Tag-Übersicht für Elektronik-Materialien

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43 getagte Artikel
aluminium oxide : Al2O3
Aluminiumoxid
Aluminiumoxid (Al2O3) ist ein kristallines keramisches Material, das elektrisch isolierend und wärmeableitend ist. Die amorph angeordneten Aluminiumoxid-Kristalle liegen bei einigen Nanometern und w ... weiterlesen
aluminium gallium arsenide : AlGaAs
Aluminiumgalliumarsenid
Aluminiumgalliumarsenid (AlGaAs) ist ein Halbleitermaterial für Laserdioden, dessen Lichtemission im Übergang zwischen dem sichtbaren Rotbereich und dem nicht sichtbaren Infrarotbereich bei Wellenlä ... weiterlesen
alluminuim gallium indium phosphide : AlGaInP
Aluminiumgalliumindiumphosphid
Aluminiumgalliumindiumphosphid (AlGaInP) ist ein Halbleitermaterial für Laserdioden. Die emittierte Wellenlänge liegt im Rotbereich und hat Wellenlängen von 635 nm, 650 nm und 670 nm. Eingesetzt wer ... weiterlesen
aluminium indium gallium and phosphide : AlInGaP
AlInGaP (Aluminium, Indium, Gallium, Phosphor) ist ein dotiertes Halbleitermaterial, das seit Anfang der 90er Jahre in Leuchtdioden (LED) eingesetzt wird. Die Dotierung AlInGaP hat in den spektral ... weiterlesen
alluminium nitride : AlN
Aluminiumnitrid
Aluminumnitrid (AlN) ist ein Verbindungshalbleiter, der sich durch eine besonders große Bandlücke, Wide Bandgap (WBG), von 6,05 eV auszeichnet. Eingesetzt wird er in Leuchtdioden, die bei einer We ... weiterlesen
arsenic : As
Arsen
Arsen (As) ist ein chemisches Element, das in der Halbleitertechnik für die Dotierung von Silizium oder Germanium benutzt wird. Mit Arsen können n-dotierte Silizium- und Germaniumschichten hergestel ... weiterlesen
barium nitrate : BaTiO3
Bariumtitanat
Bariumtitanat (BaTiO3) wird aus Bariumcarbonat (BaCO3) und Titandioxid (TiO2) gewonnen. Bariumtitanat gehört zur Gruppe der Elektrokeramiken, es hat ferroelektrische Eigenschaften mit feldstärkeabhä ... weiterlesen
Bor
boron : B
Bor (B) ist ein chemisches Element, das im Periodensystem die Ordnungszahl 5 hat. Bor ist ein Halbmetall, das in amorpher Form ein braunes Pulver und äußerst hart ist. Es wird in der Herstellung von ... weiterlesen
cadmium sulfide : CdS
Cadmiumsulfid
Cadmiumsulfid (CdS) ist ein Halbleitermaterial, das in Fotowiderständen eingesetzt wird. Dieses Halbleitermaterial gehört zu den II-VI-Verbindungshalbleitern und hat bei einer sichtbaren Wellenlänge ... weiterlesen
cadmium telluride : CdTe
Cadmiumtellurid
Cadmiumtellurid (CaTe) ist ein amorphes Halbleitermaterial, das in der Photovoltaik eingesetzt wird. Es wird anstelle von Silizium (Si) für Dünnschichtsolarzellen verwendet und bietet einige Vorte ... weiterlesen
ceramics and metal : Cermet
Cermet ist eine Wortschöpfung aus Ceramics and Metals. Cermet ist ein metallisches Dielektrikum, das aus Keramik, Glas und hochwertigen Metallpartikeln bei hohen Temperaturen gesintert wird. Es hat ... weiterlesen
gallium arsenide : GaAs
Galliumarsenid
Galliumarsenid (GaAs) ist ein amorpher Verbindungshalbleiter, der zu der Gruppe der III-V-Verbindungshalbleiter zählt. Galliumarsenid hat eine Bandlücke von 1,4 Elektronenvolt (eV) und wird in den v ... weiterlesen
gallium nitride : GaN
Galliumnitrid
Galliumnitrid (GaN) ist ein Halbleitermaterial, das in der Optoelektronik, bei hochintegrierten optischen Speichermedien, in der Mikrowellentechnik, in Schaltern, der Leistungselektronik und bei Hal ... weiterlesen
Germanium
germanium : Ge
Germanium ist ein chemisches Element. Es gehört im Periodensystem der Hauptgruppe IV an und hat die Ordnungszahl 32. Germanium ist ein Halbleiter mit halbmetallischen Eigenschaften, dessen Leitfähig ... weiterlesen
