Silizium-Germanium

Silizium-Germanium (SiGe) ist ein Verbindungshalbleiter, der aus Silizium (Si) und Germanium (Ge) besteht und zu den IV-IV-Verbindungshalbleitern zählt, da beide chemischen Elemente, das Silizium und das Germanium, aus der IV. Hauptgruppe des Periodensystems stammen.

Leistungs- und Frequenzbereiche von verschiedenen Halbleitermaterialien

Leistungs- und Frequenzbereiche von verschiedenen Halbleitermaterialien

Aus Silizium-Germanium können wesentlich schnellere Transistoren hergestellt werden, als aus konventionellem Silizium. Dadurch können aus Silizium-Germanium aktive Komponenten für die Mikrowellentechnik und schnellste Schaltkomponenten für die Mikroelektronik hergestellt werden, und zwar unter Nutzung der gleichen Produktionsanlagen wie bei Silizium. Der Frequenzbereich reicht hinauf bis weit über 60 GHz. Allerdings können Verbindungshalbleiter aus Silizium-Germanium im Gegensatz zu solchen aus Galliumarsenid (GaAs) oder Indiumphosphid (InP) nur mit geringen Leistungen arbeiten und sind in ihrem Spannungspotential begrenzt.

Silizium-Germanium kann in der Photovoltaik eingesetzt werden, es absorbiert Wellenlängen bis 1.600 nm.

Informationen zum Artikel
Deutsch: Silizium-Germanium
Englisch: silicon germanium - SiGe
Veröffentlicht: 09.04.2018
Wörter: 133
Tags: #Elektronik-Materialien
Links: Frequenzbereich, GaAs (gallium arsenide), Germanium, Gigahertz, Initialisierungsvektor