| 115 getagte Artikel |
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Abstimmbarer Laser
tunable laser Abstimmbare Laser, Tunable Laser, werden im Wellenlängenmultiplex (WDM) und in Dense Wavelength Division Multiplexing (DWDM) als Ersatzlaser eingesetzt. In der DWDM-Technik wird mit hundert und mehr W ... weiterlesen |
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Barritt-Diode
Barritt diode Eine Barritt-Diode (Barrier Injection Transit Time Diode) ist eine Hochfrequenzdiode für Super High Frequencies (SHF), vergleichbar der IMPATT-Diode. Die Barrit-Diode besteht aus einer Halbleiterplat ... weiterlesen |
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Breakover-Diode
breakover diode (SCR) : BoD Eine Breakover-Diode (BoD) entspricht funktional einer Suppressordiode, es ist ein Überspannungsableiter. Eine BoD-Diode hat eine feste Durchbruchspannung von einigen hundert Volt bis zu einigen Kilov ... weiterlesen |
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CCD-Sensor
charge coupled device : CCD Charge Coupled Devices (CCD) sind ladungsgekoppelte Halbleiter-Arrays, die Lichtsignale in elektrische Signale wandeln. CCD-Komponenten werden als Bildsensoren in Digitalkameras, digitalen Videokamera ... weiterlesen |
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CMOS-Sensor
CMOS sensor Der CMOS-Sensor ist ein Bildsensor, der in Digitalkameras und Camcordern eingesetzt wird. Ebenso wie CCD-Sensoren sind CMOS-Sensoren lichtempfindliche Bauteile, die das auf sie fallende Licht in Spann ... weiterlesen |
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COB-LED
chip on board LED CoB-LED steht für Chip on Board-Leuchtdiode. Bei dieser Technik sind die Halbleiter-Chips unmittelbar auf einer Leiterplatte angebracht. Aufbau einer COB-LED, Chip on Board Der Aufbau von CoB-LEDs eig ... weiterlesen |
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DFB-Laser
distributed feedback laser : DFB Ein Distributed Feedback Laser (DFB) ist ein kantenemittierender Laser, ein Edge Emitting Laser (EEL). Er zeichnet sich durch seine extrem hohe spektrale Reinheit aus, was sich in einer sehr geringen ... weiterlesen |
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Darlington-Transistor
darlington pair Beide Bezeichnungen, die des Darlington-Transistors als auch die der Darlington-Schaltung sind korrekt, weil es sich um ein elektronisches Bauelement oder um eine elektronische Schaltung handelt, die ... weiterlesen |
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Dreifarbige LED
tri-color LED Dreifarbige Leuchtdioden bestehen aus drei unifarbenen LEDs, die in einem Gehäuse untergebracht sind. Normalerweise sind es die FarbenRot (R), Grün (G) und Blau (B). Das hat den Sinn, dass man durch F ... weiterlesen |
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Elektrolumineszenz-Folie : EL-Folie
electroluminescence : EL Elektrolumineszenz ist ein Phänomen bei dem bestimmte Materialien bei Anlegen eines elektrischen Feldes Licht emittieren. Das Material wird durch die elektrischen Feldlinien angeregt was dazu führt, d ... weiterlesen |
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Elektronenleitungsschicht
electron transport layer (OLED) : ETL Der Electron Transport Layer (ETL) ist eine von mehreren Schichten, aus denen OLEDs aufgebaut sind. Die Elektronenleitungsschicht liegt vor der Kathode und leitet die vom Electron Injection Layer (EIL ... weiterlesen |
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Feldeffekttransistor
field effect transistor : FET Der Feldeffekttransistor (FET) wurde bereits 1947 von den amerikanischen Physikern Bardeen und Shockley entwickelt. Feldeffekttransistoren unterscheiden sich wesentlich von den bipolaren Transistoren. ... weiterlesen |
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FinFET
FinFET FinFETs gehören zu der Gruppe der Multiple Gate Field Effect Transistors (MuGFET), einer Gruppe von Feldeffekttransistoren mit mehreren Gates, einer Technik, die federführend von IBM und Motorola entw ... weiterlesen |
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Flüssigkristall
liquid crystal (display) : LC Flüssigkristalle sind Substanzen, die flüssige und kristalline Eigenschaften haben. Sie ähneln in ihren Fließeigenschaften viskosen Flüssigkeiten, zeigen aber auch das physikalische Verhalten von Kris ... weiterlesen |
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Fotodetektor
