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43 getagte Artikel
3D XPoint 3D Xpoint Um die Speichertechnik wesentlich zu beschleunigen at man viele NAND-Flashs vertikal übereinander gestapelt um dadurch kürzere Verbindungen zwischen den Speicherzellen zu erreichen, wodurch sich d ... weiterlesen
Arbeitsspeicher : ASP main memory Der Arbeitsspeicher eines Computers, auch als Hauptspeicher bezeichnet, ist ein flüchtiger Schreib-/Lesespeicher, der der Zentraleinheit (CPU) für den schnellen Zugriff auf Daten zur Verfügung ste ... weiterlesen
asynchronous static RAM : Async. SRAM Asynchrones SRAM Das asynchrone SRAM gibt es, seitdem es den 386er-Prozessor gibt. Es wird auch heute noch in vielen Personal Computern (PC) in Level-2-Caches eingesetzt. Die Bezeichnung kommt daher, weil diese Stat ... weiterlesen
burst extended data output DRAM : BEDO-DRAM Das BurstExtended Data Output DRAM (BEDO-DRAM) ist eine Variante des EDO-RAMs, die in Stapelverarbeitung mit jeweils vier Bursts arbeitet, wobei immer nur die letzten Bits mit der geringsten Werti ... weiterlesen
clock synchronous RAM : CSRAM Taktsynchrone RAMs (CSRAM) sind Speicherbausteine, die in Caches von Zentraleinheiten eingesetzt werden. Die Synchronität dieses Halbleiterspeichers bezieht sich auf den ersten Zugriff eines Bursts, ... weiterlesen
Cellular-RAM cellular RAM Cellular-RAMs haben bedingt durch ihren Aufbau einige Vorteile gegenüber Static RAMs (SRAM) und sollen diese in Mobiltelefonen ablösen. Cellular-RAMs kombinieren die kompakteren Speicherzellen von D ... weiterlesen
double data rate : DDR-RAM DDR-Verfahren Die Double Date Rate-Technologie (DDR) ist eine Transfertechnik für Datentransfers. Sie wird in der Speichertechnik bei Speicherbausteinen wie Random Access Memory (RAM), Dynamic RAM (DRAM) und Sy ... weiterlesen
double date rate synchronous DRAM : DDR-SDRAM DDR-Technologie Die DDR-Technologie (Double Date Rate) wurde für SynchronousDynamic RAMs (SDRAM) zur Verdoppelung der Datentransferrate entwickelt. Bei dieser Technologie wird die Taktfrequenz vom Front Side Bus (F ... weiterlesen
DDR1 DDR1 Die DDR-Technologie wird vom Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC) standardisiert. DDR1arbeitet mit Taktfrequenzen von 100 MHz, 133 MHz, 166 MHz und 200 MHz. Die relative Taktrate wird ... weiterlesen
DDR2 DDR2 Die wesentlichen Unterschiede zwischen DDR1 (Double Data Rate) und DDR2 liegen in der höheren Taktung und der geringeren Versorgungsspannung von DDR2, was zu einer wesentlich verbesserten Speicherba ... weiterlesen
DDR3 DDR3 Die DDR3-Technologie und deren Leistungsparameter sind die erhöhte Taktfrequenz, die 800 MHz bzw. 1.066 MHz betragen und die Versorgungsspannung, die bei DDR3 auf 1,5 V und 1,35 V reduziert wurde. D ... weiterlesen
DDR4 DDR4 DDR4, Double Date Rate, ist die Nachfolgetechnologie von DDR3. Diese Technologie wurde 2012 eingeführt. Die vom Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC) festgelegten Eckpunkte zeigen eine k ... weiterlesen
dynamic RAM : DRAM Dynamisches RAM Das Dynamic RAM (DRAM) stammt aus dem Jahre 1966. Es handelt sich um einen dynamischen Schreib-/Lesespeicher, der als Arbeitsspeicher in Personal Computern (PC) und Workstations eingesetzt wird. ... weiterlesen
direct rambus DRAM : DRDRAM Der Rambus-Speicherbaustein mit dynamischen Direktzugriff (DRDRAM) zeichnet sich durch extrem hohe Taktraten und Datentransferraten aus. Mit einer Taktrate von 800 MHz und einem 16-Bit-Bus werden ma ... weiterlesen
