Lateral Diffused Metal Oxid Semiconductor (LDMOS) sind Leistungshalbleiter, die in HF-Leistungsverstärkern zur Verstärkung der Sendesignale im Mikrowellenbereich eingesetzt werden, u.a. in Basisstationen von GSM- und UMTS-Netzen.
LDMOS- Halbleiter unterscheiden sich von anderen Transistoren durch die epitaxiale Siliziumschicht und unterschiedliche Ionenimplementierungen.
LDMOS-Halbleiter können im Mikrowellenbereich bis hin zu mehreren Gigahertz eingesetzt werden. Ihre mittlere Ausgangsleistung kann bis zu 50 dBm bei Frequenzen von über 2 GHz betragen und ihr Verstärkungsfaktor über 15 dB. Es werden Spitzen-Ausgangsleistungen erreicht, die im Kilowatt-Bereich liegen. Da ihr Verhältnis von Spitzenleistung zur mittleren Ausgangsleistung relativ ungünstig ist, werden sie vorwiegend in Mobilfunknetzen mit den Zugriffsverfahren Code Division Multiple Access ( CDMA) und Orthogonal Frequency Division Multiple Access ( OFDMA) eingesetzt.