photodetector : PD Unter einem Fotodetektor (PD) versteht man in der Lichtwellenleitertechnik das Empfangselement, mit dem das übertragene Licht in elektrische Signale gewandelt wird. Man unterscheidet dabei zwischen Av ... weiterlesen |
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Fototransistor
photo transistor Der Fototransistor basiert ebenso wie die Fotodiode auf dem Photoeffekt. Dieser Effekt bewirkt, dass sich die Eigenschaften einer Halbleiterstrecke bei Lichteinfall durch das Aufprallen von Photonen ä ... weiterlesen |
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GTO-Thyristor
gate turn-off thyristor : GTO GTO-Thyristoren (Gate Turn-Off Thyristor) sind Leistungs-Schaltthyristoren. Sie sind wie normale Thyristoren als Vierschicht-Halbleiter aufgebaut, allerdings haben die einzelnen positiv und negativ do ... weiterlesen |
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Gaslaser
gas laser Ein Gaslaser ist ein Laser, dessen Verstärkungsmedium ein Gas ist. Die von Gaslasern emittierten Wellenlängen haben eine hohe Strahlqualität. Ihre Leistungen sind abhängig von dem benutzten Gasen und ... weiterlesen |
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HBT-Transistor
heterojunction bipolar transistor : HBT Der Heterojunction BipolarTransistor (HBT) ist ein verbesserter Bipolar Junction Transistor (BJT), der höchste Frequenzen bis zu mehreren hundert Gigahertz (GHz) verarbeiten kann. Beim Heterojunction ... weiterlesen |
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HEMT-Transistor
high electron mobility transistor : HEMT Für die Verstärkung von Mikrowellen werden besonders rauscharme Transistoren benötigt. Der High Electron Mobility Transistor (HEMT) ist ein solcher Feldeffekttransistor (FET), der auch als Heterojunct ... weiterlesen |
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Halbleiterlaser
semiconductor laser Halbleiterlaser sind Festkörperlaser, deren Resonanzkörper aus Aluminium-, Gallium- und Indium-Verbindungen bestehen. Ihre Lichtemission basiert auf ihrer direkten Bandlücke, wohingegen Halbleiter wie ... weiterlesen |
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Hochspannungs-IC
high-voltage integrated circuit : HVIC High-Voltage Integrated Circuits (HVIC) sind monolithische Hochspannungs-ICs für Spannungen von über 500 V. Diese integrierten Schaltungen werden in der Motorsteuerung, in Treiber-Schaltungen, Schalt ... weiterlesen |
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IGBT high power module : IHM IGBT High-Power Module (IHM) sind kompakte Module aus Leistungshalbleitern, die als Hochleistungsschalter in Wechselrichtern, der Leistungselektronik sowie der Energie- und HGÜ-Technik eingesetzt werd ... weiterlesen |
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IGCT-Thyristor
integrated gate commutated thyristor : IGCT Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCT) sind Schaltkomponenten der Leistungselektronik. Ein IGCT-Thyristor entspricht funktional dem GTO-Thyristor, Gate Turn Off. Es ist ein steuerbarer Leistungs ... weiterlesen |
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ILD-Laser
injection laser diode : ILD Die ILD-Laserdiode (Injection LaserDiode) ist eine Halbleiter-Laserdiode, weil sie einen speziell gedopten Übergang zwischen einer P-Schicht und einer N-Schicht für die kohärente Lichtstrahlung benutz ... weiterlesen |
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Infrarot-LED
infrared LED : IR-LED Infrarot-LEDs (IR-LED) emittieren Infrarotlicht mit Wellenlängen zwischen 700 nm und 1.000 nm im Near Infrared Bereich. Dieser Infrarotbereich liegt oberhalb des sichtbaren Rotbereichs. Die wesentlic ... weiterlesen |
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Infrarotsensor
infrared detector Ein Infrarotsensor, IR-Sensor, detektiert Infrarotlicht (IR). Ein solcher Sensor besteht aus einem temperaturempfindlichen Pyrosensor aus Bleisulfid oder Lithium-Tantalat (LiTaO3), der auf Temperaturä ... weiterlesen |
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Ionensensitiver Feldeffekttransistor
ion-sensitive field effect transistor : ISFET Ionensensitive Feldeffekttransistoren (ISFET) sind Sensoren für chemische Lösungen. Sie basieren darauf, dass sich die elektrische Leitfähigkeit des Feldeffekttransistors (FET) durch den pH-Wert von c ... weiterlesen |
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Junction-FET
junction field-effect transistor : JFET Der Junction Field Effect Transistor (JFET) hat einen äußerst einfachen Aufbau und einen hohen Eingangswiderstand, der geringer ist als der des MOSFET. Darin ist auch der Grund zu sehen, warum JFETs n ... weiterlesen |