extended data output DRAM : EDO-DRAM Extended Data Output (EDO) ist eine 1994 entwickelte Technik zur Beschleunigung der Zugriffsgeschwindigkeit von Arbeitsspeichern. Bei dieser Technik wird der Lesezyklus verkürzt, indem intern bereit ... weiterlesen
enhanced synchronous DRAM : ESDRAM Das Enhanced Synchronous DRAM (ESDRAM) ist vergleichbar dem Enhanced DRAM (eDRAM). Es besteht aus einem Synchronous Dynamic RAM (SDRAM) und einem kleinen Static RAM (SRAM). Da der Zugriff über das S ... weiterlesen
fast cycle RAM : FCRAM Die Fast Cycle RAM-Technologie (FCRAM) ist eine von Fujitsu entwickelte RAM-Technologie mit der DRAM-Kerne so verändert werden, dass sie die Eigenschaften von Staatic RAMs (SRAM) haben. Das bedeutet ... weiterlesen
fast page mode : FPM Das Fast Page Mode-Verfahren (FPM) ist ein Betriebsmodus für den schnellen Seitenzugriff in Dynamic RAMs (DRAM). Bei diesem Verfahren, das die technologisch bedingten Verzögerungszeiten umgeht, erfo ... weiterlesen
ferro RAM : FRAM Ferro-RAM Das Ferro RAM (FRAM) oder Ferro Electric RAM (FeRAM) ist das Pendant zum Magneto-resistive RAM (MRAM), es behält auch dann seine gespeicherten Daten, wenn es von der Versorgungsspannung getrennt wir ... weiterlesen
graphics double data rate : GDDR Graphics Double Data Rate (GDDR) sind SynchronousDynamic RAMs (SDRAM) von Grafikkarten, die vom Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC) standardisiert werden. GDDR-Speicher sind speziell ... weiterlesen
multibank DRAM : MDRAM Das Multibank DRAM (MDRAM) ist ein Grafikspeicher, der aus mehreren Speicherchips besteht. In dieser Architektur sind die einzelnen Speicherchips in unabhängige Banks aufgeteilt, die über einen geme ... weiterlesen
magneto-resistive RAM : MRAM Ein magneto-resistives RAM (MRAM) ist eine Speichertechnik für ein nichtflüchtiges, auf magnetisierbaren Eisenoxiden basierendem Random Access Memory (RAM). Es gehört zu der Kategorie der magnetoe ... weiterlesen
non-volatile RAM : NVRAM Non-Volatile RAMs (NVRAM) sind nichtflüchtige RAMs mit wahlfreiem Zugriff, die auch nach Abschalten der Versorgungsspannung die Daten weiter speichern. Ein NVRAM benutzt bei Stromausfall eine unterb ... weiterlesen
non-volatile SRAM : NVSRAM Es gibt mehrere Speichertechnologien, die die Vorteile von statischen RAMs (SRAM) mit der nichtflüchtiger Speicher kombinieren: Ferro RAM (FRAM), Magneto-resistive RAM (MRAM), Battery BackupSRAM ... weiterlesen
pipelined burst SRAM : PBSRAM Das PBSRAM (Pipelined Burst SRAM) ist ein Static RAM (SRAM), das sich durch einen besonders kurzen Lesezyklus auszeichnet und in Verbindung mit Pentium-CPUs eingesetzt wird. Der Lesezyklus für die v ... weiterlesen
phase change memory : PCM Phasenwechselspeicher Phasenwechselspeicher, Phase Change Memory (PCM), sind nichtflüchtige Speicher, die auf der Änderung des elektrischen Widerstands des Speichermaterials basieren. Diese Widerstandsänderung ist von de ... weiterlesen
phase change RAM : PRAM Ein Phase Change RAM (PCRAM oder PRAM) ist ein Random AccessMemory (RAM) als Phasenwechselspeicher (PCM). Es ist ein nichtflüchtiger Speicher, dessen Speicherzellen auf der Zustandsänderung des elek ... weiterlesen
PS/2-Modul PS/2 module PS/2-Module sind Speicherriegel die in PCs zur Speichererweiterung eingesetzt werden. Die PS/2-Speichermodule sind die Nachfolger der SIMM-Module, sind länger als diese und haben 72 Kontakte. Best ... weiterlesen
quad band memory : QBM QBM-Verfahren Um die Datentransferrate von Speicherbausteine zu erhöhen, wurden neue Verfahren entwickelt, die mehrere Zeitpunkte eines Taktsignals nutzen: neben der DDR-Technologie (Double Data Rate), bei der ... weiterlesen
