitting Diodes (OLED). Die HIL-Schicht ist direkt auf der Anode aufgebracht, der Ladungstransport ... weiterlesen
hole transport layer : HTL
Lochleitungsschicht
Organic Light Emitting Diodes (OLED) sind schichtenweise aufgebaut. Diese Schichten sind für die Injizierung und den Transport der Ladungsträger zuständig. Wie bei Halbleitern dienen als Ladungsträg ... weiterlesen
Halbleiterlaser
semiconductor laser
Halbleiterlaser bestehen aus Gallium- und Indium-Verbindungen. Ihre Lichtemission basiert auf ihrer direkten Bandlücke, wohingegen Halbleiter wie Silizium durch ihre indirekte Bandlücke keine Lichte ... weiterlesen
Hochspannungs-IC
high-voltage integrated circuit : HVIC
High-Voltage Integrated Circuits (HVIC) sind monolithische Hochspannungs-ICs für Spannungen von 500 V und höher. Diese integrierten Schaltungen werden in der Motorsteuerung, in Treiber-Schaltungen, ... weiterlesen
insulated gate bipolar transistor : IGBT
Insulated Gate BipolarTransistors (IGBT) sind Leistungshalbleiter, die in der Leistungselektronik, Energie- und HGÜ-Technik eingesetzt werden. Sie wurden 1979 erstmals vorgestellt und haben sich z ... weiterlesen
integrated gate commutated thyristor : IGCT
IGCT-Thyristor
Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCT) sind Schaltkomponenten der Leistungselektronik. Ein IGCT-Thyristor entspricht funktional dem GTO-Thyristor, Gate Turn Off. Es ist ein steuerbarer Leistun ... weiterlesen
isolated gate FET : IGFET
Der Isolated Gate FET (IGFET) unterscheidet sich von anderen Feldeffekttransistoren dadurch, dass er eine isolierende Schicht zwischen Gate und dem Source-Drain-Kanal hat. Die Leitfähigkeit des Stro ... weiterlesen
IGBT high power module : IHM
IGBT High-Power Module (IHM) sind kompakte Module aus Leistungshalbleitern, die als Hochleistungsschalter in Wechselrichtern, der Leistungselektronik sowie der Energie- und HGÜ-Technik eingesetzt we ... weiterlesen
ILD-Laser
injection laser diode : ILD
Die ILD-Laserdiode (Injection Laser Diode) wird auch als Halbleiter-Laserdiode bezeichnet, weil sie einen speziell gedopten Übergang zwischen einer P-Schicht und einer N-Schicht für die kohärente Li ... weiterlesen
intelligent power module : IPM
Intelligent Power Modules (IPM) sind intelligente Versorgungskomponenten, die vor allem im Hochleistungsbereich eingesetzt werden. So in der Solar- und Windenergie, in Schienenfahrzeugen, Aufzügen u ... weiterlesen
ion-sensitive field effect transistor : ISFET
Ionensensitiver Feldeffekttransistor
Ionensensitive Feldeffekttransistoren (ISFET) sind Sensoren für chemische Lösungen. Sie basieren darauf, dass sich die elektrische Leitfähigkeit des Feldeffekttransistors (FET) durch den pH-Wert von ... weiterlesen
Infrarot-LED
infrared LED : IR-LED
Infrarot-LEDs (IR-LED) emittieren Infrarotlicht mit Wellenlängen zwischen 700 nm und 1.000 nm, dem sogenannten Near Infrared Bereich. Dieser Infrarotbereich liegt oberhalb des sichtbaren Rotbereichs ... weiterlesen
Infrarotsensor
infrared detector
Ein Infrarotsensor detektiert Infrarotlicht (IR). Ein solcher Sensor besteht aus einem temperaturempfindlichen Pyrosensor aus Lithium-Tantalat (LiTaO3), der auf Temperaturänderungen reagiert und dab ... weiterlesen
junction field-effect transistor : JFET
Junction-FET
Der Junction Field-Effect Transistor (JFET) hat einen äußerst einfachen Aufbau und einen hohen Eingangswiderstand, der geringer ist als der des MOSFET. Darin ist auch der Grund zu sehen, warum JFETs ... weiterlesen
Kapazitäts-Digital-Wandler
capacity digital converter : CDC
