Der Isolated Gate FET (IGFET) unterscheidet sich von anderen Feldeffekttransistoren dadurch, dass er eine isolierende Schicht zwischen Gate und dem Source-Drain- Kanal hat. Die Leitfähigkeit des Stromkanals von IGFETs wird von einem elektrischen Querfeld gesteuert.
Bedingt durch die isolierende Schicht zwischen Gate und Stromkanal ist der Eingangswiderstand extrem hoch und reicht bis in den Giga- Ohm-Bereich. Gesteuert wird er durch einen dynamischen Steuerstrom. Weitere Kennwerte sind die extrem kurzen Schaltzeiten, die darauf basieren, dass IGFETs keine Speicherzeiten und keine Überschussladung haben. Hinzu kommt der positive Temperaturkoeffizient des Kanalwiderstands. Isolated Gate FETs gibt es als n-Kanal- und p-Kanal-Typen.
Floating-Gate-Transistoren, auch als FGMOS bezeichnet, gehören zur Gruppe der Isolated Gate FETs.