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Kapazitäts-Digital-Wandler
capacity digital converter (sensor) : CDC Capacity to Digital Converter (CDC) ist ein Wandler, der Kapazitäten in Spannungen wandelt und auf dem Verfahren des Sigma-Delta-Wandlers basiert. Beim CDC-Verfahren tritt anstelle der unbekannten Sp ... weiterlesen |
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Klystron
klystron Klystrone werden zur Erzeugung und Verstärkung von Mikrowellen benutzt. Es handelt sich um Elektronenröhren mit Resonatoren. Ein Klystron besteht aus einem Elektrodensystem mit Kathode, die die Elektr ... weiterlesen |
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Kohlendioxid-Laser
carbon dioxide laser Kohlendioxid-Laser, CO2-Laser, sind molekulare Gaslaser, deren Verstärkung auf einem Gasgemisch aus Kohlendioxid (CO2), Helium (He), Stickstoff (N2) und Wasserstoff (H2) basiert. Ein CO2-Laser ist ei ... weiterlesen |
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LDMOS-Transistor
lateral diffused metal oxid semiconductor : LDMOS Lateral Diffused Metal Oxid Semiconductor (LDMOS) sind Leistungshalbleiter, die in HF-Leistungsverstärkern zur Verstärkung der Sendesignale im Mikrowellenbereich eingesetzt werden, u.a. in Basisstatio ... weiterlesen |
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LED-Lebensdauer
LED lifetime Die Lebensdauer von Leuchtdioden bezieht sich auf die Lichtausbeute über die Betriebsdauer. Mit der Dauer des Einsatzes reduziert sich die Lichtstärke der Leuchtdiode. Sie wird also über die Einsatzda ... weiterlesen |
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Laserdiode
laser diode (fiber optics) : LD Laserdioden (LD) sind Halbleiterlaser für die Optoelektronik, die in der optischen Übertragungstechnik eingesetzt werden. Sie bestehen aus dotierten Halbleiterschichten, häufig aus einem Substrat aus ... weiterlesen |
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Laserklasse
laser class Das Gefährdungspotential von Lasern für die Gesundheit und das Augenlicht wird in Laserklassen eingeteilt. Da es Laser mit sichtbaren Wellenlängen gibt, andere mit nichtsichtbaren, sind beim Betrieb v ... weiterlesen |
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Leistungshalbleiter
power semiconductor Leistungshalbleiter sind Halbleiter-Bauelemente, die speziell für das Schalten von hohen Strömen und Spannungen entwickelt wurden. Während konventionelle Halbleiter Ströme unter 1 A und Spannungen von ... weiterlesen |
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Leuchtdiode
light emitting diode : LED Eine Leuchtdiode oder Lumineszenzdiode (LED) ist ein Halbleiterbauelement der Optoelektronik, das nach dem Prinzip der Elektrolumineszenz Licht emittiert. Die Elektrolumineszenzdiode wandelt durch ele ... weiterlesen |
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Lichtgesteuerter Thyristor
light triggered thyristor (SCR) : LTT Ein Light Triggered Thyristor (LTT) ist ein lichtgesteuerter Schalter, ein Light-Activated Switch (LAS). LTT-Thyristoren werden durch Lichtsignale getriggert und vorwiegend in der Hochspannungstechnik ... weiterlesen |
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Lochtransportschicht
hole transport layer (OLED) : HTL Organic Light Emitting Diodes (OLED) sind schichtweise aufgebaut. Die Schichten einer OLED sind für die Injizierung und den Transport der Ladungsträger zuständig. Transportmechanismus für die Lichtemi ... weiterlesen |
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MCT-Thyristor
MOS controlled thyristor : MCT Wie der GTO-Thyristor ist auch der MCT-Thyristor (MOS Controlled Thyristor) ein Thyristor-Schalter, der aus dem GTO-Thyristor entwickelt wurde. Der GTO-Thyristor benötigt eine umfassendere Steuerelek ... weiterlesen |
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MOS-Feldeffekttransistor
metal oxide semiconductor field effect transistor : MOSFET MOSFET, Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, beschreibt einen Feldeffekttransistor in MOS-Technologie. Mit der MOS-Technologie können Transistoren hergestellt werden deren Steuerelektrod ... weiterlesen |
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Magnetron
magnetron Magnetrone sind elektronische Bauelemente für die Generierung von Mikrowellen. Es handelt sich um Vakuumröhren, bestehend aus Kathode, Hohlraumresonatoren und Anode, die von einem Permanentmagneten u ... weiterlesen |
