EDO-DRAM (extended data output DRAM)

Extended Data Output (EDO) ist eine 1994 entwickelte Technik zur Beschleunigung der Zugriffsgeschwindigkeit von Arbeitsspeichern. Bei dieser Technik wird der Lesezyklus verkürzt, indem intern bereits die folgende Adresse für den Zugriff bearbeitet wird, während an den Ausgängen die ausgelesenen Daten um minimale Zeitspannen verzögert werden. Durch diese parallele Bearbeitung wird die Zugriffsgeschwindigkeit erhöht.

Die Datenlesezeit für die vier Q-Worte beträgt 9 Takte im Burstzyklus 5-2-2-2. Die EDO-Technik, die asynchron arbeitet und kein Taktsignal benötigt, wird bei RAMs und DRAMs eingesetzt. Voraussetzung sind EDO-fähige Motherboards, andere Motherboards unterstützen die Funktionen der EDO-Module nicht.

Die Zugriffszeiten sollen sich mit der EDO-Technik um 20 % und mehr verbessern. So liegen bei einem EDO-DRAM die Datentransferraten zwischen 50 ns und 70 ns und die Taktfrequenzen zwischen 33 MHz und 75 MHz. Ein solcher Speicherbaustein arbeitet mit Versorgungsspannungen zwischen 3,3 V (3V3) und 5,0 V (5V) und hat 72 Pins.

64 MB EDO-DRAM als SIMM-Modul, Foto: leugimnet.galeon.com

64 MB EDO-DRAM als SIMM-Modul, Foto: leugimnet.galeon.com

EDO, das auch als Hyper Page Mode (HPM) bezeichnet wird, hat das ältere Fast Page Mode (FPM) abgelöst. Mitte der 90er Jahre erfolgt der Übergang vom EDO-DRAM auf die schnelleren Synchronous Dynamic RAMs (SDRAM).

Informationen zum Artikel
Deutsch:
Englisch: extended data output DRAM - EDO-DRAM
Veröffentlicht: 23.12.2011
Wörter: 190
Tags: RAMs
Links: Adresse, ASP (Arbeitsspeicher), Asynchron, Burstzyklus, Daten