Schottky-Diode

Die Schottky-Diode ist eine Diode, die sich im Aufbau von der zweischichtigen Halbleiterdiode insofern unterscheidet, als dass die Anode nicht durch einen p-dotierten Halbleiter gebildet wird, sondern durch eine kapazitätsarme Metallelektrode. Sie hat dadurch zwischen Kathode und Anode keinen pn-Übergang zwischen zwei Halbleitern, sondern einen Metall-Halbleiter-Übergang.


Die Raumladungszone am Halbleiter-Metall-Übergang, das ist der Übergang zwischen dem n-dotierten Silizium und der Metallelektrode, ist verarmt an Ladungsträgern und hat eine äußerst geringe Kapazität, die sich in der extrem hohen Schaltgeschwindigkeit auswirkt. Schottky-Dioden zeichnen sich durch einen geringen Spannungsabfall von ca. 400 mV in Durchlassrichtung aus. Im Gegensatz dazu liegen Silizium-Dioden bei 700 mV. Schottky-Dioden haben kürzeste Sperrverzögerungszeiten und daraus resultierend extrem kurze Schaltzeiten von 1 ns bis 3 ns. Beide Parameter, der Spannungsabfall und die Sperrverzögerungszeit, sind entscheidend für den hohen Wirkungsgrad von Schottky-Dioden.

Aufbau der Schottky-Diode

Aufbau der Schottky-Diode

Das Einsatzgebiet liegt demgemäß im Überspannungsschutz und vor allem in schnellen elektronischen Schaltern und Logiken, für die es spezielle Schottky-TTLs gibt. Schottky-TTLs (S-TTL) gibt es mit verringerter Leistungsaufnahme, so die Low-Power-Schottky-TTL (LS-TTL) und die Advanced-Low-Power-Schottky-TTL (ALS-TTL), sowie mit extrem kurzen Schaltzeiten, so die Advanced-Schottky-TTL (AS-TTL).

Schaltzeichen und Kennlinie der Schottky-Diode

Schaltzeichen und Kennlinie der Schottky-Diode

Die Kennlinie von Schottky-Dioden ist wesentlich steiler als die von Germanium-Dioden, die Durchlassspannung liegt bei 0,4 V, die Sperrspannung bei etwa -50 V. Einsetzbar sind Schottky-Dioden bis zu einer Spannung von maximal 200 V. Wegen der geringen Durchlassspannung und der kurzen Schaltzeiten haben Schottky-Dioden eine wesentlich geringere Verlustleistung als Siliziumdioden.

Benannt ist der Schottky-Effekt nach dem deutschen Physiker Walter Schottky (1886-1976).

Informationen zum Artikel
Deutsch: Schottky-Diode
Englisch: schottky diode
Veröffentlicht: 22.01.2014
Wörter: 250
Tags: #Passive Bauelemente
Links: ALS-TTL (advanced low power Schottky TTL), AS-TTL (advanced Schottky TTL), Diode, Halbleiter, Kapazität