Galliumarsenid

Galliumarsenid (GaAs) ist ein amorpher Verbindungshalbleiter, der zu der Gruppe der III-V-Verbindungshalbleiter zählt. Galliumarsenid hat eine Bandlücke von 1,4 Elektronenvolt ( eV) und wird in den verschiedensten höchstfrequenten Halbleiter-Bauelementen, in Dünnschichtsolarzellen und in Infrarot-LEDs eingesetzt.

Da sich Galliumarsenid durch ein extrem schnelles Schaltverhalten und eine geringe Leistungsaufnahme auszeichnet, findet man es in den Heterojunction Bipolar Transistors ( HBT) von ultraschnellen Schaltkreisen für die optische Übertragungstechnik, ebenso in High Electron Mobility Transistors ( HEMT), mit denen Mikrowellen verstärkt werden, in rauscharmen Verstärkern ( LNA), als HF-Leistungsverstärkern in Basisstationen und in kleinsten Monolithic Microwave Integrated Circuits ( MMIC). Galliumarsenid kann allerdings nicht so hohe Spannungen verarbeiten wie Galliumnitrid ( GaN).

Leistungs- und Frequenzbereiche von verschiedenen Halbleitermaterialien

Leistungs- und Frequenzbereiche von verschiedenen Halbleitermaterialien

Weiterhin wird monokristallines Galliumarsenid in der Photovoltaik in Dünnschichtsolarzellen eingesetzt und zeichnet sich durch einen Wirkungsgrad von 25 % aus. Ein weiteres Einsatzgebiet für Galliumarsenid sind Bauelementen für die Lichtemission von Infrarotlicht, so beispielsweise Halbleiterlaser, in denen das Substrat aus Gallium besteht.

Informationen zum Artikel
Deutsch: Galliumarsenid
Englisch: gallium arsenide - GaAs
Veröffentlicht: 02.04.2020
Wörter: 158
Tags: EK-Materialien
Links: Verbindungshalbleiter, III-V-Verbindungshalbleiter, Bandlücke, Elektronenvolt, Elektronenvolt
Übersetzung: EN
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