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Micro-LED
micro LED : MLED Micro-LEDs, die auch unter den Bezeichnungen µLEDs, Mikro-LEDs, MLEDs oder mLEDs bekannt sind, sind mikroskopisch kleine LEDs aus Indiumgalliumnitrid (InGaN). Sie werden auf konventionellen Wafern auf ... weiterlesen |
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Optische integrierte Schaltung : OIS
optical integrated circuit : OIC Ein Optical Integrated Circuit (OIC) ist eine integrierte Schaltung von optischen Komponenten auf einem Substrat. In den Anfangsjahren der OIC-Entwicklung, die in die 60er Jahre zurückreicht, wurden h ... weiterlesen |
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Organischer Feldeffekttransistor
organic FET : OFET Organische Feldeffekttransistoren (OFET) haben die gleichen Elektroden mit den gleichen Bezeichnungen wie anorganische, auf Silizium basierende Feldeffekttransistoren (FET), nämlich die Source, die di ... weiterlesen |
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Organischer Transistor
organic transistor Organische Transistoren bzw. organische Feldeffekttransistoren sind Produkte der Polymerelektronik. Bestimmten Kunststoffen können durch Dotierung die Eigenschaften von Leitern, Halbleitern und Nichtl ... weiterlesen |
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Photomultiplier
photo multiplier : PMT Photomultiplier, Photo Multiplier (PMT), sind hochempfindliche Lichtsensoren, die mit Sekundärelektronenvervielfacher (SEV) arbeiten und kleinste Lichtsignale in elektrische Spannungen umwandeln. Dem ... weiterlesen |
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Pumplaser
pump laser Ein Pumplaser ist ein Laser, der einen Pumpstrahl erzeugt, mit dem das Energieniveau der Bandlücke von Halbleiterlasern überbrückt werden kann. Damit ein Halbleiterlaser einen Lichtstrahl erzeugen ka ... weiterlesen |
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Raumladungszone (Diode) : RLZ
depletion region Raumladungszonen (RLZ) sind Ladungsbereiche, die sich zwischen unterschiedlich dotierten Halbleiterschichten aufbauen. Sie entstehen im pn-Übergang zwischen einem positiv dotiertem und einem negativ d ... weiterlesen |
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SBR-Diode
super barrier rectifier : SBR Super Barrier Rectifier (SBR) sind Dioden, die sich durch eine äußerst niedrige Durchlassspannung und Verlustleistung auszeichnen. Sie werden in Gleichrichtern eingesetzt und vertragen im Gegensatz zu ... weiterlesen |
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SJT-Transistor
super junction transistor : SJT Super Junction Transistoren (SJT) sind stromgesteuerte Leistungstransistoren für Spannungen bis 10 kV und darüber. Bedingt durch ihre geringe Gate-Kapazität haben SJT-Transistoren extrem kurze Schaltz ... weiterlesen |
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SMD-LED
surface mounted device LED SMD-LEDs sind kleine, kompakte Leuchtdioden, die mittels SMT-Technik (Surface Mounted Technology) in Oberflächenmontage direkt auf gedruckte Leiterplatten montiert werden können. SMD-LEDs sind rechte ... weiterlesen |
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SOT-Package
small outline transistor (transistor package) : SOT Das SOT- oder SO-Gehäuse (Small Outline Transistor) ist das Standardgehäuse für Dioden und Transistoren. Es wurde bereits in den 70er Jahren für die SMT-Technik entwickelt und in der Konsumelektronik ... weiterlesen |
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Sekundärelektronenvervielfacher : SEV
electron multiplier tube : EMT Sekundärelektronenvervielfacher (SEV) nutzten den Effekt, dass bestimmte Materialen beim Auftreffen von Elektronen Sekundärelektronen emittieren. Je nach Material, Beschleunigungsspannung und Eintritt ... weiterlesen |
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Superlumineszenzdiode
superluminescent diode : SLD Superlumineszenzdioden (SLD oder SLED) sind breitbandige Halbleiterkomponenten, die mit einer Amplified Spontaneous Emission (ASE) arbeiten. Der Effekt der verstärkten spontanen Emission tritt überall ... weiterlesen |
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TO-Package
transistor outline (transitor package) : TO Das TO-Package, TO steht für Transistor Outline, ist eines der ersten standardisierten Transistorgehäuse. Die Vereinheitlichung der Packageformate hat zur Kostensenkung und zu verbesserten Bestückungs ... weiterlesen |
