Multi Level Cell (MLC) ist eine Ausführungsform von Flashspeichern. Im Gegensatz zu Single Level Cells (SLC), die nur einen Zustand speichern können, gibt es Multi Level Cells, die zwei bis vier Informationsbits in einer MLC-Zelle speichern können. Sie arbeiten mit mehreren diskreten Ladungsniveaus des Floating-Gate. Gegenüber den Single Level Cells haben sie eine wesentlich höhere Speicherdichte.

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Da bei einem MLC-Baustein für 2 Bits vier verschiedene Ladungspegel in einem einzigen Transistor unterschieden werden müssen, muss die Steuerung der Ladungspegel exakt sein. Bei einem MLC-Baustein, der drei Informationsbits speichern kann, müssen acht verschiedene Ladungspegel eingehalten werden. Der exakte Ladezustand und dessen Auslesung gestalten sich als äußerst kritisch und setzen präzise Leseschaltungen voraus.

Der hohe Aufwand für das exakte Auslesen des Ladungspegels reduziert die Schreib- und Lesegeschwindigkeit, außerdem steigt die Fehlerrate. Aus diesem Grund arbeiten MLC-Bausteine mit Fehlerkorrekturverfahren wie dem BCH-Code, benannt nach dessen Entwickler R. C. Bose, D. K. Chaudhuri und A. Hocquenghem. Der BCH-Code eignet sich speziell für Fehlerkorrektur von mehreren 1-Bit-Fehlern in längeren Datenworten. Sie sind langsamer als Single Level Cells und haben wesentlich weniger Schreibzyklen: ca. 10.000 anstelle von 100.000 der SLCs.