MOS (metal oxide semiconductor)

Die MOS-Technologie (Metal Oxide Semiconductor) ist eine monolithische Halbleiter-Technologie für diskrete Bauelemente und integrierte Schaltungen (IC), die in den verschiedenen Varianten als NMOS (n Channel MOS), PMOS (p Channel MOS), CMOS (Complementary Symmetry Metal Oxide Semiconductor) und MOSFET zum Einsatz kommt. Die Kombination von NMOS mit einem negativen und PMOS einem positiven Ladungsüberschuss ergibt die komplementäre Technik CMOS.


Basis aller MOS-Technologien ist ein Halbleitermaterial auf das verschiedene Isolierschichten aus Metalloxyden und Siliziumoxyd aufgedampft werden. Da MOS-Schaltungen durch die Metalloxyd-Schichten sehr hochohmig sind, sind für die Steuerung nur geringste Ströme erforderlich und erzeugen auch kaum Verlustwärme. Sie sind allerdings äußerst empfindlich gegenüber statischen Aufladungen, die zur Zerstörung des Bauteils führen können. Beim Arbeiten mit MOS-Schaltungen sind daher bestimmte Sicherheitsmaßnahmen zu beachten.

MOS-Technologievarianten: 
   CMOS, PMOS, NMOS

MOS-Technologievarianten: CMOS, PMOS, NMOS

Die MOS-Technologie zeichnet sich durch eine hohe Integrationsdichte aus und geringen Leistungsverbrauch aus und wird bei integrierten Schaltungen und Mikroprozessoren angewandt, meistens als CMOS-Technologie.

Informationen zum Artikel
Deutsch: MOS-Technologie
Englisch: metal oxide semiconductor - MOS
Veröffentlicht: 25.03.2008
Wörter: 158
Tags: #Chip-Technologien
Links: CMOS (complementary metal oxide semiconductor), Halbleiter, Hochohmig, IC (integrated circuit), Integrationsdichte