AlN (alluminium nitride)

Aluminumnitrid (AlN) ist ein Verbindungshalbleiter, der sich durch eine besonders große Bandlücke, Wide Bandgap (WBG), von 6,05 eV auszeichnet. Eingesetzt wird er in Leuchtdioden, die bei einer Wellenlänge von ca. 200 nm bis 250 nm ultraviolett leuchten. Kristallines Aluminiumnitrid wird auch für Oberflächenwellenfilter (SAW) und für dünnschichtige FBAR-Resonatoren genutzt.