Capacity to DigitalConverter (CDC) ist ein Wandler, der Kapazitäten in Spannungen wandelt und auf dem Verfahren des Sigma-Delta-Wandlers basiert. Beim CDC-Verfahren tritt anstelle der unbekannten Sp ... weiterlesen
Klystron
klystron
Klystrone werden zur Erzeugung und Verstärkung von Mikrowellen benutzt. Es handelt sich um Elektronenröhren mit Resonatoren. Ein Klystron besteht aus einem Elektrodensystem mit Kathode, die die Elek ... weiterlesen
light activated silicon controlled rectifier : LASCR
Light Activated Silicon Controlled Rectifier (LASCR) sind durch Licht aktivierte Thyristoren (SCR), Light Activated SCRs, die auch als Light Triggered Thyristor (LTT) bezeichnet werden. Sobald das a ... weiterlesen
lateral diffused metal oxid semiconductor : LDMOS
LDMOS-Transistor
Lateral Diffused Metal Oxid Semiconductor (LDMOS) sind Leistungshalbleiter, die in HF-Leistungsverstärkern zur Verstärkung der Sendesignale im Mikrowellenbereich eingesetzt werden, u.a. in Basisst ... weiterlesen
light-emitting electrochemical cell : LEC
Light-Emitting Electrochemical Cells (LEC), lichtemittierende elektrochemische Zellen, sind Leuchtmittel, die einfacher aufgebaut sind und kostengünstiger hergestellt werden können als Leuchtdioden ... weiterlesen
LED-Lebensdauer
LED lifetime
Die Lebensdauer von Leuchtdioden bezieht sich auf die Lichtausbeute über die Betriebsdauer. Mit der Dauer des Einsatzes reduziert sich die Lichtstärke der Leuchtdiode. Sie wird also über die Einsatz ... weiterlesen
light triggered thyristor : LTT
Lichtgesteuerter Thyristor
Ein Light Triggered Thyristor (LTT) ist ein lichtgesteuerter Schalter, ein Light-Activated Switch (LAS). LTT-Thyristoren werden durch Lichtsignale getriggert und vorwiegend in der Hochspannungstechn ... weiterlesen
light amplification by stimulated emission : Laser
Das physikalische Phänomen des Lasers (LightAmplification by Stimulated Emission) basiert auf dem optischen Energieaustausch, der zuerst mit Gaslasern nachgewiesen werden konnte. Bei diesem Phänomen ... weiterlesen
Laserdiode
laser diode : LD
Laserdioden (LD) sind Halbleiterlaser für die Optoelektronik, die in der optischen Übertragungstechnik eingesetzt werden. Sie bestehen aus dotierten Halbleiterschichten, häufig aus einem Substrat au ... weiterlesen
Laserklasse
laser class
Das Gefährdungspotential von Lasern für die Gesundheit und das Augenlicht wird in Laserklassen eingeteilt. Da es Laser mit sichtbaren Wellenlängen gibt, andere mit nichtsichtbaren, sind beim Betrieb ... weiterlesen
Leistungshalbleiter
power semiconductor
Leistungshalbleiter sind Halbleiter-Bauelemente, die speziell für das Schalten von hohen Strömen und Spannungen entwickelt wurden. Während konventionelle HalbleiterStröme unter 1 A und Spannungen vo ... weiterlesen
Leuchtdiode
light emitting diode : LED
Eine Leucht- oder Lumineszenzdiode (LED) ist ein Halbleiterbauelement der Optoelektronik, das nach dem Prinzip der Elektrolumineszenz Licht emittiert. Die Elektrolumineszenzdiode wandelt durch elekt ... weiterlesen
MOS controlled thyristor : MCT
MCT-Thyristor
Wie der GTO-Thyristor ist auch der MCT-Thyristor (MOS Controlled Thyristor) ein Thyristor-Schalter, der aus dem GTO-Thyristor entwickelt wurde. Der GTO-Thyristor benötigt eine umfassendere Steuerele ... weiterlesen
metal semiconductor field effect transistor : MESFET
Ein MESFET (Metal SemiconductorField Effect Transistor) ist ähnlich aufgebaut wie ein Junction Field-Effect Transistor (JFET). Der Unterschied zwischen beiden besteht darin, dass der MESFET anstelle ... weiterlesen
metal insulator semiconductor field effect transistor : MISFET
MOSFETs gibt es in verschiedenen Varianten wie den Metal Semiconductor Field Effect Transistor (MESFET), Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor (MISFET), Junction Field-Effect Transisto ... weiterlesen
