CVD (chemical vapour deposition)

Die chemische Gasphasenabscheidung, Chemical Vapour Deposition (CVD), ist ein chemisches Beschichtungsverfahren, das u.a. für die Beschichtung von optischen Komponenten, in der Photovoltaik und der Dünnschichttechnik eingesetzt wird.

Es ist eine chemische Gasphasenabscheidung bei der die Feststoffanteile, die während einer chemischen Reaktion aus der Gasphase gewonnen werden, zur Beschichtung benutzt werden.

Beim CVD-Verfahren wird ein Substrat einer verdampften Verbindung ausgesetzt, die die entsprechenden Bestandteile enthalten. Um das gewünschte Material zu erhalten, wird eine chemische Reaktion an der Substratoberfläche eingeleitet, das auf dem Substrat kondensiert.

Das CVD-Verfahren wird zur Schichtenbildung benutzt, wenn sich diese nicht aus dem Siliziumsubstrat herstellen lassen. So beispielsweise bei Siliziumnitrid. Die Siliziumschicht wird dabei durch thermische Zersetzung von Gasen erzeugt, die Silizium als auch Nitrid enthalten. Es gibt verschiedene Abscheidungsverfahren, die mit unterschiedlichen Drücken und Temperaturen arbeiten wie Atmospheric Pressure Chemical Vapour Deposition (APCVD), LPCVD (Low Pressure) und PECVD (Plasma Enhanced).

Informationen zum Artikel
Deutsch: Chemische Gasphasenabscheidung
Englisch: chemical vapour deposition - CVD
Veröffentlicht: 11.11.2019
Wörter: 150
Tags: #Chip-Technologien
Links: APCVD (atmospheric pressure chemical vapour deposition), Beschichtung, Dünnschichttechnik, LPCVD (low pressure CVD), PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition)