MESFET (metal semiconductor field effect transistor)

Ein MESFET (Metal Semiconductor Field Effect Transistor) gehört zur Gruppe der MOSFETs. Er ist ähnlich aufgebaut wie ein Junction Field-Effect Transistor (JFET). Der Unterschied zwischen beiden besteht darin, dass der MESFET anstelle des PN-Übergangs einen Schottky-Übergang mit kapazitätsarmer Metallelektrode benutzt.

MESFETs werden aus Verbindungshalbleitern wie Galliumarsenid (GaAs), Indiumphosphid (InP) oder Siliziumcarbid (SiC) hergestellt, habem durch den Metall-Halbleiter-Übergang eine hohe Ladungsträgerbeweglichkeit und zeichnen sich durch besonders kurze Schaltzeiten aus. Sie sind allerdings auch teurer als MOSFETs oder Junction Field-Effect Transistors (JFET). Sie können im Mikrowellenbereich bis zu ca. 50 GHz in in Monolithic Microwave Integrated Circuits (MMIC), High Power Amplifiern (HPA) von Satellitenübertragungssystemen oder in Radarsystemen eingesetzt werden.

Aufbau eines MESFET

Aufbau eines MESFET

Der MESFET unterscheidet sich im Aufbau von normalen Feldeffekttransistoren (FET) dadurch, dass sich unterhalb des Gate kein Isolator befindet. Der MESFET ist selbstleitend und wird mit einer Steuerspannung gesteuert. Bei einer Steuerspannung von 0 V fließt bereist ein Drainstrom. Bei negativer Steuerspannung verbreitert sich die Raumladungszone und unterbricht dadurch den Stromfluss zur Drain.

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Informationen zum Artikel
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Englisch: metal semiconductor field effect transistor - MESFET
Veröffentlicht: 27.11.2019
Wörter: 166
Tags: Aktive Bauelemente
Links: FET (field effect transistor), GaAs (gallium arsenide), Gigahertz, Halbleiter, HPA (high power amplifier)