| 43 getagte Artikel |
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3D XPoint
3D Xpoint Um die Speichertechnik wesentlich zu beschleunigen hat man viele NAND-Flashs vertikal übereinander gestapelt um dadurch kürzere Verbindungen zwischen den Speicherzellen zu erreichen, wodurch sich ... weiterlesen |
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Arbeitsspeicher : ASP
main memory Der Arbeitsspeicher eines Computers, auch als Hauptspeicher bezeichnet, ist ein flüchtiger Schreib-/Lesespeicher, der der Zentraleinheit (CPU) für den schnellen Zugriff auf Daten zur Verfügung ste ... weiterlesen |
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asynchronous static RAM : Async. SRAM
Asynchrones SRAM Das asynchrone SRAM gibt es, seitdem es den 386er-Prozessor gibt. Es wird auch heute noch in vielen Personal Computern (PC) in Level-2-Caches eingesetzt. Die Bezeichnung kommt daher, weil diese Stat ... weiterlesen |
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Cellular-RAM
cellular RAM Cellular-RAMs haben bedingt durch ihren Aufbau einige Vorteile gegenüber Static RAMs (SRAM) und sollen diese in Mobiltelefonen ablösen. Cellular-RAMs kombinieren die kompakteren Speicherzellen von D ... weiterlesen |
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double date rate synchronous DRAM : DDR-SDRAM
DDR-Technologie Die DDR-Technologie (Double Date Rate) wurde für SynchronousDynamic RAMs (SDRAM) zur Verdoppelung der Datentransferrate entwickelt. Bei dieser Technologie wird die Taktfrequenz vom Front Side Bus (F ... weiterlesen |
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DDR1
DDR1 Die DDR-Technologie wird vom Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC) standardisiert. DDR1arbeitet mit Taktfrequenzen von 100 MHz, 133 MHz, 166 MHz und 200 MHz. Die relative Taktrate wird ... weiterlesen |
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DDR2
DDR2 Die wesentlichen Unterschiede zwischen DDR1 (Double Data Rate) und DDR2 liegen in der höheren Taktung und der geringeren Versorgungsspannung von DDR2, was zu einer wesentlich verbesserten Speicherba ... weiterlesen |
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DDR3
DDR3 Die DDR3-Technologie und deren Leistungsparameter sind die erhöhte Taktfrequenz, die 800 MHz bzw. 1.066 MHz betragen und die Versorgungsspannung, die bei DDR3 auf 1,5 V und 1,35 V reduziert wurde. ... weiterlesen |
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DDR4
DDR4 DDR4, Double Date Rate, ist die Nachfolgetechnologie von DDR3. Diese Technologie wurde 2012 eingeführt. Die vom Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC) festgelegten Eckpunkte zeigen eine k ... weiterlesen |
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dynamic RAM : DRAM
Dynamisches RAM Das Dynamic RAM (DRAM) stammt aus dem Jahre 1966. Es handelt sich um einen dynamischen Schreib-/Lesespeicher mit relativ kurzen Zugriffszeiten, der als Arbeitsspeicher in Personal Computern (PC) u ... weiterlesen |
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ferro RAM : FRAM
Ferro-RAM Das Ferro RAM (FRAM) oder Ferro Electric RAM (FeRAM) ist das Pendant zum Magneto-resistive RAM (MRAM), es behält auch dann seine gespeicherten Daten, wenn es von der Versorgungsspannung getrennt wir ... weiterlesen |
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graphics double data rate : GDDR
GDDR-Speicher Graphics Double Data Rate (GDDR) sind SDRAMs, SynchronousDynamic RAMs, von Grafikkarten, die vom Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC) standardisiert werden. GDDR-Speicher sind speziell ... weiterlesen |
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PS/2-Modul
PS/2 module PS/2-Module sind Speicherriegel die in PCs zur Speichererweiterung eingesetzt werden. Die PS/2-Speichermodule sind die Nachfolger der SIMM-Module, sind länger als diese und haben 72 Kontakte. Bes ... weiterlesen |
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phase change memory : PCM
Phasenwechselspeicher Phasenwechselspeicher, Phase Change Memory (PCM), sind nichtflüchtige Speicher, die auf der Änderung des elektrischen Widerstands des Speichermaterials basieren. Diese Widerstandsänderung ist von de ... weiterlesen |
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quad band memory : QBM
