InGaAs (indium gallium arsenide)

Indiumgalliumarsenid (InGaAs) ist ein Halbleitermaterial für Fotodioden und Laserdioden. Es hat seine höchste Empfindlichkeit bei längeren Wellenlängen im Infrarotbereich bis zu 1.700 nm.

Laserdioden aus InGaAs arbeiten im Wellenlängenbereich zwischen 900 nm und 1.100 nm und werden als Pumplaser in EDFA-Verstärkern und anderen optischen Verstärkern eingesetzt. Außerdem kommt das Halbleitermaterial in Superlumineszenzdioden (SLD) und Bildsensoren zum Einsatz, und wegen seiner guten HF-Eigenschaften auch als Trägerkanalmaterial in Feldeffekttransistoren und FinFETs.

Indium Gallium Arsenid wird in mehrschichtigen Solarzellen als unterste Schicht eingesetzt, wo es den Infrarotanteil des Sonnenlichts absorbiert. Außerdem in Infrarotkameras für den Nachweis von Short Wavelength Infrared (SWIR).

Informationen zum Artikel
Deutsch: Indiumgalliumarsenid
Englisch: indium gallium arsenide - InGaAs
Veröffentlicht: 01.07.2019
Wörter: 104
Tags: #Elektronik-Materialien
Links: Bildsensor, EDFA-Verstärker, Empfindlichkeit, FET (field effect transistor), FinFET