Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD) ist eine chemische Gasphasenabscheidung ( CVD), die mit Plasma bei niedrigen Temperaturen zwischen 250 °C und 350 °C arbeitet.
Beim PECVD-Verfahren wird aus einem siliziumhaltigen Gas Silizium abgeschieden und dotiert. Es schlägt sich auf einem Trägermaterial nieder. Mit dem Verfahren der plasmaunterstützen Gasphasenabscheidung können auch Materialien mit niedrigem Schmelzpunkt wie beispielsweise Aluminium, dessen Schmelzpunkt bei 500 °C liegt, in Leiterplatten eingesetzt werden.