low pressure CVD (LPCVD)

Low Pressure Chemical Vapour Deposition (LPCVD) ist ein Beschichtungsverfahren, das im Gegensatz zu den anderen CVD-Verfahren, Chemical Vapour Deposition, mit Unterdruck arbeitet.

Das LPCVD-Verfahren wird zur Herstellung von dünnsten Siliziumschichten aus Siliziumnitrid oder Siliziumoxinitrid eingesetzt. Der Vorteil des LPCVD-Verfahrens liegt in der Dichte und der gleichmäßigen Verteilung der Beschichtung. Der LPCVD-Prozess wird bei einer Temperatur von 900 °C ausgeführt.

Informationen zum Artikel
Deutsch:
Englisch: low pressure CVD - LPCVD
Veröffentlicht: 11.10.2013
Wörter: 61
Tags: Chip-Technologien
Links: Beschichtung, Chemische Gasphasenabscheidung, Druckbelastung, Siliziumnitrid,