InGaN (indium gallium nitride)

Die Kombination von Indiumnitrid (InN) und Galliumnitrid (GaN) zu Indiumgalliumnitrid (InGaN) ist ein III-V-Verbindungshalbleiter, der in der Chip-Technologie in Laserdioden (LD) eingesetzt wird.

Mit InGaN können LEDs produziert werden, die Licht mit Wellenlängen von ultraviolett bis grün emittieren. Die unterschiedlichen Wellenlängen werden durch Änderung der Anteile an Indium und Gallium erzielt. Je höher der Anteil an Indiumnitrid ist, desto länger werden die Wellenlängen. Bei einem Anteil von 30 % InN liegt die Wellenlänge bei 440 nm. Typische Emissions-Wellenlängen liegen bei 380 nm, 405 nm, 450 nm und 470 nm.

Mit dem Verhältnis zwischen beiden Halbleitermaterialien ändert sich auch die Bandlücke, die zwischen 0,7 eV und 3,37 eV betragen kann. Eingesetzt wird die InGaN-Technologie u.a. in optischen Speichern sowie in Scheinwerfern und Blinklichtern von Kraftfahrzeugen.

Informationen zum Artikel
Deutsch: Indiumgalliumnitrid
Englisch: indium gallium nitride - InGaN
Veröffentlicht: 29.12.2017
Wörter: 129
Tags: #Elektronik-Materialien
Links: Bandlücke, Elektronenvolt, GaN (gallium nitride), Grün, III-V-Verbindungshalbleiter