GaAs (gallium arsenide)

Galliumarsenid (GaAs) ist ein amorpher Verbindungshalbleiter, der zu der Gruppe der III-V-Verbindungshalbleiter zählt. Galliumarsenid hat eine Bandlücke von 1,4 Elektronenvolt (eV) und wird in den verschiedensten höchstfrequenten Halbleiter-Bauelementen, in Dünnschichtsolarzellen und in Infrarot-LEDs eingesetzt.

Da sich Galliumarsenid durch ein extrem schnelles Schaltverhalten und eine geringe Leistungsaufnahme auszeichnet, findet man es in den Heterojunction Bipolar Transistors (HBT) von ultraschnellen Schaltkreisen für die optische Übertragungstechnik, ebenso in High Electron Mobility Transistors (HEMT), mit denen Mikrowellen verstärkt werden, in rauscharmen Verstärkern (LNA), als HF-Leistungsverstärkern in Basisstationen und in kleinsten Monolithic Microwave Integrated Circuits (MMIC). Galliumarsenid kann allerdings nicht so hohe Spannungen verarbeiten wie Galliumnitrid (GaN).

Leistungs- und Frequenzbereiche von verschiedenen Halbleitermaterialien

Leistungs- und Frequenzbereiche von verschiedenen Halbleitermaterialien

Weiterhin wird monokristallines Galliumarsenid in der Photovoltaik in Dünnschichtsolarzellen und in Bauelementen für die Lichtemission eingesetzt, wo es Infrarotlicht emittiert.

Informationen zum Artikel
Deutsch: Galliumarsenid
Englisch: gallium arsenide - GaAs
Veröffentlicht: 06.01.2015
Wörter: 137
Tags: #Elektronik-Materialien
Links: Bandlücke, Basisstation, Dünnschichtsolarmodul, Elektronenvolt, GaN (gallium nitride)