TSV (through-silicon via)

Die Through-Silicon-Via-Technik (TSV) ist eine Durchkontaktierungstechnik auf Silizium-Basis. Mit der TSV-Technik wird eine kürzest mögliche Verbindung zwischen der Chip-Unterseite zur -Oberseite geschaffen.

Durch die Through-Silicon-Vias können kürzeste Verbindungen vom oberen metallischen Layer eines Chips zur Unterseite hergestellt werden. Durch die Technik verringert sich der Stromverbrauch und es werden wegen der kürzeren Verbindungen höhere Datenraten erzielt, als bei der Drahtbondierung.

Through Silicon Via (TSV), Foto: statschippac.com

Through Silicon Via (TSV), Foto: statschippac.com

Die TSV-Technik bietet sich für vertikal angeordnete DRAMs und NANDs an, den 3D-NANDs, außerdem für Komponenten der Optoelektronik und der Mikrosystemtechnik (MST), bei dem die TSV-Technik bei der Herstellung vertikaler Verbindungen zwischen den integrierten Teilchips eines System-in-Package (SiP) eingesetzt wird.

TSV-Technik, 
   Through-Silicon Via

TSV-Technik, Through-Silicon Via

Mit der TSV-Technik können Microvias mit einem Durchmesser von etwa 30 µm und einer Tiefe von einigen hundert Mikrometer in Halbleiter geätzt werden. Diese nichtleitenden Verbindungen werden mit einem elektrisch leitenden Metall, meistens Kupfer, gefüllt.

Informationen zum Artikel
Deutsch: Silizium-Durchkontaktierung
Englisch: through-silicon via - TSV
Veröffentlicht: 29.03.2020
Wörter: 154
Tags: Chip-Technologien
Links: 3D-NAND-Speicher, Chip, Cu (copper), Datenrate, Halbleiter