Im Kontext mit der Chip-Technologie sind Bumps kleine Bond-Pads, die für die Kontaktierung der Chips mit dem Substrat und auch für die Herstellung der elektrischen Verbindungen zwischen den Packages mit der Leiterplatte benutzt werden. Es sind Kontakthöcker oder Lötkugeln aus Lötzinn oder Metalllegierungen mit niedrigen Schmelzpunkten.
Die Technik mit der Bump-Kontaktierung wird in den verschiedensten Packages eingesetzt. Zur besseren Kontaktierung werden die Bumps mit Metallpads unterlegt, das ist die sogenannte Underbump Metallization (UBM). Die Bump-Kontaktierung wird in Bump Chip Carrier ( BCC), in Leadless Leadframe Packages ( LLP), bei Flip-Chips und beim Bumped Tape Automated Bonding (BTAB) angewendet.
In der Micro-SMD-Technik, in der die Kontaktierung ebenfalls mit Bumps erfolgt, beträgt die Bumpgröße ca. 75 µm bis 200 µm. Man spricht dann von Mikrobumps. Solche Mikrobumps können als Silizium-Durchkontaktierung ( TSV) durch das Substrat geführt werden. Die Verbindungswege werden dadurch kürzer und die Herstellung von mehrlagigen Packages wird gegenüber der Draht- Bondierung vereinfacht.
Als Alternative zu den Lot-basierten Bumps gibt es Kupfersäulen, Copper Pillars oder Cu Pillars. Es handelt sich hierbei um zylinderförmige Anschlüsse aus Kupfer mit einer Kappe aus Lot. Gegenüber den Lot-Bumps haben sie bessere elektrische und thermische Eigenschaften und können in einer höheren Anschlussdichte verlegt werden. Cu-Pillars sind mit 50 µm bis 100 µm etwa halb so groß wie Lot-Bumps. Bei Fine-Pitch liegt der Durchmesser der Cu-Pillars zwischen 20 µm und 40 µm bei einer Höhe von etwa 40 µm.