random access memory : RAM Ein Random AccessMemory (RAM) ist ein flüchtiger Speicher, der 1968 von Robert Dennard entdeckt und patentiert wurde. Das erste RAM hatte 16 Pins, eine Taktfrequenz von 4,7 MHz und eine Zugriffsze ... weiterlesen
row access strobe : RAS RAS-Latenz Die Row Access Strobe (RAS) oder Row Address Strobe (RAS) ist bekannt als RAS-Latenz und beschreibt, wie lange es dauert, eine Zeile einer Speicherzelle auszulesen. Die RAS-Latenz beschreibt die ... weiterlesen
rambus DRAM : RDRAM Rambus Dynamic RAM (RDRAM) ist ein Video RAM (VRAM). Entwickelt hat ihn die Firma Rambus. Das spezielle Schnittstellendesign mit einem geänderten Bussystem bildet ein Speicher-Subsystem mit höchsten ... weiterlesen
reduced latency DRAM : RLDRAM Die in den Reduced Latency DRAMs (RLDRAM) benutzte Technik zielt auf die Verkürzung der Latenzzeiten in Dynamic RAMs (DRAM) ab. Die von Infineon und Micron entwickelte Technik soll die Lücke zwischen ... weiterlesen
resistive random access memory : RRAM Resistive Random Access Memories (RRAM oder ReRAM) sind nichtflüchtige Speicher (NVM), die auf der Widerstandsänderung von Materialien basieren. Durch Anlegen einer Spannung kann der spezifische ... weiterlesen
synchronous DRAM : SDRAM Ein SynchronousDynamic RAM (SDRAM) ist ein Speicherbaustein, der alle Input- und Output-Signale synchron zum Systemtakt verarbeitet. Der Vorteil der SDRAMs, die sich für hohe Taktraten eignen, liegt ... weiterlesen
synchronous graphics RAM : SGRAM Das SynchronousGraphicsRAM (SGRAM) ist ein schneller Grafikspeicher mit synchronem Interface. Die Zugriffszeiten liegen zwischen 8 ns und 15 ns, die Taktrate bei 166 MHz. SGRAMs arbeiten im Gegens ... weiterlesen
synchronous link DRAM : SLDRAM Synchronous LinkDRAM (SLDRAM) sind extrem schnelle, synchron arbeitende dynamische RAMs. SLDRAMs nutzen eine Multiplexertechnologie um die Bandbreite an jedem einzelnen Pin zu steigern. Es handelt ... weiterlesen
static RAM : SRAM Statisches RAM Ein Random Access Memory (RAM) ist ein flüchtiger Speicher mit wahlfreiem (random) Zugriff. Es ist der Arbeitsspeicher von Computern. Random Access Memorys gibt es als Static RAMs (SRAM), das sind ... weiterlesen
virtual channel SDRAM : VC-SDRAM Bei der VCM-Technologie, Virtual Channel Memory (VCM), die in dem Synchronous Dynamic RAM (SDRAM) verwirklicht wird, handelt es sich um eine von NEC entwickelte Speichertechnik, die u.a. besondere V ... weiterlesen
virtual channel memory : VCM Virtual ChannelMemory (VCM) ist eine von NEC entwickelte Architektur, mit der verschiedene Blöcke innerhalb des Speicherbausteins separat über den Controller angesprochen werden können, die über e ... weiterlesen
video RAM : VRAM Ein VideoRAM (VRAM) ist ein Grafikspeicher für Bild- und Video-Applikationen. VRAMs sind anwendungsoptimierte Dynamic RAMs (DRAM), die zur Beschleunigung von Grafikanwendungen von Grafikkarten ben ... weiterlesen
extreme data rate DRAM : XDR-DRAM Extreme Data RateDRAM (XDR-DRAM) ist eine von Rambus entwickelte Speichertechnologie, die auf Direct Rambus DRAM (DRDRAM) basiert und sich durch Taktfrequenzen von mehreren Gigahertz auszeichnet. B ... weiterlesen
enhanced dynamic random access memory : eDRAM Das Enhanced Dynamic Random Access Memory (eDRAM) ist ein eine dynamisches RAM (DRAM), das ein kleines Static RAM (SRAM) mit einem größeren Dynamic RAM (DRAM) kombiniert. Das von NEC entwickelte eDRAM ... weiterlesen