Die ILD-Laserdiode (Injection Laser Diode) ist eine Halbleiter-Laserdiode, weil sie einen speziell gedopten Übergang zwischen einer P- Schicht und einer N-Schicht für die kohärente Lichtstrahlung benutzt.
Durch das Dopen werden bei Spannungszuführung Photonen emittiert, die die Lichtstrahlung erzeugen. Der Lasereffekt wird durch eine Rückkopplungsschleife erzeugt.
Die Injection Laser Diode arbeitet in Durchlassrichtung. Ihre Kennlinie zeigt bei ca. 300 mA einen starken Knick, der den Übergang zwischen normaler Lichtstrahlung und Lasereffekt kennzeichnet. Nach diesem Knick steigt die Lichtemission wesentlich steiler an, als vor dem Knick.