monolithic microwave integrated circuit : MMIC
Wie aus der Bezeichnung MonolithicMicrowaveIntegrated Circuit (MMIC) hervorgeht, handelt es sich um ein monolithische Technologie mit denen integrierte Mikrowellenschaltungen hergestellt werden könn ... weiterlesen
metal oxide semiconductor field effect transistor : MOSFET
MOS-Feldeffekttransistor
MOSFET beschreibt einen Feldeffekttransistor in MOS-Technologie. Mit der MOS-Technologie können Transistoren hergestellt werden deren Steuerelektrode durch eine Metalloxydschicht vom Basismaterial ... weiterlesen
Magnetron
magnetron
Magnetrone sind elektronische Bauelemente für die Generierung von Mikrowellen. Es handelt sich um Vakuumröhren, bestehend aus Kathode, Hohlraumresonatoren und Anode, die von einem Permanentmagneten ... weiterlesen
multiple gate field effect transistor : MuGFET
Multiple Gate Field Effect Transistor (MuGFET) ist eine spezielle Ausführung an MOSFETs, mit mehr als einem Gate. Ein bekannter Vertreter dieser Mehrfach-Gate-Feldeffekttransistoren ist der FinFET m ... weiterlesen
organic FET : OFET
Organischer Feldeffekttransistor
Organische Feldeffekttransistoren (OFET) haben die gleichen Elektroden mit den gleichen Bezeichnungen wie anorganische, auf Silizium basierende Feldeffekttransistoren (FET), nämlich die Source, die ... weiterlesen
optical integrated circuit : OIC
Optische integrierte Schaltung : OIS
Ein Optical Integrated Circuit (OIC) ist eine integrierte Schaltung von optischen Komponenten auf einem Substrat. In den Anfangsjahren der OIC-Entwicklung, die in die 60er Jahre zurückreicht, wurden ... weiterlesen
organic light emitting diode : OLED
Organic Light Emitting Diode (OLED) ist eine Weiterentwicklung der Leuchtdiode (LED) für die Display-Technik. Im Unterschied zu LEDs bestehen die farbig selbstleuchtenden OLEDs aus organischen Halbl ... weiterlesen
Organischer Transistor
organic transistor
Organische Transistoren bzw. organische Feldeffekttransistoren sind Produkte der Polytronik. Bestimmten Kunststoffen können durch Dotierung die Eigenschaften von Leitern, Halbleitern und Nichtleiter ... weiterlesen
power conversion efficiency : PCE
Power Conversion Efficiency (PCE) ist ein Kennwert von Solarzellen und Leuchtdioden, in dem sich die Energieeffizienz ausdrückt. Der PCE-Wert ergibt sich aus dem Verhältnis der Ausgangsleistung zur ... weiterlesen
phosphorescent organic light emitting diode : PHOLED
Phosphorescent Organic Light Emitting Diode (PHOLED) sind phosphoreszierende OLEDs, die wie alle anderen OLEDs auf der Lichtemission von organischen Halbleitern basieren. PHOLEDs haben eine höhere L ... weiterlesen
polymer light emitting diode : PLED
Polymer Light Emitting Diode (PLED) sind wie Light Emitting Polymer (LEP) oder Organic Light Emitting Diodes (OLED) farbig leuchtende auf Polymeren basierende Komponenten für Displays. PLEDs haben ... weiterlesen
passive matrix OLED : PMOLED
Im Gegensatz zu den Active Matrix OLEDs (AMOLED) haben Passive Matrix OLEDs (PMOLED) keine Dünnschichttransistoren für die Aktivierung. Die einzelnen Elektroden der PMOLEDs - die Anode, die organisc ... weiterlesen
Pumplaser
pump laser
Ein Pumplaser ist ein Laser, der einen Pumpstrahl erzeugt, mit dem das Energieniveau der Bandlücke von Halbleiterlasern überbrückt werden kann. Damit ein Halbleiterlaser einen Lichtstrahl erzeuge ... weiterlesen
resonant cavity LED : RC-LED
Die Resonant Cavity LED (RC-LED) ist eine Leuchtdiode, die mit einem Resonanzkörper arbeitet und sich gegenüber der normalen Leuchtdiode durch eine geringere spektrale Bandbreite auszeichnet. Die RC ... weiterlesen
