EOT (equivalent oxide thickness)

Halbleiter haben zwischen dem Transistorkanal und dem Gate ein Dielektrikum aus einem Oxid. Um hohe Schaltgeschwindigkeiten erreichen zu können, sollte ein solches Dielektrikum sollte äußerst dünn sein. Die dafür benutzten Materialien werden als High-k-Dielektrika bezeichnet, sobald deren Permittivität den Wert von 4 übersteigt. In der Halbleitertechnik hat sich als Vergleichsmaß die äquivalente Oxiddicke, Equivalent Oxide Thickness (EOT), bewährt. Der EOT-Wert ist ein Vergleichswert, der angibt wie dick eine Siliziumdioxidschicht sein müsste, um dieselben Dielektrizitätskonstanten aufzuweisen, wie das High-k-Dielektrikum.

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Deutsch:
Englisch: equivalent oxide thickness - EOT
Veröffentlicht: 15.02.2018
Wörter: 87
Tags: Chip-Technologien
Links: Dielektrikum, Halbleiter, High-k-Dielektrikum, Permittivität,