Dünnschichtwiderstand

Dünnschichtwiderstände bestehen aus einem Trägersubstrat, wie Silizium, Galliumarsenid (GaAs) oder Aluminium, auf das eine extrem dünne Widerstandsschicht, die nur einige hundert Angström dünn ist, aufgebracht wird. Als Widerstandsschicht wird Tantalnitrat (TaN) benutzt. Die Widerstandsschicht wird mit einer leitenden Schicht überzogen. Auf fotolithurgrafischem Weg wird das Trägersubstrat in ein bestimmtes Raster geteilt und die zwei Schichten, die Widerstandsschicht und die leitende Schicht, werden unabhängig voneinander in der Größe konfektioniert.

Die Widerstandsbereiche für Dünnschichtwiderstände sind relativ begrenzt und liegen im Bereich zwischen 5 Ohm/qcm und 250 Ohm/qcm.

Da sich Dünnschichtwiderstände mit der Zeit in ihren Widerstandswerten ändern können, was auf die Oxydation des Trägermaterials zurückzuführen ist, wird das Widerstandsmaterial bei einer Temperatur von ca. 400 °C mit dem Trägersubstrat verbunden.