EEL (edge-emitting laser)

Bei den Halbleiterlasern unterscheidet man zwischen oberflächenemittierenden und kantenemittierenden Lasern. Bei den Oberflächen-emittierenden Lasern wird das Laserlicht senkrecht zur Waferoberfläche abgestrahlt und in Kanten-emittierenden Lasern, Edge-emitting Laser (EEL), breitet sich das Laserlicht längs der Waferoberfläche aus und wird an einer Chipkante ausgekoppelt.

Damit der EEL-Laser die nötige Lichtverstärkung erreicht, muss der Resonatorraum eine Länge zwischen einigen hundert Mikrometern und einigen Millimetern haben. Die Länge des Resonatorraums bestimmt die Strahlfokussierung des EEL-Laser. Der Lichtstrahl selbst hat eine eliptische Form, die durch Optiken zu einem runden Lichtstrahl fokussiert werden muss.

Edge-emitting Laser (EEL)

Edge-emitting Laser (EEL)

Zu den kantenemittierenden Lasern zählt der DFB-Laser, zu den oberflächenemittierenden Lasern der VCSEL-Laser. Kantenemittierende Laser können je nach diagonaler Struktur Lichtleistungen zwischen einigen hundert Milliwatt mit hoher Strahlqualität und bis zu 100 W mit niedriger Strahlqualität emittieren.

Informationen zum Artikel
Deutsch: Kanten-emittierender Laser
Englisch: edge-emitting laser - EEL
Veröffentlicht: 22.07.2018
Wörter: 141
Tags: #Verkabelungsstrukturen
Links: DFB-Laser, Halbleiterlaser, Laser (light amplification by stimulated emission), VCSEL (vertical cavity surface emitting laser),