Ein Random Access Memory (RAM) ist ein flüchtiger Speicher mit wahlfreiem (random) Zugriff. Es ist der Arbeitsspeicher von Computern. Random Access Memorys gibt es als Static RAMs (SRAM), das sind statische Direktzugriffsspeicher und als Dynamic RAMs ( DRAM), das sind dynamische Direktzugriffsspeicher. Statische RAMs zeichnen sich durch extrem kurze Zugriffszeiten aus, verbrauchen weniger Strom als DRAMs und verarbeiten die Daten synchron zum Bustakt.
SRAMs werden in allen Caches eingesetzt, so in Level-1-Caches, L2 und L3, und können die gespeicherten Daten ohne klassisches Refresh mit periodischer Auffrischung erhalten. Im Unterschied zur Refresh-Technik arbeiten SRAMs mit einem geringen Ruhestrom aus einer Batteriepufferung. Der Ruhestrom kumuliert sich über die vielen SRAM- Zellen zu einem höheren Strom. Die Speicherzellen von SRAMs werden über ihre Speicheradresse angesprochen.
Als Speicher benutzen Static RAMs Flipflops; im Unterschied dazu speichern Dynamic RAMs die digitalen Werte in MOS-Kondensatoren. Jedes einzelne Bit wird durch einen Flipflop repräsentiert. Bei dieser Konstellation fungiert ein Transistor als Schalter anstelle des CMOS-Kondensators. Er repräsentiert die Positionen "0" und "1". Die gespeicherten Daten werden beim Auslesen nicht gelöscht und bleiben auch nach Abruf weiterhin erhalten. Die Speicherzellen können drei verschiedene Zustände annehmen: den Standby Mode, das Auslesen und das Speichern von Daten. Da SRAMs kein Refresh benötigen, sind sie wesentlich schneller als Dynamic RAMs (DRAM). Die Zugriffszeit liegt im Bereich zwischen 8 ns und 20 ns, die Taktfrequenz bei 500 MHz.
Spezielle Ausführungen des SRAMs wie das Pipeline Burst SRAM ( PB SRAM) haben Zugriffzeiten von 4 ns bis 8 ns und einen Burstzyklus von 3-1-1-1 für Busgeschwindigkeiten von 133 MHz. Das bedeutet drei Taktzyklen für das erste und jeweils ein Taktzyklus für die folgenden Worte.
SRAMs können in Ball Grid Array ( BGA) mit 85 Anschlussstiften ausgeführt sein und werden als Level-1-Cache eingesetzt.