Was die Displaytechnik betrifft, so wurden seit den 70er Jahren viele unterschiedliche Displaytechniken entwickelt, von denen sich nur einige wenige am Markt durchgesetzt haben. Low Temperature Poly Silicon (LTPS) ist eine von mehreren Entwicklungen, die auf einem TFT-Display basiert. Die LTPS-Technik zeichnet sich durch eine geringe Leistungsaufnahme aus und benötigt keine Hintergrundbeleuchtung.
Beim LTPS-Verfahren wird eine Siliziumschicht, die auf ein Glassubstrat aufgebracht ist, bei etwa 400 °C mit einem Laser auskristallisiert. Dieses Verfahren wurde von Sharp weiterentwickelt zu Continuous Grain Silicon ( CG-S), das sich durch regelmäßige Kristallstrukturen mit einheitlicher Größe und Ausdehnung auszeichnet. Die Kristallstrukturen und Pixelgrößen sind kleiner als bei anderen Techniken und erlauben daher die Darstellung von hochauflösenden Bildern im 4K-Standard. Bei diesem polykristallinen Silizium ist die Beweglichkeit der Ladungsträger um ein Vielfaches -ca. 600-fach - höher als bei amorphem Silizium. Die Ladungsträgerbeweglichkeit übertrifft die von Organic Light Emitting Diodes ( OLED). Außerdem kann die LTPS-Technik auch auf Kunststoffsubstraten hergestellt werden und liegt im Stromverbrauch weit unter vergleichbaren Displays. Dieser Energiespareffekt ist ideal für den Einsatz von LTPS-Displays in Mobilgeräten.
Die LTPS-Technik zeichnet sich durch eine höhere Kompaktheit aus, die sich in einer höheren Pixeldichte und damit eine besseren Auflösung niederschlägt. Die Transistoren sind kleiner und die Verbindungsleitungen dünner. Darüber hinaus haben LTPS-Displays eine höhere Helligkeit und einen größeren Kontrast gegenüber reinen TFT-Displays.
Eingesetzt wird die LPTS-Technologie wegen des geringen Stromverbrauchs als Basistechnologie in der Memory- In- Pixel-Technik ( MIP), in LCD-Displays für Active Matrix OLEDs ( AMOLED) in Microdisplays, Smartphones, Computeruhren und Digitalkameras.