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Thyristor
silicon controlled rectifier (thyristor) : SCR Der Thyristor (SCR), auch Vierschichtdiode, Thyristordiode, Kippdiode oder Silicon Controlled Rectifier (SCR) genannt, ist ein Halbleiterbauelement, das als elektronischer Schalter eingesetzt wird. De ... weiterlesen |
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Transistor
bipolar junction transistor : BJT Transistoren sind aktive elektronische Halbleiterbauelemente, die in Verstärkern, Repeatern, Transpondern und anderen Netz- und Übertragungskomponenten eingesetzt werden; aber auch in Mikroprozessoren ... weiterlesen |
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Transparenter Halbleiter
transparent semiconductor Transparente Halbleiter bestehen aus durchsichtigen elektronischen Komponenten. Da klassische Halbleitermaterialien wie Silizium und Germanium undurchsichtig sind, haben sich bei der Forschung nach d ... weiterlesen |
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UV-Leuchtdiode
ultraviolet light emitting diode : UV-LED UV-Leuchtdioden (UV-LED) leuchten ultraviolett. Der UV-Bereich ist nach DIN 5031 unterteilt in die Wellenlängenbereiche UV-A mit Wellenlängen zwischen 315 nm und 380 nm, UV-B zwischen 280 nm und 315 n ... weiterlesen |
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Ultraschallschweißen
Das Ultraschallschweißen (US-Schweißen) ist eine Verbindungstechnik, die u.a. in der Leistungselektronik bei Leistungshalbleitern eingesetzt wird. Da Lötverbindungen mit Weichlot den gestiegenen Betri ... weiterlesen |
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VCSEL-Laser
vertical cavity surface emitting laser (fiber optics) : VCSEL VCSEL-Laser (Vertical Cavity Surface Emitting Laser) gehören zu den oberflächenemittierenden Lasern. Es sind kleine Hochleistungslaser, die in der optischen Übertragungstechnik und in optischen Speich ... weiterlesen |
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Verbindungshalbleiter
compound semiconductor Verbindungshalbleiter, Compound Semiconductors, unterscheiden sich von den Elementarhalbleitern dadurch, dass sie aus zwei oder mehr chemischen Verbindungen von verschiedenen chemischen Elementen best ... weiterlesen |
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Verzögerungsleitung
delay line Verzögerungsleitungen sind elektronische Komponenten mit denen Signale um eine bestimmte Zeit verzögert werden können. Sie werden überall dort eingesetzt, wo Signale mit Phasenverschiebungen oder Verz ... weiterlesen |
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Wanderwellenröhre
travelling wave tube : TWT Wanderwellenröhren, Travelling Wave Tube (TWT), oder Wanderfeldröhren sind Laufzeitröhren und werden zur Verstärkung von Mikrowellen verwendet und in Satelliten zur Signalverstärkung eingesetzt. Eine ... weiterlesen |
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Weiße LED
white LED : WLED Die Spektralcharakteristiken von Leuchtdioden (LED) haben bei bestimmten Farben ihr Maximum. Das können die Farben Rot, Grün oder Orange sein, aber nicht Weiß. Das für Weiß erforderliche breite Wellen ... weiterlesen |
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Wide-Bandgap-Halbleiter
wide bandgap : WBG Wide Bandgap Semiconductors (WBG) sind Halbleiter mit großer Bandlücke. Bei diesen Verbindungshalbleitern liegt der Energieabstand der Bandlücke zwischen Valenzband und Leitungsband zwischen 2 Elektro ... weiterlesen |
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Zhaga
Zhaga ist ein 2010 initiiertes Konsortium, das sich um die Belange der LED-Beleuchtung und deren Vereinheitlichung kümmert. Es ist weltweit aktiv und hatte Ende 2012 bereits über 200 Mitgliedsfirmen. ... weiterlesen |
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Zweifarbige LED
bi-color LED Zweifarbige LEDs sind die gleichen Leuchtdioden wie einfarbige, mit dem Unterschied, dass in einem Gehäuse zwei LEDs mit verschiedenen Farben untergebracht sind. Sie haben die gleichen Charakteristika ... weiterlesen |
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active matrix OLED : AMOLED Aktivmatrix-OLEDs (AMOLED) sind Dünnschicht-Displays. Sie haben bessere technische Eigenschaften als Passivmatrix-OLEDs, sind aber komplizierter herzustellen, weil jede einzelne OLED eine eigene Strom ... weiterlesen |
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breakthrough in small signal (transistor) : BISS Vor Jahren waren in Schaltanwendungen Bipolartransistoren in mehreren Belangen MOSFETs unterlegen. Dank neuerer Entwicklungen und erheblicher Verbesserungen des Sättigungswiderstands und des Leistungs ... weiterlesen |
