Burstzyklus

Um die Zugriffsgeschwindigkeit auf Halbleiterspeicher zu erhöhen, optimiert man die Anzahl der Zugriffe hinsichtlich der Adresse und der gespeicherten Daten.

Der Burstzyklus wird in einer Zahlenkombination angegeben, beispielsweise als 4-1-1-1, wobei der erste Zugriff auf die Adresse 4 Zyklen der Taktfrequenz umfasst, die folgenden, den Datentransfer betreffenden Zugriffe, dauern jeweils nur einen Zyklus.

Der Burstzyklus hat sich mit der Entwicklung der Speicherbausteine von vormals 5-5-5-5 bei einem DRAM über 5-2-2-2 bei einem EDO-DRAM im Jahre 1995 bis hin zu 5-1-1-1 beim PC66, 4-1-1-1 beim PC100 und 2-2-2 beim PC133 entwickelt.

Informationen zum Artikel
Deutsch: Burstzyklus
Englisch: burst cycle
Veröffentlicht: 28.07.2005
Wörter: 101
Tags: #Hauptspeicher
Links: Adresse, Daten, DRAM (dynamic RAM), EDO-DRAM (extended data output DRAM), Halbleiterspeicher