LDMOS (lateral diffused metal oxid semiconductor)

Lateral Diffused Metal Oxid Semiconductor (LDMOS) sind Leistungshalbleiter, die in HF-Leistungsverstärkern zur Verstärkung der Sendesignale im Mikrowellenbereich eingesetzt werden, u.a. in Basisstationen von GSM- und UMTS-Netzen.

LDMOS-Halbleiter unterscheiden sich von anderen Transistoren durch die epitaxiale Siliziumschicht und unterschiedliche Ionenimplementierungen.

LDMOS-Halbleiter können im Mikrowellenbereich bis hin zu mehreren Gigahertz eingesetzt werden. Ihre mittlere Ausgangsleistung kann bis zu 50 dBm bei Frequenzen von über 2 GHz betragen und ihr Verstärkungsfaktor über 15 dB. Es werden Spitzen-Ausgangsleistungen erreicht, die im Kilowatt-Bereich liegen. Da ihr Verhältnis von Spitzenleistung zur mittleren Ausgangsleistung relativ ungünstig ist, werden sie vorwiegend in Mobilfunknetzen mit den Zugriffsverfahren Code Division Multiple Access (CDMA) und Orthogonal Frequency Division Multiple Access (OFDMA) eingesetzt.

Informationen zum Artikel
Deutsch: LDMOS-Transistor
Englisch: lateral diffused metal oxid semiconductor - LDMOS
Veröffentlicht: 04.01.2015
Wörter: 117
Tags: #Aktive Bauelemente
Links: Basisstation, CDMA (code division multiple access), dB (decibel), dBm (decibel milliwatt), Frequenz