Gold
gold : Au
Gold (Au) ist ein Edelmetall, das im Periodensystem der Elemente die Ordnungszahl 79 hat. Es zeichnet sich aus durch Korrosionsfestigkeit, eine gute elektrische Leitfähigkeit und einen hohen spezifi ... weiterlesen
High-k-Dielektrikum
high-k
Materialien mit einer hohen Permittivität, die die von Siliziumdioxid (SiO2) mit 3,9 übersteigt, gehören zu den High-k-Dielektrika. Liegt die Permittivität unter der von Siliziumdioxid, so handelt e ... weiterlesen
II-VI-Verbindungshalbleiter
II-VI compound semiconductor
II-VI-Verbindungshalbleiter setzen sich aus Verbindungen der chemischen Elemente der II- und VI-Nebengruppe zusammen. Zu der Nebengruppe II des Periodensystems gehören Zink (Zn) und Cadmium (Cd), zu ... weiterlesen
indium gallium arsenide : InGaAs
Indiumgalliumarsenid
Indiumgalliumarsenid (InGaAs) ist ein Halbleitermaterial für Fotodioden und Laserdioden. Es hat seine höchste Empfindlichkeit bei längeren Wellenlängen im Infrarotbereich bis zu 1.700 nm. Laserdio ... weiterlesen
indium gallium nitride : InGaN
Indiumgalliumnitrid
Die Kombination von Indiumnitrid (InN) und Galliumnitrid (GaN) zu Indiumgalliumnitrid (InGaN) ist ein III-V-Verbindungshalbleiter, der in der Chip-Technologie in Laserdioden (LD) eingesetzt wird. Mit ... weiterlesen
indium phosphide : InP
Indiumphosphid
Indiumphosphid (InP) ist ein III-V-Verbindungshalbleiter, der aus Indium (In) und Phosphor (P) besteht und bei elektrischer Stimulation Licht emittiert. Es kann in der Mikrowellentechnik bei Frequ ... weiterlesen
Kupfer-Indium-Diselenid
copper indium diselenide : CIS
Kupfer-Indium-Diselenid (CIS) ist ein amorphes Halbleitermaterial, das in der Photovoltaik eingesetzt wird. Es wird anstelle von Silizium (Si) für die Herstellung von Dünnschichtsolarzellen verwen ... weiterlesen
Lithium
lithium : Li
Lithium (Li) ist ein chemisches Element, das im Periodensystem die Ordnungszahl 3 hat. Es gehört zu den Alkalimetallen und hat mit 5 g/ccm die kleinste Massedichte, die aus dem Verhältnis von Masse ... weiterlesen
Mu-Metall
permalloy
Mu-Metall, in Englisch Permalloy, ist eine weichmagnetische Legierung aus Nickel und Eisen, das sich durch eine hohe Permeabilität, die bis zu 100.000 und darüber liegen kann, auszeichnet. Die Hyste ... weiterlesen
polystyrene : PS
Polystyrol
Polystyrol (PS) ist ein klarer, transparenter Werkstoff, der sich durch eine hohe Härte auszeichnet. Er führt die DIN/VDE-Bezeichnung 3Y. Den Werkstoff Polystyrol, der im Spritzguss oder im thermopl ... weiterlesen
polymer thick film pastes : PTF
PTF-Paste
Polymer Thick Film Pastes (PTF) sind leitende Pasten, bei geringer Viskosität auch Silbertinten, die zur Beschichtung auf Leiterplatten und in der gedruckten Elektronik eingesetzt werden. Sie besteh ... weiterlesen
Blei-Zirkonat-Titanat : PZT
lead zirconium titanate
Blei-Zirkonat-Titanat (PZT) ist ein ferroelektrisches Material, das in FRAMs und als Piezokeramik in piezoelektrischen Wandlern eingesetzt wird. In den Ferro-RAMs werden die Informationen in der Pol ... weiterlesen
Blei : Pb
lead
Blei (Bp von Plumbum) ist ein chemisches Element, das im Periodensystem die Ordnungszahl 82 hat. Es ist ein leichtverformbares Schwermetall mit niedrigem Schmelzpunkt. In der Elektronik wird Blei vo ... weiterlesen
lead sulfide : PbS
Bleisulfid
Bleisulfid (PbS) ist ein Halbleitermaterial, das in Fotowiderständen eingesetzt wird. Dieses Halbleitermaterial hat seine spektrale Empfindlichkeit bei Infrarotlicht bei Wellenlängen von über 1.00 ... weiterlesen
palladium : Pd
Palladium
