Der Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) ist ein verbesserter Bipolar Junction Transistor ( BJT), der höchste Frequenzen bis zu mehreren hundert Gigahertz ( GHz) verarbeiten kann.
Beim Heterojunction Bipolar Transistor handelt sich um einen NPN-Transistor, bei dem die Basis aus einem Halbleitermaterial wie Galliumindiumphosphid (GaInP) oder Aluminiumgalliumarsenid ( AlGaAs) besteht, das stark positiv dotiert ist und eine große Bandlücke zwischen Leitungsband und Valenzband hat.
Emitter und Kollektor sind dagegen negativ dotiert und haben eine geringere Bandlücke. Es gibt verschiedene Halbleitermaterialien die diese Eigenschaften erfüllen: Indiumphosphid ( InP) in Kombination mit Indiumgalliumarsenid ( InGaAs) oder Indiumgalliumphosphid (InGaP) und Galliumarsenid ( GaAs).
Die Basis der HBT- Transistoren weist große Bandlücken auf und ist nur einige atomare Lagen dünn, so dass die Elektronen diese quasi ohne Beeinträchtigung passieren.
HBTs werden in ultraschnellen Schaltkreisen und in der Mikrowellentechnik eingesetzt. Darüber hinaus eignen sich HBTs aus Indiumphosphid und Indiumgalliumarsenid (InGaAs) ideal für monolithische, opto-elektronische Schaltkreise. Darüber hinaus werden HBTs in HF- Mischern, A/D-Wandlern und D/A-Wandlern eingesetzt.