TSV (through-silicon via)

Die Through-Silicon-Via-Technik (TSV) ist eine Durchkontaktierungstechnik auf Silizium-Basis. Die TSV-Technik wird in der Halbleitertechnik bei vertikal angeordneten NANDs, den 3D-NANDs, in Komponenten der Optoelektronik und in der Mikrosystemtechnik (MST) für die Herstellung vertikaler, elektrisch leitender Verbindungen zwischen den integrierten Teilchips eines System-in-Package (SiP) eingesetzt.

Through 
   Silicon Via (TSV), Foto: statschippac.com

Through Silicon Via (TSV), Foto: statschippac.com

Mit der TSV-Technik können Microvias mit einem Durchmesser von etwa 30 µm und einer Tiefe von einigen hundert Mikrometer in Halbleiter geätzt werden. Diese nichtleitenden Verbindungen müssen mit einem elektrisch leitenden Metall gefüllt werden.

TSV-Technik, 
   Through-Silicon Via

TSV-Technik, Through-Silicon Via

Durch die Through-Silicon-Vias können im Gegensatz zur Drahtbondierung kürzeste Verbindungen vom oberen metallischen Layer eines 3D-ICs zur metallischen Unterseite hergestellt werden. Durch die Technik verringert sich der Stromverbrauch und es werden höhere Datenraten von über 1 Gbit/s realisiert.

Informationen zum Artikel
Deutsch: Silizium-Durchkontaktierung
Englisch: through-silicon via - TSV
Veröffentlicht: 01.07.2016
Wörter: 134
Tags: #Chip-Technologien
Links: 3D-IC (three-dimensional integrated circuit), 3D-NAND-Speicher, Datenrate, Gbit/s (Gigabit pro Sekunde), Halbleiter