Raumladungszone : RLZ
depletion region
Die Raumladungszone (RLZ) ist der Bereich, der sich im pn-Übergang zwischen zwei unterschiedlich dotierten Halbleitern aufbaut: einem positiv dotiertem und einem negativ dotiertem. Dieser Bereich wird ... weiterlesen
super barrier rectifier : SBR
SBR-Diode
Super Barrier Rectifier (SBR) sind Dioden, die sich durch eine äußerst niedrige Durchlassspannung und Verlustleistung auszeichnen. Sie werden in Gleichrichtern eingesetzt und vertragen im Gegensatz ... weiterlesen
silicon controlled switch : SCS
Der Silicon Controlled Switch (SCS) ist ein Vierschicht-Bauelement, vergleichbar einem Thyristor oder dem GTO-Thyristor. Im Gegensatz zu den genannten hat der SCS-Thyristor zwei steuerbare Gate-An ... weiterlesen
static induction transistor : SIT
Der Static InductionTransistor (SIT) ist ein leistungsstarker Transistor. Der SIT-Transistor hat durch seinen Aufbau eine sehr geringe Gate-Kapazität und einen geringen Gate-Reihenwiderstand und wei ... weiterlesen
super junction MOSFET : SJ-MOSFET
Super Junction MOSFETs (SJ-MOSFET) sind Hochleistungs-MOSFETs, die für die Schaltung von höheren Leistungen und Spannungen ausgelegt sind und in Spannungsumformern eingesetzt werden. Im Gegensatz zu ... weiterlesen
super junction transistor : SJT
SJT-Transistor
Super Junction Transistoren (SJT) sind stromgesteuerte Leistungstransistoren für Spannungen bis 10 kV und darüber. Bedingt durch ihre geringe Gate-Kapazität haben SJT-Transistoren extrem kurze Schal ... weiterlesen
SMD-LED
SMD LED
SMD-LEDs sind kleine, kompakte Leuchtdioden, die mittels SMT-Technik (Surface Mounted Technology) in Oberflächenmontage direkt auf gedruckte Leiterplatten montiert werden können. SMD-LEDs sind recht ... weiterlesen
small molecule OLED : SMOLED
Bei der Entwicklung von Organic Light Emitting Diodes (OLED) werden zwei unterschiedliche Materialtechnologien verfolgt: Die eine arbeitet mit kleinsten Molekülen und nennt sich Small Molecules OLED ... weiterlesen
safe operating area : SOA
Die Safe Operating Area (SOA) ist der sichere Arbeitsbereich in dem Halbleiterbauelemente ohne Beschädigung betrieben werden können. Der SOA-Bereich spielt vorwiegend bei Leistungshalbleitern, bei M ... weiterlesen
stacked OLED : SOLED
Die SOLED-Technologie ist eine Display-Technik, die sich von der Anordnung der Organic Light Emitting Diodes (OLED), gegenüber anderen OLED-Diplays unterscheidet. Bei der Stacked-OLED-Technologie s ... weiterlesen
small outline transistor : SOT
SOT-Package
Das SOT- oder SO-Gehäuse (Small OutlineTransistor) ist das Standardgehäuse für Dioden und Transistoren. Es wurde bereits in den 70er Jahren für die SMT-Technik entwickelt und in der Konsumelektron ... weiterlesen
solid state lighting : SSL
Die Bezeichnung Solid State Lighting (SSL) ist der Oberbegriff für alle Leuchtkomponenten, die auf Halbleiterbasis arbeiten und infolge von Elektrolumineszenzerscheinungen Licht emittieren. Darunter ... weiterlesen
transistor outline : TO
TO-Package
Das TO-Package, TO steht für Transistor Outline, ist eines der ersten standardisierten Transistorgehäuse. Die Vereinheitlichung der Packageformate hat zur Kostensenkung und zu verbesserten Bestückun ... weiterlesen
transparent OLED : TOLED
Im Gegensatz zu den Standard-OLEDs sind bei transparenten OLEDs (TOLED) alle Schichten - das Substrat, die Anode, die Löcher transportierenden Schichten, die emittierende Polymerschicht und die Kath ... weiterlesen
triode alternating current switch : TRIAC
Ein TRIAC (Triode Alternating CurrentSwitch) ist ein elektronisches Bauelement, das einer Parallelschaltung zweier Thyristoren entspricht, von denen einer allerdings in gegengesetzte Richtung gescha ... weiterlesen
