Siliziumnitrid (Si3N4) ist ein amorphes Halbleitermaterial, das in Floating-Gates von MONOS-Flashs und in Charge-Trap-Flashs ( CTF) eingesetzt wird.
Siliziumnitrid hat gegenüber anderen Halbleitern den Vorteil, dass es nichtleitend ist und bei Lecks in der Siliziumnitrid- Schicht keine Ladungsträger abfließen.
Siliziumnitrid gehört zu den High-k-Dielektrika und hat eine Permittivität von 7, die Bandlücke beträgt 5,1 Elektronenvolt ( eV). Es wird auch zur Passivierung von Solarzellen für das Rückseitenfeld, das Black Surface Field ( BSF), verwendet um den Wirkungsgrad von Solarzellen zu erhöhen.