QBM-Verfahren Um die Datentransferrate von Speicherbausteine zu erhöhen, wurden neue Verfahren entwickelt, die mehrere Zeitpunkte eines Taktsignals nutzen: neben der DDR-Technologie (Double Data Rate), bei der ... weiterlesen |
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row access strobe : RAS
RAS-Latenz Die Row Access Strobe (RAS) oder Row Address Strobe (RAS) ist bekannt als RAS-Latenz und beschreibt, wie lange es dauert, eine Zeile einer Speicherzelle auszulesen. Die RAS-Latenz beschreibt die ... weiterlesen |
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static RAM : SRAM
Statisches RAM Ein Random Access Memory (RAM) ist ein flüchtiger Speicher mit wahlfreiem (random) Zugriff. Es ist der Arbeitsspeicher von Computern. Random Access Memorys gibt es als Static RAMs (SRAM), das sind ... weiterlesen |
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video RAM : VRAM
Video-RAM Ein VideoRAM (VRAM) ist ein Grafikspeicher für Bild- und Video-Applikationen. VRAMs sind anwendungsoptimierte Dynamic RAMs (DRAM), die zur Beschleunigung von Grafikanwendungen von Grafikkarten ben ... weiterlesen |
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window RAM : WRAM
Window-RAM Window-RAM (WRAM) ist ein leistungsstarkes Video-RAM (VRAM) mit zwei Anschlüssen, das etwa 25 % mehr Bandbreite als ein klassisches VRAM hat, aber kostengünstiger ist. Es verfügt über Funktionen, di ... weiterlesen |
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burst extended data output DRAM : BEDO-DRAM
Das BurstExtended Data Output DRAM (BEDO-DRAM) ist eine Variante des EDO-RAMs, die in Stapelverarbeitung mit jeweils vier Bursts arbeitet, wobei immer nur die letzten Bits mit der geringsten Werti ... weiterlesen |
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clock synchronous RAM : CSRAM
Taktsynchrone RAMs (CSRAM) sind Speicherbausteine, die in Caches von Zentraleinheiten eingesetzt werden. Die Synchronität dieses Halbleiterspeichers bezieht sich auf den ersten Zugriff eines Bursts, ... weiterlesen |
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direct rambus DRAM : DRDRAM
Der Rambus-Speicherbaustein mit dynamischen Direktzugriff (DRDRAM) zeichnet sich durch extrem hohe Taktraten und Datentransferraten aus. Mit einer Taktrate von 800 MHz und einem 16-Bit-Bus werden ma ... weiterlesen |
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enhanced dynamic random access memory : eDRAM
Das Enhanced Dynamic Random Access Memory (eDRAM) ist ein dynamisches RAM (DRAM), das ein kleines Static RAM (SRAM) mit einem größeren Dynamic RAM (DRAM) kombiniert. Das von NEC entwickelte eDRAM ... weiterlesen |
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enhanced synchronous DRAM : ESDRAM
Das Enhanced Synchronous DRAM (ESDRAM) ist vergleichbar dem Enhanced DRAM (eDRAM). Ein ESDRAM besteht aus einem Synchronous Dynamic RAM (SDRAM) und einem kleinen Static RAM (SRAM). Da der Zugriff ... weiterlesen |
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extended data output DRAM : EDO-DRAM
Extended Data Output (EDO) ist eine 1994 entwickelte Technik zur Beschleunigung der Zugriffsgeschwindigkeit von Arbeitsspeichern. Bei dieser Technik wird der Lesezyklus verkürzt, indem intern bereit ... weiterlesen |
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extreme data rate DRAM : XDR-DRAM
Extreme Data RateDRAM (XDR-DRAM) ist eine von Rambus entwickelte Speichertechnologie, die auf Direct Rambus DRAM (DRDRAM) basiert und sich durch Taktfrequenzen von mehreren Gigahertz auszeichnet. B ... weiterlesen |
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fast cycle RAM : FCRAM
Die Fast Cycle RAM-Technologie (FCRAM) ist eine von Fujitsu entwickelte RAM-Technologie mit der DRAM-Kerne so verändert werden, dass sie die Eigenschaften von Static RAMs (SRAM) haben. Durch diese ... weiterlesen |
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fast page mode : FPM
Das Fast Page Mode-Verfahren (FPM) ist ein Betriebsmodus für den schnellen Seitenzugriff in Dynamic RAMs (DRAM). Bei diesem Verfahren, das die technologisch bedingten Verzögerungszeiten umgeht, erfo ... weiterlesen |
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magneto-resistive RAM : MRAM
