Aluminumnitrid (AlN) ist ein Verbindungshalbleiter, der sich durch eine besonders große Bandlücke, Wide Bandgap ( WBG), von 6,05 eV auszeichnet. Eingesetzt wird er in Leuchtdioden, die bei einer Wellenlänge von ca. 200 nm bis 250 nm ultraviolett leuchten. Kristallines Aluminiumnitrid wird auch für Oberflächenwellenfilter ( SAW) und für dünnschichtige FBAR- Resonatoren genutzt.