Die Miniaturisierung von HF-Komponenten und -Schaltungen steht in direktem Zusammenhang mit der Miniaturisierung der mobilen Endgeräte. Diese Forderung kann maßgeblich durch die Bulk Acoustic Wave (BAW) und FBAR-Technologie realisiert werden. Beide Techniken sind vergleichbar, sie werden in HF-Filtern, Resonatoren und Duplexern eingesetzt, und basieren auf implantiertem Silizium.

Bulk Acoustic Wave Filter (BAW) auf einem Chip, Foto: Philips

Die BAW-Technologie ist integraler Bestandteil der Wafer-Prozesses. Dadurch sind BAW-Filter äußerst leitungsfähig und sehr klein. Außerdem erreichen sie Gütefaktoren von über 1.000 und Einfügungsdämpfungen, die unterhalb von 0,5 dB pro Filter liegt. BAW-Filter gibt es für Frequenzbereiche zwischen unter 1 GHz bis hinauf zu ca. 20 GHz, also für alle Mobilfunk- und Drahtlos-Technologien.

BAW-Filter, Foto: Philips

Verglichen mit Oberflächenwellenfiltern (SAW) zeichnen sich die BAW-Filter durch einen verbesserten Energieverbrauch und einen besseren Temperaturkoeffizienten aus, der typischerweise unter 20 ppm/Kelvin liegt. Im Vergleich zu Keramikfilter bestechen sie durch wesentlich geringere Abmessungen.