Tag-Übersicht für ROMs

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electrically alterable ROM : EAROM
Ein Electrically Alterable Read Only Memory (EAROM) ist ein elektrisch veränderbarer Festwertspeicher. Ein EAROM kann im Gegensatz zu einem Erasable PROM (EPROM) gelöscht und vom Anwender wieder neu ... weiterlesen
electrically erasable PROM : EEPROM
Elektrisch löschbares PROM
Electrically Erasable PROMs (EEPROM oder E2PROM) sind nichtflüchtige Speicher, sie sind elektrisch löschbar und wieder beschreibbar. Die Löschung des Speicherinhaltes erfolgt mit einem Spannungsstoß ... weiterlesen
erasable PROM : EPROM
Löschbares PROM
Ein Erasable PROM (EPROM) ist ein wiederbeschreibbares Programmable Read Only Memory (PROM). Es kann vom Anwender beschrieben, gelöscht und erneut, und zwar beliebig oft, wieder beschrieben werden. ... weiterlesen
flash EEPROM : FEEPROM
Ein Flash EEPROM (FEEPROM) ist ein elektrisch löschbarer Speicherbaustein mit kurzer Zugriffszeit. Es ist ein Nur-Lesespeicher, der elektrisch lösch- und programmierbar ist. Das Löschen erfolgt bl ... weiterlesen
multi level cell : MLC
Multi LevelCell (MLC) ist eine Ausführungsform von Flash-Speichern. Im Gegensatz zu Single Level Cells (SLC), die in einer Speicherzelle 1 Bit speichern, speichern Multi-Level-Zellen 2 Bits pro Sp ... weiterlesen
programmable read only memory : PROM
Ein Programmable Read Only Memory (PROM) ist ein programmierbarer Halbleiterspeicher, der von Anwender einmalig programmiert und nur ausgelesen werden kann. Es handelt sich dabei um ein Programmable ... weiterlesen
quadruple level cell : QLC
Die Quadruple LevelCell (QLC) ist ein Flash-Speicher mit einer enorm hohen Speicherdichte. Die Speicherdichte ist doppelt so hoch, wie die der Triple Level Cell (TLC), viermal so hoch wie die der ... weiterlesen
read only memory : ROM
Das Read Only Memory (ROM) ist ein nichtflüchtiger Speicher, dessen Speicherinhalt während des Herstellungsprozesses eingespeichert wird und weder geändert noch gelöscht werden kann. Der ROM-Inhalt ... weiterlesen
single level cell : SLC
Single LevelCell (SLC) ist eine Ausführungsform von Flash-Speichern. Von der Architektur her sind es NAND-Gatter, die jeweils ein Bit speichern. Die Speicherung der elektrischen Ladung erfolgt übe ... weiterlesen
triple level cell : TLC
Eine Triple LevelCell (TLC) ist eine Speicherzelle eines Flash-Speichers. Da eine TLC-Zelle in einer Speicherzelle drei Bits speichert, hat sie eine vierfach höhere Speicherdichte als eine Single ... weiterlesen