Palladium (Pd) ist ein chemisches Element, das im Periodensystem der Elemente die Ordnungszahl 47 hat. Es handelt sich um ein silbrig-weiß glänzendes Metall, das ähnliche chemische Eigenschaften auf ... weiterlesen
Phosphor
phosphor : P
Phosphore (P) sind Stoffe, die Phosphoreszenz zeigen. Dieser Effekt tritt dann auf, wenn ein energiereicher Elektronenstrahl auf eine Phosphorsubstanz trifft und eine Lichtemission hervorruft. Die A ... weiterlesen
Piezokeramik
piezo ceramics
Piezokeramik ist ein keramischer Werkstoff aus polykristallinem Blei-Zirkonat-Titanat (PZT) mit piezoelektrischen Eigenschaften. Die piezoelektrischen Eigenschaften zeigen sich im Piezoeffekt, bei d ... weiterlesen
Polycarbonat
polycarbonate : PC
Polycarbonat (PC) ist ein Kunststoff, der in den verschiedensten Elektronikprodukten eingesetzt wird. Die Palette reicht von Chipkarten und Beschichtungen von Compact Discs und anderen optischen Spe ... weiterlesen
Polyimid
polyimide : PI
Der Kunststoff Polyimid (PI) ist ein temperaturstabiler duroplastischer Kunststoff, der in der Elektronik eingesetzt wird. So als Isoliermaterial für Kabel oder in der Leiterplattentechnik als Basis ... weiterlesen
Silber
silver : Ag
Silber (Ag) ist ein chemisches Element das im Periodensystem der Elemente die Ordnungszahl 47 hat. Was die Kommunikations- und Übertragungstechnik betrifft, so zeichnet sich Silber durch eine hohe L ... weiterlesen
Silizium
silicon : Si
Silizium (Si) ist ein chemisches Element mit Halbleitereigenschaften, das in hochreiner, monokristalliner Form in der Mikroelektronik eingesetzt wird. Die Atome des Siliziums sind in einem regelmäßi ... weiterlesen
Silizium-Germanium
silicon germanium : SiGe
Silizium-Germanium (SiGe) ist ein Verbindungshalbleiter, der aus Silizium (Si) und Germanium (Ge) besteht und zu den IV-IV-Verbindungshalbleitern zählt, da beide chemischen Elemente, das Silizium ... weiterlesen
Siliziumcarbid
silicon carbide : SiC
Siliziumcarbid (SiC) ist ein IV-IV-Verbindungshalbleiter, das in Leistungshalbleitern eingesetzt wird, besonders in der Leistungselektronik bei Hochspannung, hohen Strömen und Temperaturen. Silizi ... weiterlesen
Siliziumdioxid
silicon dioxide : SiO2
Siliziumdioxid (SiO2) ist Quarzglas und kommt in der Natur als Quarzkiesel vor. Dieses verunreinigte, nichtkristalline Siliziumdioxid ist im Quarzsand enthalten und wird für die Herstellung von Quar ... weiterlesen
Siliziumnitrid
silicon nitride : Si3N4
Siliziumnitrid (Si3N4) ist ein amorphes Halbleitermaterial, das in Floating-Gates in MONOS-Flashs und in Charge-Trap-Flash (CTF), das in NAND-Flashs eingesetzt wird. Es hat gegenüber anderen Halbleite ... weiterlesen
transparent conductive oxide : TCO
Transparent Conductive Oxide (TCO) sind transparente leitende Oxide, die u.a. in der Herstellung von Dünnschichtsolarzellen, in OLEDs und bei Touchscreens eingesetzt werden. Aus diesen Materialien w ... weiterlesen
Titandioxid
titan dioxide : TiO2
Titandioxid (TiO2) ist ein paraelektrisches Material, das wegen seiner ferroelektrischen Eigenschaften in Keramikkondensatoren und in Memristoren eingesetzt wird. Das ferroelektrische Verhalten besa ... weiterlesen
Zinksulfid
zinc sulfide : ZnS
Zinksulfid (ZnS) ist ein II-VI-Verbindungshalbleiter, der in elektrolumineszierenden Bauelementen wie EL-Folien eingesetzt wird. Zinksulfid wird zu diesem Zweck mit Mangan, Silber oder Golddotiert. ... weiterlesen
zinc oxide : ZnO
Zinkoxid
Zinkoxid (ZnO) war bislang als Halbleitermaterial wenig geeignet, weil die p-Dotierung Probleme bereitet und sich Zinkoxid nur schwer mit Fremdatomen dotieren lässt. Es wird zwar in der Elektronik u ... weiterlesen