Das Enhanced Synchronous DRAM (ESDRAM) ist vergleichbar dem Enhanced DRAM ( eDRAM).
Ein ESDRAM besteht aus einem Synchronous Dynamic RAM ( SDRAM) und einem kleinen Static RAM ( SRAM). Da der Zugriff über das SRAM schneller ist als der über das Synchronous Dynamic RAMs (SDRAM), ist dieser Kombinations-Speicherchips für den Einsatz in Cache prädestiniert. So wird das ESDRAM, das die Synchron-Version des EDRAMs darstellt, hauptsächlich im Second Level Cache ( L2) eingesetzt. Die Zugriffszeiten liegen bei 6 ns und die Taktrate zwischen 133 MHz und 166 MHz. Das ESDRAM wird mit 3,3 V (3V3) versorgt und hat 168 Pins.