Das Enhanced Dynamic Random Access Memory (eDRAM) ist ein dynamisches RAM ( DRAM), das ein kleines Static RAM ( SRAM) mit einem größeren Dynamic RAM (DRAM) kombiniert.
Das von NEC entwickelte eDRAM hat den Vorteil, dass der Zugriff über das SRAM schneller ist als der über das DRAM. Entsprechend betragen die Zugriffszeiten 15 ns bei Zugriff auf das SRAM und 35 ns bei Zugriff auf das DRAM. eDRAMs werden in Caches eingesetzt, und zeichnen sich durch eine höhere Dichte gegenüber SRAMs aus, und benötigen daher eine geringere Fläche auf dem Chip. eDRAMs arbeiten mit Taktraten von 450 MHz und einer Betriebsspannung von 1,2 V.