Die Miniaturisierung von HF-Komponenten und -Schaltungen steht in direktem Zusammenhang mit der Miniaturisierung der mobilen Endgeräte. Diese Forderung kann maßgeblich durch die auf mechanischen Volumenwellen basierenden Techniken der Bulk Acoustic Wave (BAW) und des Film Bulk Acoustic Resonator ( FBAR) realisiert werden.
Beide Techniken sind vergleichbar, sie werden in HF- Filtern, Resonatoren, MEMS-Resonatoren und Duplexern eingesetzt, und basieren auf implantiertem Silizium.
Die BAW-Technologie ist integraler Bestandteil der Wafer-Prozesses. Dadurch sind BAW- Filter äußerst leitungsfähig und sehr klein. Außerdem erreichen sie Gütefaktoren von über 1.000 und Einfügungsdämpfungen, die unterhalb von 0,5 dB pro Filter liegt.
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BAW-Filter gibt es für Frequenzbereiche zwischen unter 1 GHz bis hinauf zu ca. 20 GHz, also für alle Mobilfunk- und Drahtlos-Technologien.
Verglichen mit Oberflächenwellenfiltern ( SAW) zeichnen sich die BAW-Filter durch einen verbesserten Energieverbrauch und einen besseren Temperaturkoeffizienten aus, der typischerweise unter 20 ppm/ Kelvin liegt. Im Vergleich zu Keramikfilter bestechen sie durch wesentlich geringere Abmessungen.