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carrier stored trench-gate bipolar transistor (IGBT) : CSTBT Seit der Einführung der Insulated Gate BipolarTransistor (IGBT) wurden diese ständig weiterentwickelt, sie wurden kompakter und leistungsfähiger. Der Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor (CS ... weiterlesen |
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correlated color temperature : CCT Die korrelierte Farbtemperatur, Correlated Color Temperature (CCT), beschreibt die relative Farbtemperatur einer weißen Lichtquelle. Die Abstufungen von Weiß reichen von Kaltweiß über Neutralweiß bis ... weiterlesen |
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diode alternating current switch (component) : DIAC Der DIAC (Diode Alternating Current Switch) ist ein bidirektionaler Halbleiterschalter zum Schalten von niedrigen Strömen. Es handelt sich um eine dreischichtige Diode, üblicherweise pnp, mit einem pn ... weiterlesen |
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diode outline (package) : DO Das DO-Package, DO steht für Diode Outline, ist ein standardisiertes Gehäuseformat für Dioden. Es ist zylindrisch aufgebaut, besteht aus Glas, Plastik oder Metall und wird für Kleinsignal- und für Lei ... weiterlesen |
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direct copper bonding (IGBT) : DCB Direct Copper Bonding (DCB) steht für direkte Kupferbeschichtung. Es ist ein Verfahren mit dem Keramik mit Kupfer beschichtet wird und bei dem das Kupfer fest mit der Keramik verbunden ist. Bei der H ... weiterlesen |
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electron injection layer (OLED) : EIL Der Electron Injection Layer (EIL) ist eine von mehreren Schichten einer OLED. Die Elektroneninjektions-Schicht unterstützt die Elektroneninjektion von der Kathode in die organische Schicht. Der Trans ... weiterlesen |
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emission layer (OLED) : EML Die Lichtemission von OLEDs basiert auf Elektrolumineszenz. Wird an eine OLED eine Durchlassspannung gelegt, werden als Ladungsträger Fehlelektronen (Löcher) und Elektronen eingespeist. Diese injizier ... weiterlesen |
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fast recovery diode : FRD Eine Fast Recovery Diode (FRD) ist eine Diode mit pn-Übergang, die extrem kurzzeitig zwischen Durchlass- und Sperrbetrieb umschalten kann. Bei diesen Dioden, zu denen auch Ultra Fast Recovery Diodes u ... weiterlesen |
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fast recovery epitaxial diode : FRED Fast Recovery Epitaxial Diodes (FRED) sind ultraschnelle Dioden, deren Schaltverhalten zu unterschiedlichen Abhängigkeiten zwischen der Vorwärtsspannung, der Sperrspannung und der Sperrzeit führt. FR ... weiterlesen |
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ferroelectric field effect transistor : FeFET Ein Ferro FET (FeFET) kann als MOSFET betrachtet werden, bei dem die Metalloxidschicht zwischen Gate und Drain und Source durch eine ferroelektrische Schicht ersetzt wird. FeFETs werden für ferroelekt ... weiterlesen |
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fixed pattern noise (photo sensor) : FPN Fixed Pattern Noise (FPN) ist ein spezielles Rauschmuster von Bildsensoren, das bei längeren Belichtungszeiten sichtbar wird. Dieses räumlich bedingte Grundrauschen wird durch das unterschiedliche An ... weiterlesen |
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flexible OLED : FOLED Ein flexible Organic Light Emitting Diode (FOLED) ist ein OLED-Display, das auf flexibles Basismaterial aufgebracht ist. Das kann ein transparenter Film, biegsames Plastik oder eine metallisierte Foli ... weiterlesen |
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heterojunction field effect transistor : HFET Heterojunction-Feldeffekttransistoren (HFET) haben vergleichbare Eigenschaften wie MESFETs. Sie werden in der Mikrowellentechnik und in digitalen High-Speed-Schaltkreisen eingesetzt. HFETs zeichnen s ... weiterlesen |
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hole injection layer (OLED) : HIL Der Hole Injection Layer (HIL) ist eine von mehreren Schichten von selbstleuchtenden Organic Light Emitting Diodes (OLED). Die HIL-Schicht ist direkt auf der Anode aufgebracht, der Ladungstransport er ... weiterlesen |
