InP (indium phosphide)

Indiumphosphid (InP) ist ein III-V-Verbindungshalbleiter, der aus Indium (In) und Phosphor (P) besteht und bei elektrischer Stimulation Licht emittiert. Es kann in der Mikrowellentechnik bei Frequenzen von 30 GHz bis hin zu über 100 GHz eingesetzt werden und hat vergleichbare Eigenschaften wie Galliumarsenid (GaAs) und Galliumnitrid (GaN), eignet sich allerdings für wesentlich höhere Frequenzen.


Da der Herstellungsprozess von Indiumphosphid-Halbleitern kostenintensiver ist als der von GaN- und GaAs-Halbleitern, wird der Verbindungshalbleiter vorwiegend dort eingesetzt, wo speziellen Eigenschaften entsprechende Vorteile bieten. So in Gunn-Dioden bei höchsten Frequenzen, in der Optoelektronik, in QLED-Displays und in Laser in optischen Netzen. Die Lichtemission liegt bei Wellenlängen um die 1.300 nm und bei 1.550 nm. Indiumphosphid hat bei Zimmertemperatur eine Bandlücke von 1,3 Elektronenvolt (eV).

Leistungs- und Frequenzbereiche 
   von verschiedenen Halbleitermaterialien

Leistungs- und Frequenzbereiche von verschiedenen Halbleitermaterialien

In hybriden Sliziumlasern, wie sie in der Silicon Photonics eingesetzt werden, wird das emittierte Licht durch das InP-basierte Material verstärkt. Die Wellenlänge der Lichtemission wird durch die Abstände in einem Beugungsgitter, das in das Silizium geätzt ist, bestimmt.

Informationen zum Artikel
Deutsch: Indiumphosphid
Englisch: indium phosphide - InP
Veröffentlicht: 16.02.2018
Wörter: 167
Tags: #Elektronik-Materialien
Links: Bandlücke, Elektronenvolt, Frequenz, GaAs (gallium arsenide), GaN (gallium nitride)