Ein magneto-resistives RAM (MRAM) ist eine Speichertechnik für ein nichtflüchtiges, auf magnetisierbaren Eisenoxiden basierendem Random Access Memory (RAM). Es gehört zu der Kategorie der magnetoe ... weiterlesen |
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multibank DRAM : MDRAM
Das Multibank DRAM (MDRAM) ist ein Grafikspeicher, der aus mehreren Speicherchips besteht. In dieser Architektur sind die einzelnen Speicherchips in unabhängige Banks aufgeteilt, die über einen geme ... weiterlesen |
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non-volatile RAM : NVRAM
Non-Volatile RAMs (NVRAM) sind nichtflüchtige RAMs mit wahlfreiem Zugriff, die auch nach Abschalten der Versorgungsspannung die Daten weiter speichern. Ein NVRAM benutzt bei Stromausfall eine unterb ... weiterlesen |
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non-volatile SRAM : NVSRAM
Es gibt mehrere Speichertechnologien, die die Vorteile von statischen RAMs (SRAM) mit der nichtflüchtiger Speicher kombinieren: Ferro RAM (FRAM), Magneto-resistive RAM (MRAM), Battery BackupSRAM ... weiterlesen |
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phase change RAM : PRAM
Ein Phase Change RAM (PCRAM oder PRAM) ist ein Random AccessMemory (RAM) als Phasenwechselspeicher (PCM). Es ist ein nichtflüchtiger Speicher, dessen Speicherzellen auf der Zustandsänderung des elek ... weiterlesen |
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pipelined burst SRAM : PBSRAM
Das PBSRAM (Pipelined Burst SRAM) ist ein Static RAM (SRAM), das sich durch einen besonders kurzen Lesezyklus auszeichnet und in Verbindung mit Pentium-CPUs eingesetzt wird. Der Lesezyklus für die v ... weiterlesen |
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rambus DRAM : RDRAM
Rambus Dynamic RAM (RDRAM) ist ein Video RAM (VRAM). Entwickelt hat ihn die Firma Rambus. Das spezielle Schnittstellendesign mit einem geänderten Bussystem bildet ein Speicher-Subsystem mit höchsten ... weiterlesen |
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random access memory : RAM
Ein Random AccessMemory (RAM) ist ein flüchtiger Speicher, der 1968 von Robert Dennard entdeckt und patentiert wurde. Das erste RAM hatte 16 Pins, eine Taktfrequenz von 4,7 MHz und eine Zugriffsze ... weiterlesen |
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reduced latency DRAM : RLDRAM
Die in den Reduced LatencyDRAMs (RLDRAM) benutzte Technik zielt auf die Verkürzung der Latenzzeiten in Dynamic RAMs (DRAM) ab. Die von Infineon und Micron entwickelte Technik soll die Lücke zwisch ... weiterlesen |
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resistive random access memory : RRAM
Resistive Random Access Memories (RRAM oder ReRAM) sind nichtflüchtige Speicher, Non-Volatile Memories (NVM), die auf der Widerstandsänderung von dielektrischen Materialien basieren. Durch Anlegen ... weiterlesen |
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synchronous DRAM : SDRAM
Ein SynchronousDynamic RAM (SDRAM) ist ein Speicherbaustein, der alle Input- und Output-Signale synchron zum Systemtakt verarbeitet. Der Vorteil der SDRAMs, die sich für hohe Taktraten eignen, liegt ... weiterlesen |
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synchronous graphics RAM : SGRAM
Das SynchronousGraphicsRAM (SGRAM) ist ein schneller Grafikspeicher mit synchronem Interface. Die Zugriffszeiten liegen zwischen 8 ns und 15 ns, die Taktrate bei 166 MHz. SGRAMs arbeiten als takts ... weiterlesen |
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synchronous link DRAM : SLDRAM
Synchronous LinkDRAM (SLDRAM) sind extrem schnelle, synchron arbeitende dynamische RAMs. SLDRAMs nutzen eine Multiplexertechnologie um die Bandbreite an jedem einzelnen Pin zu steigern. Bei den S ... weiterlesen |
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virtual channel SDRAM : VC-SDRAM
Bei der VCM-Technologie, Virtual Channel Memory (VCM), die in dem Synchronous Dynamic RAM (SDRAM) verwirklicht wird, handelt es sich um eine von NEC entwickelte Speichertechnik, die u.a. besondere V ... weiterlesen |
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virtual channel memory : VCM
Virtual ChannelMemory (VCM) ist eine von NEC entwickelte Architektur, mit der verschiedene Blöcke innerhalb des Speicherbausteins separat über den Controller angesprochen werden können, die über e ... weiterlesen |