Verbindungshalbleiter

Verbindungshalbleiter, Compound Semiconductors, unterscheiden sich von den Elementarhalbleitern dadurch, dass sie aus zwei oder mehr chemischen Verbindungen von verschiedenen chemischen Elementen bestehen. Sie werden nach den Hauptgruppen des Periodensystems bezeichnet, deren chemische Elemente miteinander verbunden werden.


Werden chemische Elemente einer Hauptgruppe, beispielsweise der Gruppe III mit Halbleitern der Hauptgruppe V verbunden, dann wird der neue Verbindungshalbleiter als III-V-Verbindungshalbleiter bezeichnet. Durch die Verbindung eines Halbleiters wie Germanium oder Silizium mit einem anderen chemischen Element, entsteht ein Verbindungshalbleiter mit anderen Eigenschaften.

Die chemischen Elemente der Hauptgruppen II bis VI

Die chemischen Elemente der Hauptgruppen II bis VI

Die am häufigsten benutzten chemischen Elemente sind die der Hauptgruppen III, IV und V. Zu den chemischen Elementen der Hauptgruppe III, der Erdmetalle- und Borgruppe, gehören Bor (B), Aluminium (Al), Gallium (Ga) und Indium (In). Zu der Gruppe IV gehören Kohlenstoff (C), Silizium (Si), Germanium (Ge) und Zinn (Sn), die Stickstoff-Phosphor-Gruppe V umfasst Stickstoff (N), Phosphor (P), Arsen (As) und Antimon (Sb), und die Gruppe VI enthält Schwefel (S), Selen (Se) und Tellur (Te). Aus diesen Hauptgruppen werden die meisten Verbindungshalbleiter hergestellt. Sie heißen daher III-V-Verbindungshalbleiter oder IV-IV-Verbindungshalbleiter und zeichnen sich durch besondere Eigenschaften gegenüber den Elementhalbleitern aus.

So gehört der Verbindungshalbleiter Galliumarsenid (GaAs) zu der Gruppe der III-V-Verbindungshalbleiter und Silizium-Germanium (SiGe) zu den IV-IV-Verbindungshalbleitern.

Neben den genannten Gruppen gibt es noch II-VI-Verbindungshalbleiter und I-VII-Verbindungshalbleiter. Zu den chemischen Elementen der Nebengruppe II gehören Zink (Zn), Cadmium (Cd) und Quecksiler (Hg) und zu denen der Gruppe VI Schwefel (S), Selen (Se) und Tellur (Te). Die II-VI-Verbindungshableiter sind Cadmiumselenid (CdSe) und Cadmiumtellurid (CdTe).

Informationen zum Artikel
Deutsch: Verbindungshalbleiter
Englisch: compound semiconductor
Veröffentlicht: 09.02.2018
Wörter: 255
Tags: #Aktive Bauelemente
Links: As (arsenic), Bor, CdTe (cadmium telluride), GaAs (gallium arsenide), Germanium