Thyristor
silicon controlled rectifier : SCR
Der Thyristor (SCR), auch Vierschichtdiode, Thyristordiode, Kippdiode oder Silicon Controlled Rectifier (SCR) genannt, ist ein Halbleiterbauelement, das als elektronischer Schalter eingesetzt wird. ... weiterlesen
Transistor
bipolar junction transistor : BJT
Transistoren sind aktive elektronische Halbleiterbauelemente, die in Verstärkern, Repeatern, Transpondern und anderen Netz- und Übertragungskomponenten eingesetzt werden; aber auch in Mikroprozessor ... weiterlesen
ultra high brightness : UHB
Die Bezeichnung Ultra High Brightness (UHB) wird für extrem hell leuchtende Leuchtdioden, TFT- und LED-Displays benutzt. Bei den Leuchtdioden handelt sich um Power-LEDs mit hohem Lichtstrom, die ü ... weiterlesen
UV-Leuchtdiode
ultraviolet light emitting diode : UV-LED
UV-Leuchtdioden (UV-LED) leuchten ultraviolett. Der UV-Bereich ist nach DIN 5031 unterteilt in die Wellenlängenbereiche UV-A mit Wellenlängen zwischen 315 nm und 380 nm, UV-B zwischen 280 nm und 315 ... weiterlesen
Ultraschallschweißen
Das Ultraschallschweißen (US-Schweißen) ist eine Verbindungstechnik, die u.a. in der Leistungselektronik bei Leistungshalbleitern eingesetzt wird. Da Lötverbindungen mit Weichlot den gestiegenen B ... weiterlesen
vertical cavity surface emitting laser : VCSEL
VCSEL-Laser
VCSEL-Laser (Vertical Cavity Surface Emitting Laser) gehören zu den oberflächenemittierenden Lasern. Es sind kleine Hochleistungslaser, die in der optischen Übertragungstechnik und in optischen Spei ... weiterlesen
Verbindungshalbleiter
compound semiconductor
Verbindungshalbleiter, Compound Semiconductors, unterscheiden sich von den Elementarhalbleitern dadurch, dass sie aus zwei oder mehr chemischen Verbindungen von verschiedenen chemischen Elementen be ... weiterlesen
Verzögerungsleitung
delay line
Verzögerungsleitungen sind elektronische Komponenten mit denen Signale um eine bestimmte Zeit verzögert werden können. Sie werden überall dort eingesetzt, wo Signale mit Phasenverschiebungen oder Ve ... weiterlesen
wide bandgap semiconductor : WBG
Wide-Bandgap-Halbleiter
Wide Bandgap Semiconductors (WBG) sind Halbleiter mit großer Bandlücke. Der Energieabstand der Bandlücke zwischen Valenzband und Leitungsband liegt bei diesen Verbindungshalbleitern zwischen 2 Elekt ... weiterlesen
white LED : WLED
Weiße LED
Die Spektralcharakteristiken von Leuchtdioden (LED) haben bei bestimmten Farben ihr Maximum. Das können die Farben Rot, Grün oder Orange sein, aber nicht Weiß. Das für Weiß erforderliche breite We ... weiterlesen
white organic light emitting diode : WOLED
Organic Light Emitting Diodes (OLED) sind eine Weiterentwicklung der Leuchtdioden (LED), bestehen aber im Gegensatz zu diesen aus organischen Halbleitern. OLEDs emittieren einfarbiges Licht. Da in d ... weiterlesen
Wanderwellenröhre
travelling wave tube : TWT
Wanderwellenröhren, Travelling Wave Tube (TWT), oder Wanderfeldröhren sind Laufzeitröhren und werden zur Verstärkung von Mikrowellen verwendet und in Satelliten zur Signalverstärkung eingesetzt. Ein ... weiterlesen
Zhaga
Zhaga ist ein 2010 initiiertes Konsortium, das sich um die Belange der LED-Beleuchtung und deren Vereinheitlichung kümmert. Es ist weltweit aktiv und hatte Ende 2012 bereits über 200 Mitgliedsfirmen ... weiterlesen
Zweifarbige LED
bi-color LED
Zweifarbige LEDs sind die gleichen Leuchtdioden wie einfarbige, mit dem Unterschied, dass in einem Gehäuse zwei LEDs mit verschiedenen Farben untergebracht sind. Sie haben die gleichen Charakteristi ... weiterlesen