Organische Feldeffekttransistoren (OFET) haben die gleichen Elektroden mit den gleichen Bezeichnungen wie anorganische, auf Silizium basierende Feldeffekttransistoren ( FET), nämlich die Source, die die Ladungsträger generiert, die Drain als Auffangelektrode und das Gate als Steuerelektrode.
Im Unterschied zu konventionellen FETs ist der Stromfluss-leitende Kanal zwischen Source und Drain aus organischen Halbleitern. Das Substrat besteht häufig aus oxidiertem Silizium. Neben diesen OFETs gibt es bereits solche, bei denen auch das Substrat aus organischem Material besteht. Die Leistung von OFETs hat sich in den letzten Jahren rapide entwickelt, zwischenzeitlich sind sie in ihrer Leistung vergleichbar mit amorphen Silizium-basierten Dünnschicht- Transistoren, was letztlich auf die wesentlich verbesserte Leitfähigkeit zurückzuführen ist. Diese hat sich seit den 90er Jahren bei polykristallinen OFETs von etwa `10^-4` S/cm auf `10^1` S/cm erhöht.
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Die OFET-Technik kann kostengünstig in gedruckter Elektronik hergestellt werden und ist je nach Substrat äußerst flexibel. Eingesetzt wird sie u.a. als Organic Thin Film Transistor in OTFT-Displays.