| Abstimmbarer Laser |
Abstimmbare Laser werden in WDM- und DWDM-Systemen als Ersatzlaser eingesetzt. In der DWDM-Technik wird mit hundert und mehr Wellenlängen gearbeitet,...mehr![]() |
| carrier stored trench-gate bipolar transistor |
Seit der Einführung der Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) wurden diese ständig weiterentwickelt, sie wurden kompakter und leistungsfähiger. De...mehr![]() |
| charged coupled device |
Charge Coupled Devices (CCD) sind Halbleiter-Arrays, die Lichtsignale in elektrische Signale wandeln. CCD-Komponenten werden in Digitalkameras, digit...mehr![]() |
| CMOS-Sensor |
Der CMOS-Sensor ist ein lichtempfindliches Bauelement, das zur Umwandlung von Lichtsignalen als Alternative zu CCD-Elementen in Digitalkameras und di...mehr![]() |
| Darlington-Transistor |
Beide Bezeichnungen, die des Darlington-Transistors als auch die der Darlington-Schaltung sind korrekt, weil es sich um ein elektronisches Bauelement...mehr![]() |
| Detektor |
Unter einem Detektor versteht man in der Lichtwellenleitertechnik das Empfangselement, mit dem das übertragene Licht in elektrische Signale gewandelt...mehr![]() |
| distributed feedback laser |
Ein Distributed Feedback Laser (DFB) zeichnet sich durch seine extrem hohe spektrale Reinheit aus, was sich in einer sehr geringen spektralen Breite ...mehr![]() |
| diode alternating current switch |
Der Diac ist ein bidirektionaler Halbleiter-Schalter zum Schalten von niedrigen Strömen. Es handelt sich um eine dreischichtige Diode, üblicherweise ...mehr![]() |
| field effect transistor |
Feldeffekttransistoren (FET) unterscheiden sich wesentlich von den bipolaren Transistoren. Ihre drei Elektroden heißen Source, Drain und Gate. Die So...mehr![]() |
| Fototransistor |
Wie die Fotodiode arbeitet auch der Fototransistor mit einer Halbleiterstrecke, die sich bei Einfall von Licht durch Aufprallen von Photonen in ihren...mehr![]() |
| fabry perot laser |
Fabry-Perot-Laser (FPL) sind Laserdioden, die ihre maximale Leistung bei Wellenlängen von 1.300 nm haben. Die spektrale Breite ihrer Strahlung liegt ...mehr![]() |
| gate turn off |
GTO-Thyristoren (Gate Turn Off) sind Leistungs-Schaltthyristoren. Sie sind wie normale Thyristoren als Vierschicht-Halbleiter aufgebaut, allerdings h...mehr![]() |
| heterojunction bipolar transistor |
Der Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) ist ein verbesserter Bipolar Junction Transistor (BJT), der höchste Frequenzen bis zu mehreren hundert Gi...mehr![]() |
| high electron mobility transistor |
Für die Verstärkung von Mikrowellen werden besonders rauscharme Transistoren benötigt. Der High Electron Mobility Transistor (HEMT) ist ein solcher T...mehr![]() |
| HVIC (Hochspannungs-IC) |
High-Voltage Integrated Circuits (HVIC) sind monolithische Hochspannungs-ICs für Spannungen von 500 V und höher.
Diese integrierten Schaltungen werd...mehr![]() |
| injection laser diode |
Die ILD-Laserdiode (Injection Laser Diode) wird auch als Halbleiter-Laserdiode bezeichnet, weil sie einen speziell gedopten Übergang zwischen einer P...mehr![]() |
| Infrarot-Detektor |
Wie der Name schon sagt, detektieren IR-Detektoren infrarote Strahlung. Ihre höchste spektrale Empfindlichkeit liegt im Wellenlängenbereich von etwa ...mehr![]() |
| insulated gate bipolar transistor |
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) sind Leistungshalbleiter. Sie wurden 1979 erstmals vorgestellt und haben sich zwischenzeitlich, bedingt dur...mehr![]() |
| Klystron |
Klystrone werden zur Erzeugung und Verstärkung von Mikrowellen benutzt. Es handelt sich um Elektronenröhren mit Resonatoren.
Aufbau eines Klystrons ...mehr![]() |
| LD (Laserdiode ) |
Laserdioden (LD), auch Halbleiterlaser genannt, sind elektronische Bauelemente für die optische Übertragungstechnik. Sie bestehen aus dotierten Halbl...mehr![]() |
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