Um bei Speicherbausteinen möglichst hohe Transferraten und geringe Latenzzeiten zu erreichen, werden die Datenbusse direkt im Speicherchip terminiert. Die On-Die-Terminierung (ODT) oder auch On- Chip-Termination (OCT) sorgt für einen entsprechenden Leitungsabschluss und die I/O- Impedanzanpassung für die Lese- und Schreibbusse.
Die On-Die-Termination hat den Vorteil, dass bei hohen Taktraten weniger Signalreflektionen auf dem Speicherbus entstehen und es dadurch zu weniger Interferenzen und Signalverzerrungen kommt. Bei dieser Technik wird auf externe Abschlusswiderstände verzichtet, wodurch sich die Anzahl der Bauelemente und der dafür benötigte Platzbedarf reduziert. Die On-Die-Termination-Technik wird in Double Date Rate Synchronous DRAMs ( DDR-SDRAM) und in Reduced Latency DRAMs ( RLDRAM) eingesetzt.