GTO-Thyristoren (Gate Turn-Off Thyristor) sind Leistungs-Schaltthyristoren. Sie sind wie normale Thyristoren als Vierschicht- Halbleiter aufgebaut, allerdings haben die einzelnen positiv und negativ dotierten Schichten unterschiedliche Dotierungen.
GOT-Thyristoren können im Gegensatz zu normalen Thyristoren durch Stromimpulse ein- und auch ausgeschaltet werden. Während bei konventionellen Thyristoren die Abschaltung durch Strom- und Spannungsumkehr des Hauptstroms erfolgt, können GTO-Thyristoren wie konventionelle Thyristoren mit einem positiven Steuerimpuls am Gate eingeschaltet und durch einen Rückwärts-Steuerimpuls auch ausgeschaltet werden. Der Abschaltstrom ist relativ hoch, weswegen GTO-Thyristoren aus vielen kleineren Thyristoreinheiten bestehen, die parallel geschaltet den GTO-Thyristor bilden. Das führt allerdings dazu, dass bei prozesstechnischen Abweichungen zwischen den einzelnen Thyristor-Einheiten bestimmte Thyristoren bereits abgeschaltet sind, während andere den Abschaltstrom von diesen übernehmen müssen. Dies kann zur Überhitzung und Zerstörung von GTO-Thyristoren führen.
Da der Abschaltstrom relativ hoch ist und wie erwähnt zur Zerstörung der GTO-Thyristoren führen kann, ist für die Ansteuerung eine spezielle Steuerelektronik erforderlich. Durch die Abschaltmöglichkeiten wird die Löschung, die bei normalen Thyristoren erfolgt, vermieden.
Eingesetzt werden GTO-Thyristoren in der Leistungselektronik, speziell in der IGBT-Technik zur Schaltung von Strömen bis zu mehreren tausend Ampere, bei Hochspannungen von 5 kV und darüber. Eine Weiterentwicklung des GTO-Thyristors ist der Integrated Gate Commutated Thyristor ( IGCT).