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insulated gate bipolar transistor : IGBT Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) sind Leistungshalbleiter, die in der Leistungselektronik, Energie- und HGÜ-Technik eingesetzt werden. Sie wurden 1979 erstmals vorgestellt und haben sich zwis ... weiterlesen |
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intelligent power module (IGBT) : IPM Intelligent Power Modules (IPM) sind intelligente Versorgungskomponenten, die vor allem im Hochleistungsbereich eingesetzt werden. So in der Solar- und Windenergie, in Schienenfahrzeugen, Aufzügen und ... weiterlesen |
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isolated gate FET (MOSFET) : IGFET Der Isolated Gate FET (IGFET) unterscheidet sich von anderen Feldeffekttransistoren dadurch, dass er eine isolierende Schicht zwischen Gate und dem Source-Drain-Kanal hat. Die Leitfähigkeit des Stromk ... weiterlesen |
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light activated silicon controlled rectifier : LASCR Light Activated Silicon Controlled Rectifier (LASCR) sind durch Licht aktivierte Thyristoren (SCR), Light Activated SCRs, die auch als Light Triggered Thyristor (LTT) bezeichnet werden. Sobald das au ... weiterlesen |
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light amplification by stimulated emission (fiber optics) : Laser Das physikalische Phänomen des Lasers (Light Amplification by Stimulated Emission) basiert auf dem optischen Energieaustausch, der zuerst mit Gaslasern nachgewiesen werden konnte. Bei diesem Phänomen ... weiterlesen |
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light-emitting electrochemical cell (OLED) : LEC Light-Emitting Electrochemical Cells (LEC), lichtemittierende elektrochemische Zellen, sind Leuchtmittel, die einfacher aufgebaut sind und kostengünstiger hergestellt werden können als Leuchtdioden (L ... weiterlesen |
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metal insulator semiconductor field effect transistor (MOSFET) : MISFET MOSFETs gibt es in verschiedenen Varianten wie den Metal Semiconductor Field Effect Transistor (MESFET), Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor (MISFET), Junction Field-Effect Transisto ... weiterlesen |
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metal semiconductor field effect transistor : MESFET Ein MESFET (Metal Semiconductor Field Effect Transistor) gehört zur Gruppe der MOSFETs. Er ist ähnlich aufgebaut wie ein Junction Field-Effect Transistor (JFET). Der Unterschied zwischen beiden besteh ... weiterlesen |
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monolithic microwave integrated circuit : MMIC Wie aus der Bezeichnung Monolithic Microwave Integrated Circuit (MMIC) hervorgeht, handelt es sich um ein monolithische Technologie mit denen integrierte Mikrowellenschaltungen hergestellt werden könn ... weiterlesen |
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multiple gate field effect transistor : MuGFET Multiple Gate Field Effect Transistor (MuGFET) ist eine spezielle Ausführung an MOSFETs, mit mehr als einem Gate. Ein bekannter Vertreter dieser Mehrfach-Gate-Feldeffekttransistoren ist der FinFET mit ... weiterlesen |
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organic light emitting diode : OLED Organic Light Emitting Diode (OLED) ist eine Weiterentwicklung der Leuchtdiode (LED) für die Display-Technik. Im Unterschied zu LEDs bestehen die farbig selbstleuchtenden OLEDs aus organischen Halblei ... weiterlesen |
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passive matrix OLED : PMOLED Im Gegensatz zu den Active Matrix OLEDs (AMOLED) haben Passive Matrix OLEDs (PMOLED) keine Dünnschichttransistoren für die Aktivierung. Die einzelnen Elektroden der PMOLEDs - die Anode, die organische ... weiterlesen |
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phosphorescent organic light emitting diode : PHOLED Phosphorescent Organic Light Emitting Diode (PHOLED) sind phosphoreszierende OLEDs, die wie alle anderen OLEDs auf der Lichtemission von organischen Halbleitern basieren. PHOLEDs haben eine höhere Lic ... weiterlesen |
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plastic OLED : POLED Klassische OLEDs benutzen ein Substrat aus Glas auf dem die Schichten aufgebracht werden. Da Glas fest und starr ist, kann es nicht an gewünschte Formfaktoren angepasst werden. Aus diesem Grund wird b ... weiterlesen |
