ESDRAM (enhanced synchronous DRAM)

Das Enhanced Synchronous DRAM (ESDRAM) ist vergleichbar dem Enhanced DRAM (eDRAM). Es besteht aus einem Synchronous Dynamic RAM (SDRAM) und einem kleinen Static RAM (SRAM). Da der Zugriff über das SRAM schneller ist als der über das Synchronous Dynamic RAMs (SDRAM), ist dieser Kombinations-Speicherchips für den Einsatz in Cache prädestiniert. So wird das ESDRAM, das die Synchron-Version des EDRAMs darstellt, hauptsächlich im Second Level Cache (L2) eingesetzt. Die Zugriffszeiten liegen bei 6 ns und die Taktrate zwischen 133 MHz und 166 MHz. Das ESDRAM wird mit 3,3 V (3V3) versorgt und hat 168 Pins.

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Deutsch:
Englisch: enhanced synchronous DRAM - ESDRAM
Veröffentlicht: 16.10.2013
Wörter: 94
Tags: #RAMs
Links: Cache, eDRAM (enhanced dynamic random access memory), L2 (second level cache), Megahertz, pin