plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD)

Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD) ist eine chemische Gasphasenabscheidung (CVD), die mit Plasma bei niedrigen Temperaturen zwischen 250 °C und 350 °C arbeitet. Bei diesem Verfahren können auch Materialien mit niedrigem Schmelzpunkt wie beispielsweise Aluminium, dessen Schmelzpunkt bei 500 °C liegt, in Leiterplatten eingesetzt werden.

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Deutsch:
Englisch: plasma enhanced chemical vapor deposition - PECVD
Veröffentlicht: 06.12.2013
Wörter: 47
Tags: Displays
Links: Chemische Gasphasenabscheidung, Leiterplatte (Lp),