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polymer light emitting diode : PLED Polymer Light Emitting Diode (PLED) sind wie Light Emitting Polymer (LEP) oder Organic Light Emitting Diodes (OLED) farbig leuchtende auf Polymeren basierende Komponenten für Displays. PLEDs haben ein ... weiterlesen |
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power conversion efficiency (LED, OLED) : PCE Power Conversion Efficiency (PCE) ist ein Kennwert von Solarzellen und Leuchtdioden, in dem sich die Energieeffizienz ausdrückt. Der PCE-Wert ergibt sich aus dem Verhältnis der Ausgangsleistung zur Ei ... weiterlesen |
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resonant cavity LED : RC-LED Die Resonant Cavity LED (RC-LED) ist eine Leuchtdiode, die mit einem Resonanzkörper arbeitet und sich gegenüber der normalen Leuchtdiode durch eine geringere spektrale Bandbreite auszeichnet. Die RC- ... weiterlesen |
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safe operating area : SOA Die Safe Operating Area (SOA) ist der sichere Arbeitsbereich in dem Halbleiterbauelemente ohne Beschädigung betrieben werden können. Der SOA-Bereich spielt vorwiegend bei Leistungshalbleitern, bei MOS ... weiterlesen |
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silicon controlled switch : SCS Der Silicon Controlled Switch (SCS) ist ein Vierschicht-Bauelement, vergleichbar einem Thyristor oder dem GTO-Thyristor. Im Unterschied dazu hat der SCS-Thyristor zwei steuerbare Gate-Anschlüsse, das ... weiterlesen |
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small molecule OLED : SMOLED Bei der Entwicklung von Organic Light Emitting Diodes (OLED) werden zwei unterschiedliche Materialtechnologien verfolgt: Die eine arbeitet mit kleinsten Molekülen und nennt sich Small Molecules OLED ... weiterlesen |
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solid state lighting (LED) : SSL Die Bezeichnung Solid State Lighting (SSL) ist der Oberbegriff für alle Leuchtkomponenten, die auf Halbleiterbasis arbeiten und infolge von Elektrolumineszenz Licht emittieren. Zu den SSL-Komponenten ... weiterlesen |
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stacked OLED : SOLED Die SOLED-Technologie ist eine Display-Technik, die sich von der Anordnung der Organic Light Emitting Diodes (OLED), gegenüber anderen OLED-Displays unterscheidet. Bei der Stacked-OLED-Technologie si ... weiterlesen |
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static induction transistor : SIT Der Static Induction Transistor (SIT) ist ein leistungsstarker Transistor. Der SIT-Transistor hat durch seinen Aufbau eine sehr geringe Gate-Kapazität und einen geringen Gate-Reihenwiderstand und wei ... weiterlesen |
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super junction MOSFET : SJ-MOSFET Super Junction MOSFETs (SJ-MOSFET) sind Hochleistungs-MOSFETs, die für die Schaltung von höheren Leistungen und Spannungen ausgelegt sind und in Spannungsumformern eingesetzt werden. Im Gegensatz zu ... weiterlesen |
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thin-film encapsulation (OLED) : TFE Die Dünnfilmverkapslung, Thin Film Encapsulation (TFE), ist eine Technologie mit der elektronische Bauelemente wie OLEDs vor äußeren Einflüssen, vor Staub, Wasser, Luft und Feuchtigkeit geschützt werd ... weiterlesen |
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transparent OLED : TOLED Im Unterschied zu Standard-OLEDs sind bei transparenten OLEDs (TOLED) alle Schichten - das Substrat, die Anode, die Löcher transportierenden Schichten, die emittierende Polymerschicht und die Kathode ... weiterlesen |
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triode alternating current switch (component) : TRIAC Ein TRIAC (Triode Alternating Current Switch) ist ein elektronisches Bauelement, das einer Parallelschaltung zweier Thyristoren entspricht, von denen einer allerdings in gegengesetzte Richtung geschal ... weiterlesen |
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ultra high brightness LED (LED) : UHB-LED Die Bezeichnung Ultra High Brightness (UHB) wird für extrem hell leuchtende Leuchtdioden, TFT-Displays und LED-Displays benutzt. Bei den UHB-LEDs handelt sich um Power-LEDs mit hohem Lichtstrom, die ... weiterlesen |
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white organic light emitting diode : WOLED Organic Light Emitting Diodes (OLED) sind eine Weiterentwicklung der Leuchtdioden (LED), bestehen aber im Gegensatz zu diesen aus organischen Halbleitern. OLEDs emittieren einfarbiges Licht. Da in der ... weiterlesen |