WBG (wide bandgap semiconductor)

Wide Bandgap Semiconductors (WBG) sind Halbleiter mit großer Bandlücke. Der Energieabstand der Bandlücke zwischen Valenzband und Leitungsband liegt bei diesen Verbindungshalbleitern zwischen 2 Elektronenvolt (eV) und 4 eV und darüber.

Zu den bekanntesten WBG-Halbleitern gehören Siliziumcarbid (SiC) als IV-IV-Verbindungshalbleiter mit einem Energieabstand von 3,1 eV, Galliumnitrid (GaN) mit einer Bandlücke von 3,4 eV und Indiumgalliumnitrid (InGaN) als III-V-Verbindungshalbleiter mit einem Energieabstand zwischen 0,7 eV und 3,37 eV.

WBG-Halbleiter zeichnen sich durch eine hohe Durchbruchspannung und einen hohen Temperaturbereich aus. Sie haben geringe Verluste und können Spannungen von mehreren Kilovolt und höchste Frequenzen verarbeiten. Bedingt durch diese Eigenschaften eignen sich WBG-Halbleiter für Leistungshalbleiter in der Leistungselektronik, für rauscharme Verstärker sowie für Mikrowellen- und HF-Verstärker. Darüber hinaus für Leuchtdioden, die in der Automotive-Technik und der Beleuchtungstechnik eingesetzt werden.

Informationen zum Artikel
Deutsch: Wide-Bandgap-Halbleiter
Englisch: wide bandgap semiconductor - WBG
Veröffentlicht: 11.06.2018
Wörter: 134
Tags: #Aktive Bauelemente
Links: Automotive-Technik, Bandlücke, Beleuchtung, Durchbruchspannung, Elektronenvolt